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Ohne Zusammenfassung  相似文献   
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Porous silicon (PS) exhibits several photoluminescence (PL) bands, whose spectral position and intensity depend strongly on the actual conditions of preparation of PS, its treatment, and subsequent use. The PS PL band peaking at about 1.8 eV and usually assigned to the intrinsic emission of silicon nanocrystals was studied. It was shown that the temperature-induced variation of the PL kinetics in the 80 to 300-K interval follows a complex pattern and depends noticeably on the actual point on the band profile. The temperature behavior of PL decay in the 1.8-eV band is determined by the electron-hole recombination rate within a nanocrystal and the cascade carrier transitions from small to large nanocrystals, with an attendant decrease in energy.  相似文献   
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The contribution to electrical resistance due to scattering of charge carriers by domain walls is analyzed. It is revealed that “unusual” domain walls are created by frustrations in ferromagnet-antiferromagnet multilayer magnetic structures. The thickness of an unusual domain wall is substantially less than that of a usual domain wall. It is shown that scattering of charge carriers by unusual domain walls can contribute significantly to the magnetoresistance of ferromagnet-antiferromagnet multilayer magnetic structures. An analysis of the contribution made by the Levy-Zhang mechanism to the magnetoresistance demonstrates that the initial estimate obtained for this contribution is considerably exaggerated.  相似文献   
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