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81.
The effects of pre-equilibrium emission and secondary decay on the determination of the freeze-out volume are investigated using the isospin-dependent quantum molecular dynamics model accompanied by the statistical decay model GEMINI. Small-mass projectiles and large-mass targets with central collisions are studied at intermediate energies. It is revealed that the proton yields of pre-equilibrium emission are smaller than those of secondary decay. However, the determination of the freeze-out volume from the proton yields is more easily affected by pre-equilibrium emission. Moreover, the percentage of proton yields in the freeze-out stage is found to be approximately 50%. 相似文献
82.
半导体纳米晶体(NCs)具有良好的光稳定性,广泛的发射持久性和高消光系数,在过去几年被广泛研究报道,其中,硒化镉半导体纳米晶体(CdSe NCs)被广泛用于电子照明、太阳能发电、光电传感等领域.然而CdSe NCs的电学、热力学和光物理性质具有较强的尺寸依赖性,在传统的制备方法及应用中容易出现晶体表面缺陷和悬空键以及较... 相似文献
83.
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石(0001)衬底上制备出了Ga2(1-x)In2xO3(x=01—09)薄膜,研究了薄膜的结构、电学和光学特性以及退火处理对薄膜性质的影响.测量结果表明:当In组分x=02时,样品为单斜β-Ga2O3结构;x=05的样品,薄膜呈现非晶结构,退火处理后薄膜结构得到明显的改善
关键词:
金属有机物化学气相沉积
2(1-x)In2xO3薄膜')" href="#">Ga2(1-x)In2xO3薄膜
蓝宝石衬底
退火 相似文献
84.
85.
本文考察了Fe-Fe50 wt.%Si扩散偶在1200℃ 无磁场以及稳恒磁场下扩散层生长规律. 利用真空浇注强制冷却技术制备Fe-Fe50 wt.%Si扩散偶, 将制备的扩散偶进行1200℃不同磁感应强度下的热处理. 对获得热处理后试样进行SEM与EDS线扫描分析, 结果表明, 无论无磁场还是稳恒磁场下Fe-Fe50 wt.%Si扩散偶均生成两个扩散层, 即FeSi相层和Fe-Si固溶体层, 并且发现0.8 T下的两个扩散层宽度均小于0 T磁场下试样. 按照抛物线规律, 计算了扩散偶中间扩散层的互扩散系数, 发现0.8 T磁场下FeSi相层和Fe-Si固溶体层的互扩散系数较无磁场下 分别降低了26.7%与34.1%. 通过对磁吉布斯自由能的计算, 发现0.8 T磁场对扩散激活能Q的影响不足以影响扩散过程. 但扩散过程中原子振动频率ν会受到磁场的影响, 进而影响扩散常数D0, 磁场对原子振动频率的影响可以用拉莫尔旋进理论进行解释.
关键词:
Fe-Fe50wt.%Si扩散偶
稳恒磁场
FeSi相
Fe-Si固溶体 相似文献
86.
本文采用自洽场理论模拟了AB/CD嵌段共聚物共混体系的自组装. 改变组分B与D间的相互作用, 得到了不同空间尺度上的两种层状结构和只能在非对称组成情况才能得到的核壳结构. 结果表明, 这种多尺度结构的形成是因为BD间排斥作用的减弱或者吸引 作用的增强导致二者间相互融合程度的增加. 当BD间的相互融合程度与AB和CD间的相互融合程度相当时, 体系会发生宏观层状与微观层状结构间的转变. 此外, 本文还从能量角度揭示了体系发生这种结构转变的深层次原因.
关键词:
嵌段共聚物
共混
多尺度结构
自洽场 相似文献
87.
为了进一步提高深亚微米SOI (Silicon-On-Insulator) MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 的电流驱动能力, 抑制短沟道效应和漏致势垒降低效应, 提出了非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET. 在沟道源端一侧引入高掺杂Halo结构, 栅极由不同功函数的两种材料组成. 考虑新器件结构特点和应变的影响, 修正了平带电压和内建电势. 为新结构器件建立了全耗尽条件下的表面势和阈值电压二维解析模型. 模型详细分析了应变对表面势、表面场强、阈值电压的影响, 考虑了金属栅长度及功函数差变化的影响. 研究结果表明,提出的新器件结构能进一步提高电流驱动能力, 抑制短沟道效应和抑制漏致势垒降低效应, 为新器件物理参数设计提供了重要参考.
关键词:
非对称Halo
异质栅
应变Si
短沟道效应 相似文献
88.
Six new ternary rare-earth (La, Eu, Sm, Nd, Y, Yb) complexes with L-isoleucine and 1,10-phenanthroline have been synthesized. Their compositions were characterized as RE(Ile)3PhenCl3 · 4H2O (RE = La, Eu, Sm, Nd, Y, Yb; Ile = L-isoleucine; phen = 1,10-phenanthroline) by elemental analysis, EDTA titration, molar conductance measurement, UV spectra, FT-IR spectra, and TG-DTA. The average diameters of growth inhibition area and the minimal inhibitory concentration (MIC) of the complexes were studied by disc diffusion method and dilution method in nutrient broth. The results showed that the ternary rare-earth complexes strongly exhibited the antibacterial activity against Escherichia coli and Staphylococcus aureus and that their antibacterial effects were better than those of rare-earth chlorides, L-isoleucine, and 1,10-phenanthroline. 相似文献
89.
The radiative decay of free excitons with the emission of 0, 1, or 2LO phonons has been observed in electroluminescence in Cds MIS diodes operated in forward bias at temperatures in the range 40 – 77K. The line shapes and temperature dependence of the ILO and 2LO phonon assisted replicas are discussed in terms of the distribution of kinetic energy of the excitons with an effective temperature equal to that of the lattice. 相似文献
90.
Fan Qihong 《数学年刊B辑(英文版)》1994,15(3):327-334
This paper coutinues the studies of the essential spectrum of nonsemi-bounded pseudodifferential operators. The author improves the results in [5] in some sense. For the relativistic Schrodinger operator,√(-Δ+m^2)+v(x),complete results are obtained. 相似文献