铌酸钡钠晶体缺陷的浸蚀法研究

本文用化学浸蚀法显示了Czochralski法生长的BNN晶体中的铁电畴、生长条纹和位错,建立了浸蚀图象与晶体缺陷之间的对应关系.原生晶体中的铁电畴结构由宽度约1微米的交锁带纹状反向铁电畴组成.生长条纹、位错及包裹物等缺陷诱发了特征形态的铁电畴,其中位错诱发的铁电畴较难通过单畴化完全去除.籽晶中位错的延伸、肩部表面沟漕的热应变、包裹物的挤压,以及在过饱和点缺陷作用下螺型位错变为蜷线位错的攀移增殖,是晶体中位错的主要来源.     

JAHN-TELLER EFFECT AND SUPERCONDUCTING MECHANISM OF THE HOLE-DOPED C60 SOLID

A possible superconducting mechanism of the hole-doped C₆₀ solid is discussed. Under the assumption that the superconductivity results from the strong coupling between electrons at Fermi surface and intramolecular vibrations, a simple expression for the electron-phonon coupling parameter λ is derived. The related transition temperature is estimated and can be much greater than that of the alkali-metal-doped C₆₀ solid.     

P14原子簇的理论研究

以Ｐ_２、Ｐ_４（Ｔｄ）、Ｐ_８（Ｃ_（２ｖ））及Ｐ_（１０）（Ｃ_（２ｖ））为结构单元设计了Ｐ_２＋Ｐ_４（Ｔ_ｄ）＋Ｐ_８（Ｃ_（２ｖ））→Ｐ_（１４）（Ｃ_ｓ）（Ａ）、Ｐｓ（Ｃ_（２ｖ）＋３Ｐ_２→Ｐ_（１４）（Ｃ_（２ｖ））（Ｉ）（Ｂ）、Ｐ_（１０）（Ｃ_（２ｖ）＋２Ｐ_２→Ｐ１４（Ｃ_（２ｖ））（Ⅱ）（Ｃ），利用从头算Ｇａｕｓｓｉａｎ－９４程序，选择６－３１Ｇ基组，对４种结构单元及Ｐ_（１４）原子簇的３种几何构型Ｃｓ、Ｃ_（２ｖ）（Ⅰ）、Ｃ_（２ｖ）（Ⅱ）进行全优化。相对能量的计算结果表明，Ｐ_（１４）（Ｃ_ｓ）与Ｐ_（１４）（Ｃ_（２ｖ））（Ⅰ）构型稳定。进一步设计（７／２）Ｐ_４（Ｔ_ｄ）→Ｐ_（１４）（Ｄ）及７Ｐ_２→Ｐ_（１４）（Ｅ），其相对能量表明，Ｐ_（１４）（Ｃ_ｓ）构型是稳定的．磷与磷连结单键键长范围为０．２２０～０．２２８ｎｍ，双键键长范围为０．２００～０．２０２ｎｍ，与实验结果大体相当。     

HT20—40铸铁中碳的光电光谱分析

本文主要论述HT20-40铸铁中碳的光电光谱分析。由于薄片样急冷快,白口化好,这样解决了铸铁样品难以白口化的问题。为了加工薄片样,设计了磁钢磨具。解决了加工薄片样非常困难的问题。实践证明,只要严格控制铸铁样分析条件,碳的光电光谱分析结果完全达到了要求。     

无次级通道建模有源噪声控制算法的实验研究

以管道中有源噪声控制为实验平台,基于ADSP21161N数字信号处理评估板实现了本文作者早先提出的不需要次级通道建模的基于LMS方法的四方向搜索型有源控制算法,并给出了该算法在实际应用中收敛系数的选取原则。针对单频和多频噪声的实验结果表明,前人两方向搜索型有源控制算法在大部分频率上都能收敛,但在次级通道相位为±90°的频率不能收敛,而本文作者所提出的四方向变收敛系数搜索型算法,在所有频率都能快速收敛。     

热等静压对NbTi/Cu多芯超导线加工过程的影响

采用传统方法生产的NbTi/Cu多芯超导线在生产芯数较多的超导线时存在填充系数较大的问题,这直接影响了芯丝的整齐排布,所以组装完成后加入热等静压过程.研究了经过热等静压和未经过热等静压的NbTi/Cu多芯超导线的加工性能.经过试验证明,经过100～150MP,2小时热等静压处理的NbTi/Cu多芯超导线坯锭在加工过程中具有良好的加工性能,提高了超导线复合坯锭的成品率;而未经过热等静压处理的NbTi/Cu多芯超导线坯锭加工性能较差,坯锭内部缺陷较多.     

氢气流量对混合物理化学气相沉积法制备MgB_2超薄膜的影响

用混合物理化学气相沉积法(Hybrid physical-chemical vapor deposition简称为HPCVD)制备了MgB2超薄膜.在背景气体压强、B2H6的流量和成膜时间等条件一定的情况下,当氢气的流量从200到400sccm范围内变化时,观察了其对成膜的影响.结果显示,随氢气流量增大,膜表面粗糙度增大,同时膜面的连接性变好,伴随着样品的超导转变温度得到提高.对于平均厚度是10nm和15nm的样品,氢气流量分别是200sccm和300sccm时,Tc分别是26K和33K与28K和37K.     

求解(H^)=5/3(a^)+(a^)+2/3((a^)2+(a^)+2)量子系统能谱新方法

通过对形如(H^)=5/3(a^)+(a^)+2/3((a^)2+(a^)+2)哈密顿量的分析、还原和改造,给出求解该量子系统量子化能谱的两种新方法.     

Mg掺杂ZnO纳米晶的低温共沉淀法制备及光学性质

采用共沉淀(co-precipitation)法制备了Mg掺杂ZnO纳米晶,分别用X射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、紫外可见吸收(UV-Vis)光谱、光致发光(PL)光谱、透射电镜(TEM)、电子顺磁共振(EPR)等分析手段对样品进行了表征。探究了Mg离子在ZnO纳米晶中的存在状态,ZnO纳米晶颗粒尺寸和发射光谱随Mg掺杂浓度的变化,并对其发光机理进行了分析。结果表明:Mg离子在ZnO晶格中以部分晶格位,部分间隙位的方式存在,没有形成MgO表面壳层结构;随Mg掺杂浓度的增大,ZnO纳米晶的颗粒尺寸变小,发射光的光强增大。发射光的最佳激发波长为342nm,中心波长为500nm,荧光量子产率为22.8%。实验分析表明:Mg离子的掺杂在ZnO纳米晶中引入了锌空位(VZn),间隙位的镁离子(IMg),提供了新的复合中心,从而增强了ZnO纳米晶的光致发光。     

OCT图像法测量折射率

基于光程匹配原理提出了一种用光学相干断层成像(OCT)系统获得的图像测量样品折射率的方法。通过分析光程匹配原理,给出用OCT图像法测量样品折射率的原理及过程。以玻璃载波片和黄瓜组织为样品进行实验。实验结果表明,用OCT图像法获得的载玻片和黄瓜组织的折射率测量值分别为1.499和1.353,与发表或已知的折射率结果相吻合,测试结果的随机误差可小于0.01。另外,使用OCT图像法通过短时间所采集的两幅图像可对横向扫描任意位置的折射率同时进行测量。该方法进一步简化了基于光程匹配原理的折射率测量法的过程,缩短了测量时间,是一种快速测量样品折射率的实用方法。