强激光辐照非均匀等离子体引起临界点密度变陡

本文在临界密度区域内激光场趋于零的假设下,系统地研究了由强激光辐照非均匀等离子体引起临界密度变陡的现象,给出了较为精确、完备的描述等离子体密度结构的各种参数和等离子体密度的坪台结构。     

HL-1装置石墨孔栏杂质收集探针的俄歇电子能谱及孔栏表面分析

在HL-1装置的输样机构上安放了硅收集探针。经过55次高功率托卡马克放电辐照后,对于因石墨孔栏被腐蚀而溅射蒸发,并沉积在硅收集探针上的杂质涂层进行了俄歇电子能谱(AES)分析,获得无主动冷却石墨孔栏被腐蚀而溅射蒸发出来的碳杂质流通量约为8×10~(13)cm~(-2)·S~(-1),金属重杂质镍和铬较GH39高镍钢孔栏时降低44％左右。     

HL-1装置脱离等离子体及边界等离子体杂质辐射的观测

首次用三道光纤探测器,伸入HL-1装置内真空室,采集活动石墨孔栏处等离子体光信号,用22m石英长光纤传输光信号至控制室进行观测。通过边界等离子体H_α和杂质辐射的时空分布,初步探讨了HL-1装置的脱离等离子体。     

Ba-Y-Cu-O的超导临界温度随压力变化的理论解释

采用Anderson晶格哈密顿量,根据文献[6]提出的非电-声子超导机制理论,解释了Ba-Y-Cu-O的超导临界温度随压力的变化。 关键词：     

蓝色氧化钨吸附丙烯和氧的热脱附谱

在超高真空条件下,用对样品进行闪烁加热的方法测定了蓝色氧化钨WO_2.90吸附丙烯和氧的热脱附谱。发现在室温下,丙烯在蓝色氧化钨表面只有一个吸附态,对应于热脱附谱中在100℃附近出现一个脱附峰。实验测定的热脱附参数为n=1(一级脱附),脱附活化能E_D=10.1kcal/mol。温度升高,丙烯在蓝色氧化钨表面形成稳定吸附态的几率减小。在125℃以上,不能形成稳定的吸附态,蓝色氧化钨在室温下对氧的吸附并不明显,温度升高到300℃以上,WO_2.90 关键词：     

Fe-Co-Ni衬底上准定向ZnO亚微米杆的制备及其光学性质

以Fe-Co-Ni合金为衬底,硝酸锌(Zn(NO_3)_2·6H_2O)和氨水(NH_2·H_2O)为原料,采用水热法生长出准定向的ZnO亚微米杆阵列.运用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)及室温光致发光谱(PL)研究了ZnO样品的结构、形貌和光学性质.在合适温度(85℃)下长出的ZnO亚微米杆直径较均匀,定向性较好,具有良好的紫外发光特性;在较高的生长温度(100℃)下得到的ZnO样品是分叉杆簇团.Ni衬底上的生长实验获得了类似于Fe-Co-Ni衬底上的准定向ZnO亚微米阵列.     

α—LiIO3准一维离子电导空间电荷沉积线的直观显示

为了研究α-LiIO₃在直流电场作用下,离子输运与其光学、电学性质的关系,我们设计并完成了电荷沉积线的静电染色显示和针状电极作用下电荷沉积线的生长与分布情况的光学观测实验。直接显示出间隙Li⁺和Li空位都存在各自的沉积线,证实了我们以前报道的光栅亮线是带电荷的实体;整个生长层为富集Li⁺区;直观地证实了α-LiIO₃离子管道输运与电荷沉积是完全一致的和α-LiIO₃的准一维电导特性。 关键词：     

环形激光弱磁传感器误差分析

本文从理论上分析了环形激光弱磁传感器主要误差因素并提出了若干克服这些因素的方法。这些误差因素是:大尺寸的法拉第室引入的噪声,磁光材料的费尔德常数的温度系数,塞曼效应的混入、朗谬尔效应等。     

准一维体系的电子关联函数

对于具有库仑相互作用的准一维电子体系,本文根据电子气的集体振荡行为给出了该体系的多体波函数,并由此求出了准一维体系的电子关联函数g(|z₁₂|)。 关键词：     

准连续主动锁模调QNd:YLF振荡器

顺利建成了用于磷酸盐钕玻璃激光核聚变系统的准连续主动锁模调Q Nd:YLF振荡器。报道了其稳定性、可靠性和高信噪比的特性。