首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   76914篇
  免费   15880篇
  国内免费   5924篇
化学   68959篇
晶体学   734篇
力学   3309篇
综合类   378篇
数学   6819篇
物理学   18519篇
  2024年   119篇
  2023年   919篇
  2022年   1234篇
  2021年   1633篇
  2020年   2838篇
  2019年   4015篇
  2018年   2352篇
  2017年   1894篇
  2016年   5145篇
  2015年   5194篇
  2014年   5548篇
  2013年   6890篇
  2012年   6673篇
  2011年   5917篇
  2010年   5230篇
  2009年   5104篇
  2008年   4861篇
  2007年   4163篇
  2006年   3619篇
  2005年   3446篇
  2004年   2746篇
  2003年   2450篇
  2002年   3094篇
  2001年   2240篇
  2000年   2107篇
  1999年   1394篇
  1998年   931篇
  1997年   910篇
  1996年   961篇
  1995年   770篇
  1994年   679篇
  1993年   579篇
  1992年   518篇
  1991年   452篇
  1990年   406篇
  1989年   308篇
  1988年   230篇
  1987年   189篇
  1986年   180篇
  1985年   173篇
  1984年   119篇
  1983年   90篇
  1982年   68篇
  1981年   55篇
  1980年   30篇
  1979年   20篇
  1977年   27篇
  1976年   20篇
  1975年   28篇
  1974年   27篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
二氧化钒薄膜的低温制备及其性能研究   总被引:12,自引:0,他引:12       下载免费PDF全文
针对VO2薄膜在微测辐射热计上的应用,采用射频反应溅射法,在室温下制备氧化钒薄膜;研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压,先获得成分接近VO2的非晶化薄膜,再在400℃空气中氧化退火,便可制得高电阻温度系数,低电阻率的VO2薄膜,电阻温度系数约为-4%/℃,薄膜方块电阻为R为100—300kΩ;薄膜在室温下沉积,400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanic 关键词: 二氧化钒 电阻温度系数 氧分压 射频反应溅射法  相似文献   
102.
何琼毅  王铁军  高锦岳 《中国物理》2006,15(8):1798-1805
A simple three-level system is proposed to produce high index of refraction with zero absorption in an Er^3+-doped yttrium aluminium garnet (YAG) crystal, which is achieved for a probe field between the excited state 4I13/2 and ground state 4I15/2 by adjusting a strong coherent driving field between the upper excited state 4I11/2 and 4I15/2. It is found that the changes of the frequency of the coherent driving field and the concentration of Er^3+ ions in the YAG crystal can maximize the index of refraction accompanied by vanishing absorption. This result could be useful for the dispersion compensation in fibre communication, laser particle acceleration, high precision magnetometry and so on.  相似文献   
103.
104.
Polycrystalline Pb(Zr0.55Ti0.45)O3 thin film was deposited on Pt/Ti/SiO2/Si(1 0 0) by radio-frequency-magnetron sputtering method, and the writing of charge bits on the surface of PZT thin film was studied by Kelvin probe force microscopy. It is found that the surface potential of the negative charge bits are higher than those of the corresponding positive ones. When ferroelectric polarization switching occurs, the potential difference becomes even more remarkable. A qualitative model was proposed to explain the origin of the asymmetric charge writing. It is demonstrated that the internal field in the interface layer, which is near the ferroelectric/electrode interface in ferroelectric film, is likely to be the cause for the occurrence of this phenomenon.  相似文献   
105.
黄先开 《应用数学》1991,4(3):30-35
本文在跨共振点条件下证明n维Lienard型方程存在2π周期解.  相似文献   
106.
5‐Amino‐4‐methyl‐2‐phenyl‐6‐substitutedfuro[2,3‐d]pyrimidines ( 2a‐c ) were reacted with 2,5‐dimethoxytetrahydrfuran to afford the pyrrolyl derivatives 3a‐c . Compound 3a was chosen as intermediate for the synthesis of poly fused heterocycles incorporated furopyrimidines moiety 4–11 . Some of the synthesized compounds were screened for their antibacterial and antifungal activities.  相似文献   
107.
This paper reports that the growth of RuOx(110) thin layer growth on Ru(0001) has been investigated by means of scanning tunnelling microscope (STM). The STM images showed a domain structure with three rotational domains of RuOx(110) rotated by an angle of 120℃. The as-grown RuOx(110) thin layer is expanded from the bulk-truncated RuOx(110) due to the large mismatch between RuOx(110) and the Ru(0001) substrate. The results also indicate that growth of RuOx(110) thin layer on the Ru(0001) substrate by oxidation tends first to formation of the Ru-O (oxygen) chains in the [001] direction of RuOx(110).  相似文献   
108.
何丽  胡其图  张小灵 《物理与工程》2006,16(6):32-34,44
本文介绍了上海交通大学大学物理课程网络辅助教学系统的设计思想、整体结构和主要的功能模块,概述了运用网络辅助教学系统实施“课堂教学+网络辅助教学”:这种教学模式的应用情况.  相似文献   
109.
张赫  王琳  何多慧 《中国物理 C》2006,30(Z1):138-140
介绍了一组合肥光源新高亮度模式的Lattice. 新的设计维持了储存环上所有元件和光束线位置不变,也没有加入新的元件. 取得了较低发射度. 所有直线节处的垂直方向β函数值都很小,适合插入件的运行. 跟踪计算表明新Lattice具有足够大的动力学孔径用于注入和储存粒子.  相似文献   
110.
关于四元数矩阵乘积迹的不等式   总被引:1,自引:0,他引:1  
设 H~(m×n)为 m×n 四元数矩阵的集合,σ_1(A)≥…≥σ_n(A)为 A∈H~(mxn)的奇异值。本文证明了:1)设 A∈H~(mxm),B∈H~(mxm),r=min(m,m),则|tr(4B)|≤c r σ_i(A)σ_i(B).2)设 A_i∈H~(mxm),i=1,2,…,n,(A_1A_2…A_n)k为 A_1A_2…A_n 的任一个 k 阶主子阵,则|tr(A_1.A_2…A_n)_k|≤sun form i=1 to k σ_i(A_1)…σ_i(A_n).我们还得到四元数矩阵迹的其它一些不等式。这些结果推广和改进了文[1],[2]中的结果,进一步解决了 Bellman 猜想。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号