Die Bestimmung von Halbleiterparametern in Ge-PIN-Detektoren mit der Elektronensonde

Summary In this paper we report the use of the scanning electron beam technique for a measurement of the ambipolar diffusion length, the surface recombination velocity and the electric field distribution in Ge-Li-PIN-Diodes. A simple relation between the diffusion length and the photovoltage induced by the electron beam is derived. The diffusion length as a function of temperature shows a strong increase with decreasing temperature. This fact limits our method to temperatures above –80°C. A measurement of the electric field distribution is demonstrated for the case of double injection in PIN-Diodes with an extended intrinsiczone. The conductivity modulation caused by the electron beam, at constant current in forward direction, results in a change in the terminal voltage which is proportional to the square of the electric field strength at the injection point.     

Non-linear pressure dependence of phonon frequencies in RbI

The frequencies of a representative sample of phonons with negative Grueneisen parameters, in RbI, were measured at several pressures up to, and slightly above, the thermodynamic equilibrium pressure between the NaCl and CsCl structure phases (3.56 kbar). In general the frequency-pressure curves are linear up to about 3 kbar but show a tendency to saturate around 3.5 kbar.     

Vollständige Durchschnitte und Differenten

Ohne Zusammenfassung     

Refinement of saturated-transistor theory

Zusammenfassung Die vorliegende Arbeit befasst sich mit drei verschiedenen Eigenschaften des übersteuerten Transistors.In Kapitel A wird die üblicherweise verwendete Theorie vonMoll für die Berechnung der Sättigungsspannung auf den Bereich grösserer Ströme erweitert, indem zwei Effekte berücksichtigt werden, die für grössere Stromdichten typisch sind: das Feld, das sich in der Basis aufbaut sowie die (transversale) Stromverdrängung.Kapitel B behandelt den Stromfluss im übersteuerten Transistor. Es wird gezeigt, dass der Hauptteil des Basisstromes durch die Kollektor-Basis-Diode fliesst.In Kapitel C geht es um die Berechnung der Speicherzeit. Ein Sonderfall in dieser Hinsicht ist ein Transistor, der durch einen niederohmigen Generator ausgeschaltet wird, weil dann die Basisspannung, aber nicht der für die Berechnung der Speicherzeit benötigte Basisstrom bekannt ist.     

Über die Konstruktion von Fundamentalbereichen

Ohne Zusammenfassung