External Electric Field Effect on Hydrogenic Donor Impurity in Zinc-Blende InGaN Quantum Dot

The binding energy of a hydrogenic donor impurity in zinc-blende (ZB) InGaN quantum dot (QD) is calculated in the framework of effective-mass envelope-function theory using the plane wave basis. It is shown that the donor binding energy is highly dependent on the impurity position, QD size and the external electric field. The symmetry of the electron probability distribution is broken and the maximum of the donor binding energy is shifted from the centre of QD in the presence of the external electric field. The degenerating energy levels for symmetrical positions with respect to the centre of QD are split. The splitting increases with the increase of QD height while the splitting increases up to a maximum value and then decreases with the increase of QD radius.     

热熔合反应合成超重核产生截面的同位素依赖性

通过在形成超重核的重离子俘获和熔合过程中引入位垒分布函数的方法对双核模型做了进一步发展. 超重核形成过程中的俘获、熔合和蒸发3个阶段分别采用了半经验的耦合道模型、数值求解主方程和统计蒸发模型的方法来描述. 计算了近年来Dubna小组利用热熔合反应⁴⁸Ca(²⁴³Am, 3n—5n)^288—286115和⁴⁸Ca(²⁴⁸Cm, 3n—5n)^293—291116合成超重新核素的蒸发余核激发函数. 系统分析了⁴⁸Ca轰击锕系元素U,Np,Pu,Am,Cm合成超重核Z=112—116产生截面的同位素依赖性. 给出了合成超重新核素最佳的弹靶组合和入射能量, 即有最大的超重核产生截面. 计算说明, 壳修正能和中子分离能是影响超重核生成截面产生同位素依赖性的主要因素.     

高功率窄脉宽半导体激光激励器设计

为了获得高功率窄脉宽半导体激光,设计了半导体激光器相应的激励单元,论述MOSFET作为高速开关的工作机理,分析基于MOSFET作为高速开关产生窄的大电流脉冲的电路模型.为了使MOSFET开关速度尽可能快,根据前述分析,提出推挽式MOSFET栅极驱动方式并设计了触发窄脉冲的发生电路.当激光二极管接入放电回路时,实验表明:激光二极管输出光的峰值功率可达67.5 W,脉宽约为20 ns.最后,简要分析了影响光脉冲宽度的因素.     

Study on the separation of 100 TeV γ-rays from cosmic rays for the Tibet ASγ experiment

A γ/hadron separation analysis is described for the observed air shower events with primary energy above 100 TeV based on the Tibet AST detector configuration. The shower age and size parameters are fitted from the measured lateral density distribution and used as discrimination variables. According to the MC simulation while taking into account the systematic uncertainty estimated from data and MC comparison,it is found that 70% of the cosmic ray (CR) background can be rejected while more than 78% of the γ-rays can be retained. Sensitivity for 100 TeV γ-rays observation can thus be improved by at least 40%.     

Nb芯增强MgB2多芯超导线材的制备及性能研究

以Nb/Cu复合管作为外包套材料,Nb棒作为中心增强体,通过原位法粉末装管工艺(in-situ PIT)制备了不同芯丝结构的TiC 粉末掺杂MgB2/NbCu多芯线材.在高纯流动氩气保护条件下、700℃烧结2h进行成相反应.对烧结后的线材分别进行了应力-应变分析、微观结构以及超导电性等分析检测.拉伸实验分析表明,Nb芯...     

不同半光强角对医用LED阵列灯珠间距影响的仿真研究

 讨论LED光源的半光强角对LED之间的最大间距的影响,采用Matlab软件对LED单元照度数据进行计算及仿真,给出相应的仿真图形。仿真结果表明:LED光源之间的最大间距与其功率无关,由于仿真的结果与理论计算值相吻合,说明在计算中所建立的LED的光学模型具有较高的可信度,所得结果为LED多阵列（如圆形,矩形,椭圆等）的仿真及应用设计奠定了理论基础。     

环形激光弱磁传感器误差分析

本文从理论上分析了环形激光弱磁传感器主要误差因素并提出了若干克服这些因素的方法。这些误差因素是:大尺寸的法拉第室引入的噪声,磁光材料的费尔德常数的温度系数,塞曼效应的混入、朗谬尔效应等。     

α—LiIO3准一维离子电导空间电荷沉积线的直观显示

为了研究α-LiIO₃在直流电场作用下,离子输运与其光学、电学性质的关系,我们设计并完成了电荷沉积线的静电染色显示和针状电极作用下电荷沉积线的生长与分布情况的光学观测实验。直接显示出间隙Li⁺和Li空位都存在各自的沉积线,证实了我们以前报道的光栅亮线是带电荷的实体;整个生长层为富集Li⁺区;直观地证实了α-LiIO₃离子管道输运与电荷沉积是完全一致的和α-LiIO₃的准一维电导特性。 关键词：     

离子交换色谱法分离测定磷霉素的研究

分别采用全多孔型硅胶基键合强阴离子交换柱与氨丙基键合硅胶柱,在低波长 ２００ ｎｍ 处检测,分离测定了磷霉素 探讨了流动相条件,如ｐ Ｈ 值、离子强度等对磷霉素保留及分离选择性的影响,优化分离条件,建立了一种测定磷霉素的高效液相色谱新方法方法简便、快速     

非交换陈特征的一个注记

此注记利用Moscovici的一个想法和热核渐近展开技术,给出了Clifford模 上Dirac算子的整循环陈特征的一个计算公式.