领结形中空表面等离子体波导的传输特性

设计了一种领结形中空表面等离子体波导.采用频域有限差分法,对这种波导所支持的基模的能流密度分布、有效折射率、传播长度和模式面积随几何结构参数和工作波长的依赖关系进行了分析.结果表明,沿纵向的能流主要分布在两个上下突起所形成的中间区域.通过调整几何参数及工作波长,可以调节模式的有效折射率、传播长度和模式面积.在工作波长确定的条件下,有效折射率随突起半径的增大呈减小趋势,而传播长度和模式面积则随着突起半径的增大呈增大趋势,四个角上的圆弧半径对波导的传输特性有微调作用,左右扇形区域的半径对波导的传输特性有较明显 关键词： 集成光学 光波导 表面等离子体波导     

Effects of the strain relaxation of an AlGaN barrier layer induced by various cap layers on the transport properties in AlGaN/GaN heterostructures

The strain relaxation of an AlGaN barrier layer may be influenced by a thin cap layer above, and affects the transport properties of AlGaN/GaN heterostructures. Compared with the slight strain relaxation found in AlGaN barrier layer without cap layer, it is found that a thin cap layer can induce considerable changes of strain state in the AlGaN barrier layer. The degree of relaxation of the AlGaN layer significantly influences the transport properties of the two-dimensional electron gas (2DEG) in AlGaN/GaN heterostructures. It is observed that electron mobility decreases with the increasing degree of relaxation of the AlGaN barrier, which is believed to be the main cause of the deterioration of crystalline quality and morphology on the AlGaN/GaN interface. On the other hand, both GaN and AlN cap layers lead to a decrease in 2DEG density. The reduction of 2DEG caused by the GaN cap layer may be attributed to the additional negative polarization charges formed at the interface between GaN and AlGaN, while the reduction of the piezoelectric effect in the AlGaN layer results in the decrease of 2DEG density in the case of AlN cap layer.     

电化学沉积金属铜的分形枝晶生长控制与性能

 以CuSO_{4/sub>为前驱体,HCl为添加剂,采用电化学沉积方法,在室温条件下制得了μm级、面心立方结构分形铜的枝状晶体,研究了铜离子浓度、硫酸浓度、电流密度、沉积时间、氯离子浓度等实验参数对分形枝状铜晶体尺寸、结构的影响。结果表明：硫酸的浓度对铜沉积物结构无明显影响;随着Cu^{2+/sup>浓度的不断增大,铜沉积物的分形效果越来越明显;增大电流密度（0.4～1.6 A·cm-2/sup>）,铜沉积物由致密向多分枝的开放型转变;延长沉积时间（大于等于5 min）,可获得含大量次级分枝铜的晶体;适当增加盐酸用量（0.05～0.20 mol/L）,铜沉积物枝晶尺寸显著减小。最后讨论了分形枝晶铜在碱性条件下氧化甲醇的电化学性能。}}     

Cr4+:YAG被动调Q激光器输出特性

采用理论与实验相结合的方法研究了激光二极管阵列泵浦的Cr4+:YAG被动调Q Nd:YAG激光器的输出特性.重点分析了调Q晶体小信号透过率和反射镜的反射率对激光器的输出能量、脉冲宽度的影响.对数值模拟结果进行了实验验证,数值计算与实验结果基本一致.研究结果表明,在特定的激光晶体参数下,Cr4+:YAG被动调Q激光器的输出能量与脉冲宽度由调Q晶体的小信号透过率和输出镜的反射率决定:输出能量随着小信号透过率增加而减小,对应于一个调Q晶体透过率,有一个最佳反射率使输出能量最大;脉冲宽度随着初始透过率与反射率的增大而增大.     

中性及其带电Cun(n=2-12)团簇体系的第一性原理计算研究

结合半经验原子间势及遗传算法,采用密度泛函理论,系统计算研究了Cun(n=2-12)及Cun±(n=2-12)的基态与低激发态的几何结构与电子结构.结果表明：对中性团簇在n=3-6时基态为平面结构,而对于带电体系n=3-5时基态为低维结构,其中平面结构都以三角形为基本单元;对含更多原子的立体结构,基态主要以五角双锥为基本结构单元,传统的高对称性结构在小铜团簇基态中不占优势;计算所得Cun(n=2-12)中性体系结合能与实验结果完全一致,而结合带电体系计算所得团簇电离能与亲和势也与实验相符合;团簇电子结构的相关曲线（电离能、亲和势、二阶差分能）均呈现明显的奇偶振荡现象,这与含偶数电子Cu团簇的相对高稳定性密切相关。     

LD端面抽运c切Nd:YVO4自拉曼倍频589 nm黄光激光研究

报道了LD端面抽运c切Nd:YVO₄自拉曼倍频黄光激光器的研究. 采用10 mm长,二类临界相位匹配角 (θ=69°,ø=0°)切割的KTP晶体作为倍频晶体. 考虑到c切Nd:YVO₄跃迁截面较小,所以通过对谐振腔及晶体膜系的严格设计,减少腔内插入损耗和衍射损耗. 最终在脉冲重复率为10 kHz,抽运功率为11.2 W下,获得了最高570 mW的倍频黄光激光输出,对应抽运光到倍频黄光的转化效率约为 关键词： 拉曼激光 c切Nd:YVO₄')" href="#">c切Nd:YVO₄ 589 nm 黄光激光     

结构参量对左手材料通带位置影响的研究

基于金属短板对和连续金属线(short-slab pair and continuous wires)复合结构,从理论上系统地研究了在THz波段结构参量对左手材料通带位置的影响.数值模拟结果表明,改变金属板宽度或厚度、连续金属线的长度或厚度都会引起左手材料通带位置向较高频段偏移. 关键词： 负折射 左手材料 结构参量 通带     

LD-end-pumped 60 pm linewidth Tm:YLF laser

Narrow linewidth continuous-wave Tm:YLF laser at room temperature with a Volume Bragg grating and double Fabry-Perot etalons by using the end-pumping configuration was presented. The Tm:YLF laser operates at 1907.3 nm with FWHM of approximately 60 pm. We achieved the maximum output power of 1.92 W when the incident pump power of 13.9 W, corresponding to the optical-to-optical conversion efficiency of 13.8% and slope efficiency of 16.4%.     

基于相变原理模拟红色顶发射有机电致发光器件的出光性能

研究了有机发光器件(organic light emitting diodes, 简记为OLED)半透明电极上形成的反射相移对OLED光谱产生调制现象.以红色微腔结构顶发射OLED(top emitting OLED,TOLED)为例,基于微腔理论和传输矩阵理论建立物理模型,采用计算机数值模拟方法,得出结果表明器件发光光谱的调制作用不只局限于有机层厚度,也和反射相移有关.通过改变覆盖到顶电极表面的有机层厚度的简单方法,可以实现对顶电极反射相移的调节,从而改变TOLED光学性能.这一结果为进一步改善器件的性 关键词： 反射相移模拟 红色微腔 顶发射有机发光     

霍尔推进器中磁化二次电子对鞘层特性的影响

为进一步研究霍尔推进器壁面二次电子发射对推进器性能的影响,采用流体模型数值模拟了二次电子磁化效应的等离子体鞘层特性.得到二次电子磁化鞘层的玻姆判据.讨论了不同的磁场强度和方向、二次电子发射系数以及不同种类等离子体推进器的鞘层结构.结果表明:随器壁二次电子发射系数的增大,鞘层中粒子密度增加,器壁电势升高,鞘层厚度减小;鞘层电势及粒子密度随着磁场强度和方位角的增加而增加;而对于不同种类的等离子体,壁面电势和鞘层厚度也不同.这为霍尔推进器的磁安特性实验提供了理论解释. 关键词： 霍尔推进器 磁鞘 二次电子