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131.
We report the effects of post-thermal treatment on the quality of 2-inch 6H-SiC wafer cut from a crystal boule grown by physical vapour transportation method. The full widths at half maximum of x-ray diffraction rocking curves measured on sites across the 2-inch wafer become narrower, indicating the quality improvement after a three-step post-thermal treatment. It is found that the most common defects such as micropipes and inclusions can be significantly reduced after the treatment. Our results show that the post-thermal treatment is an effective route to improve the quality of SiC single crystals.  相似文献   
132.
本文报道在国内首次采用离子束铣技术研制自集成透镜InGaAsP/InP DH LED的实验结果。采用烘烤正性光致抗蚀剂来形成球状掩膜适合于离子束铣,且重复性很好。为了获得光洁的刻蚀表面,刻蚀条件均已最优化。  相似文献   
133.
以二维复式晶格作为有限系统的集团模型,在紧束缚近似下,计算了π电子在最近邻及次近邻跳跃集团的态密度.讨论了不同结构参数对态密度及带宽的影响.  相似文献   
134.
In the title complex, [Mn(SO4)(C3H7NO)(H2O)2]n, each MnII ion has a distorted octahedral geometry formed by three O atoms of three different sulfate groups, one O atom of a dimethylformamide ligand and two water molecules. The sulfate groups act as tridentate bridging ligands connecting the MnII ions into a two‐dimensional layer structure which can be regraded as a 4.82 network.  相似文献   
135.
本文研究低通量慢中子对Bi系超导体的辐照效应。实验结果表明:(1)Bi系超导体在适量慢中子辐照后,临界电流密度Jc和零电阻温度Tc0都有不同程度提高;(2)低通量慢中子和高通量快中子对Bi系超导体具有相似的辐照效应。 关键词:  相似文献   
136.
137.
彭德全  白新德  潘峰  孙辉 《物理学报》2005,54(12):5914-5919
用金属蒸汽真空弧源,以40kV加速电压对纯锆样品分别进行了1016—1017/cm2的钇、镧离子注入,注入温度约为130℃.然后对注入样品进行表面分析.x射线光电子能谱分析表明,注入的钇以Y2O3形式存在,镧以La2O3形式存在.俄歇电子能谱表明,纯锆基体表面的氧化膜厚度随着离子注入剂量的增加而增加,当离子注入剂量达到1017/cm2时,氧化膜的厚度达到了最大值.卢瑟福背散射显示镧层的厚度约为30nm,同时直接观察到当离子注入剂量为(La+Y)1017/cm2时,纯锆样品表面发生了严重的溅射. 关键词: 纯锆 钇和镧离子共注入 卢瑟福背散射 x射线光电子能谱  相似文献   
138.
Organic nonlinear optics (NLO) is also called mo-lecular nonlinear optics. In recent years organic mate-rials have been intensively studied because of their large NLO coefficients and structural diversities[1―3]. Second harmonic generation (SHG) is a bas…  相似文献   
139.
本文研究了一类中立型时滞差分方程的振动性和正解存在性,获得了该方程所有解振动的“Sharp”条件及存在正解的一个充分条件.  相似文献   
140.
p-τ值对COIL的影响的实验研究   总被引:8,自引:8,他引:0       下载免费PDF全文
 实验研究了单重态氧发生器(SOG)的p-τ值,即初始氯气分压与停留时间的乘积,对化学氧碘激光器(COIL)的影响,并分析了诸多实验因素对SOG的p-τ值的影响。对于提高COIL的化学效率具有很重要的实际意义。  相似文献   
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