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61.
随着兰州重离子加速器冷却储存环(HIRFL-CSR)外靶实验终端中子墙的建立, 为实验测量高能中子提供了机遇. 为确定CSR外靶实验终端对中子流测量的可行性, 基于BUU理论模型分别对对称系统(Ni+Ni, Pb+Pb)和非对称系统(Pb+Ni)进行了模拟计算, 发现当系统能量达到几百MeV/u时, 中子流信号相当明显, 并与碰撞参数有明显的依赖关系. 模拟结果表明, 在前角20°的覆盖范围内, 可以较好地实现中子流测量所需要的反应平面确定及碰撞参数选择. 对双击事件及其对中子流的影响进行了简单的讨论. 相似文献
62.
An economical magnetocardiogram (MCG) system is built in our laboratory. It mainly consists of a MCG data acquisition stage equipped with two high-To superconducting quantum interference device (SQUID) magnetometers, a data processing stage with digital filtering and a one-layer μ-metal magnetically shielded room in conjunction with a high-Tc SQUID based active compensation. Experimental results show that a noise level of pico-tesla in MCG profiles, which is necessary for clinical applications, may be achieved with the system. Moreover, stable and convenient operations of the system are demonstrated with simulating MCG measurements. 相似文献
63.
Electroluminescence of a Multi-Layered Organic Light-Emitting Diode Utilizing Trans-4-[p-[N-methyl-N-(hydroxymethyl)amino]styryl]-N-Methylphridinium Tetraphenylborate as the Active Layer 下载免费PDF全文
Employing an organic dye salt of trans-4-[p-[N-methyl-N-(hydroxymethyl)amino]styryl]-N-methylphridinium tetra\-phenylborate (ASPT) as the active layer, 8-hydrocyquinoline aluminium (Alq3) as the electron transporting layer and N,N’-diphenyl-N,N’-bis(3-methylphenyl)-[1,1’-biphenyl]-4,4’-diamine (TPD) as the hole transporting layer, respectively, we fabricate a multi-layered organic light-emitting diode and observe the colour tunable electroluminescence (EL). The dependence of the EL spectra on the applied voltage is investigated in detail, and the recombination mechanism is discussed by considering the variation of the hole-electron recombination region. 相似文献
64.
箱覆盖问题是NP困难问题中的经典问题,得到了广泛地研究,九十年代以来,半定松驰策略被用来求解组合优化问题,取得了很好的结果[13],本文首次给箱覆盖问题的半定松驰算法,算法的理论分析结果表明它适合于求解大规模的箱覆盖问题。 相似文献
65.
66.
DaXinSHI YaQingFENG ShunHeZHONG 《中国化学快报》2005,16(5):685-687
Photoinduced synthesis of CO2 and CH4 was investigated using a batch reaction system on several photoactive materials supported on silicon dioxide. Single semiconductor showed higher selectivity to C1 compounds. The production of C2-C3 oxygenates took place preferentially on composite semiconductor photocatalysts. In particular, it was found that acetone was the primary product over Cu/CdS-TiO2/SiO2. 相似文献
67.
由于痕量元素在煤中的含量低微、检测困难,加之其原子量一般较大,可能的反应途径多,使得相关的反应机理研究难度极大。本文结合作者的研究成果,介绍了煤燃烧过程中痕量元素化学反应动力学的国内外研究进展,包括痕量元素化学动力学机理的建立;相关的典型实验、计算模拟及其实验验证、动力学机理模型的简化;痕量元素反应动力学机理的完善和发展,包括采用简单碰撞理论、活化络合物理论(亦称过渡态理论,或绝对反应速率理论)对痕量元素化学反应动力学机理的修正;最后指出煤燃烧过程中痕量元素动力学研究的若干方向是: (1)痕量元素反应动力学模型数据库的建立;(2)煤燃烧过程中,主量元素和次量元素的动力学机理的完善; (3)各痕量元素之间动力学研究的开展; (4)实际燃烧过程中痕量元素动力学行为的研究。 相似文献
68.
HL-2A tokamak, the first tokamak with divertor in China, has been constructed and put into operation in 2002. The main parameters are R=1.65 m, a=0.4 m, BT=2.8 T, Ip = 0. 48 MA. The divertor of HL-2A is unique, because it is characterized with a large closed divertor chamber. The device has double divertor chamber, but now it is operating with lower single null configuration to study the physics of divertor for the next step design of a divertor. Supersonic molecular beam injection (SMBI) system with LN2 cooling trap was first installed and demonstrated on the HL-2A tokamak in 2004. The first results of SMBI into HL-2A plasma are to demonstrate the function of the HL-2A divertor and to observe the cold pulse propagation during multi-pulse SMBI on HL-2A Tokamak. 相似文献
69.
70.
Multiple-State Storage Capability of Stacked Chalcogenide Films (Si16Sb33Te51/Si4Sb45Te51/Si11Sb39Te50) for Phase Change Memory 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
The multiple-state storage capability of phase change memory (PCM) is confirmed by using stacked chalcogenide films as the storage medium. The current-voltage characteristics and the resistance-current characteristics of the PCM clearly indicate that four states can be stored in this stacked film structure. Qualitative analysis indicates that the multiple-state storage capability of this stacked film structure is due to successive crystallizations in different Si-Sb-Te layers triggered by different amplitude currents. 相似文献