全文获取类型
收费全文 | 90501篇 |
免费 | 17151篇 |
国内免费 | 8210篇 |
专业分类
化学 | 77485篇 |
晶体学 | 1041篇 |
力学 | 3975篇 |
综合类 | 455篇 |
数学 | 8188篇 |
物理学 | 24718篇 |
出版年
2024年 | 215篇 |
2023年 | 1138篇 |
2022年 | 2012篇 |
2021年 | 2287篇 |
2020年 | 3353篇 |
2019年 | 4519篇 |
2018年 | 2898篇 |
2017年 | 2448篇 |
2016年 | 5788篇 |
2015年 | 5932篇 |
2014年 | 6402篇 |
2013年 | 7874篇 |
2012年 | 7687篇 |
2011年 | 7017篇 |
2010年 | 6065篇 |
2009年 | 6036篇 |
2008年 | 5830篇 |
2007年 | 4901篇 |
2006年 | 4425篇 |
2005年 | 3994篇 |
2004年 | 3383篇 |
2003年 | 2977篇 |
2002年 | 3670篇 |
2001年 | 2671篇 |
2000年 | 2450篇 |
1999年 | 1573篇 |
1998年 | 1103篇 |
1997年 | 970篇 |
1996年 | 962篇 |
1995年 | 833篇 |
1994年 | 731篇 |
1993年 | 582篇 |
1992年 | 595篇 |
1991年 | 473篇 |
1990年 | 414篇 |
1989年 | 322篇 |
1988年 | 261篇 |
1987年 | 224篇 |
1986年 | 208篇 |
1985年 | 195篇 |
1984年 | 127篇 |
1983年 | 95篇 |
1982年 | 74篇 |
1981年 | 54篇 |
1980年 | 26篇 |
1979年 | 13篇 |
1974年 | 6篇 |
1971年 | 6篇 |
1957年 | 7篇 |
1936年 | 8篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
991.
研究了卤化铅调整Tm3+/Yb3+共掺碲酸盐玻璃的热稳定性能、Raman 光谱和上转 换发光光谱,分析了Tm3+/Yb3+共掺氧卤碲酸盐玻璃的上转换发光 机理.结果发 现:混合卤化铅调整Tm3+/Yb3+共掺碲酸盐玻璃具有好的热稳定性 能、低的声 子能量、强的上转换蓝光.这表明混合卤化铅调整Tm3+/Yb3+共掺碲 酸盐玻璃是一种上转换蓝光激光器的潜在基质材料.
关键词:
氧卤碲酸盐玻璃
上转换光谱
发光机理
上转换蓝光激光器 相似文献
992.
从固体模型理论的结果出发,计算了生长于Si(100)衬底上x值小于085的Si1-xGex合金材料(能带结构为类Si结构)的间接带隙与应变的关系,结 果表明,应变的S iGe材料的带隙和完全弛豫状态下材料的带隙之差与应变呈线性关系.基于这一结果,提出了 用测量带隙来间接测定SiGe/Si应变状态的方法.用带隙法和x射线双晶衍射法测量了不同应 变状态下的SiGe/Si多量子阱材料的应变弛豫度,两者可以较好的符合,表明带隙法测量SiG e应变弛豫度是可行的.
关键词:
SiGe合金
应变
带隙 相似文献
993.
994.
995.
利用一维变周期谐振腔阵列和非线性缓变边界,可以实现光波从脊波导到光子晶体平面波导 (PCW)的高效耦合.基于平面波展开法(PWE)和时域有限差分法(FDTD),深入分析和讨 论了普通脊波导、2D-PCW结构和本征模以及工作模式、缓变边界形状等对耦合效率的影响, 从而得出光波从脊波导到2D-PCW、再返回脊波导的统一图景.指出考虑模式转换和采用缓变 边界条件可以极大提高PCW与脊波导间的耦合效率.对PC-PW边界采用线性和非线性缓变结构 进行了仿真,讨论了边界缓变程度对耦合效率的影响.结果表明,采用模式耦合和PC-PW余弦 缓变边界时的耦合效率在较宽的带宽内超过了95%.
关键词:
光子晶体波导
脊波导
PWE
FDTD
耦合边界 相似文献
996.
强非局域空间光孤子是指满足强非局域条件的空间孤子.在Snyder和Mitchell工作的基础上,获得了不共面对称斜入射(1+2)维强非局域空间光孤子对相互作用问题的精确解析解.结果表明,光束初始中心距离在大范围尺度内变化时,双孤子的演化都能形成类似DNA结构的稳定缠绕,这种稳定缠绕的结构与双孤子的初始相位差无关;光束中心在横截面上的投影轨迹一般是一个斜椭圆,通过改变两光束的初始中心距离和倾斜度可以控制该椭圆轨迹的变化.指出了利用(1+2)维强非局域空间光孤子的相互作用特性实现平面全光开关和全光互联的潜在可能性.
关键词:
(1+2)维非局域非线性介质
空间光孤子的相互作用
全光开关
全光互联 相似文献
997.
测定了亚单层InGaAs/GaAs量子点-量子阱异质结构在5K下的时间分辨光致发光谱.亚单层量 子点的辐射寿命在500 ps 至 800 ps之间,随量子点尺寸的增大而增大,与量子点中激子的 较小的横向限制能以及激子从小量子点向大量子点的隧穿转移有关.光致发光上升时间强烈 依赖于激发强度密度.在弱激发强度密度下,上升时间为 35 ps,纵光学声子发射为主要的 载流子俘获机理.在强激发强度密度下,上升时间随激发强度密度的增加而减小,俄歇过程 为主要的载流子俘获机理.该结果对理解亚单层量子点器件的工作特性非常有用.
关键词:
亚单层
量子点-量子阱
时间分辨光致发光谱 相似文献
998.
通过微量CH3CN(36Pa)与He(660Pa)混合气体交流Penning辉光放电获得CN自由基分子,采用光外差-磁旋转-浓度调制光谱技术,在可见光波段16850~17480cm^-1进行了转动分辨光谱测量,分别标识了CN分子红带A^2Πi-X^2Σ^ (6,1)和(7,2)138条和118条的转动光谱(其余光谱为C2自由基及CN红带(8,3)带光谱)。理论拟合分子常数时考虑电子态间的微扰作用,采用有效哈密顿量矩阵对角化获得了A^2Πi(v=6,7)态更精确的分子常数及电子态A^2Πi(v=7)与X^2Σ^ (v=11)之间的微扰常数ξ,η,总体拟合方差均小于实验误差0.007cm^-1,表明拟合结果是非常精确的。 相似文献
999.
1000.