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By using the theory of cavity QED, we study the system in which a two-level atom interacts with a cavity in the case of large detuning. Through the selective detecting of atomic state, Schrodinger cat states and entangled coherent states are easily generated. When the atom is driven by a weak classical field and the cavity field is in the Schrodinger cat state, we study the conditions of generating the Fock states and the maximal success probability. The maximal success probability in our scheme is larger than the previous one. 相似文献
212.
W. C. Ren B. Liu Z. T. Song X. Z. Jing B. C. Zhang Y. H. Xiang H. B. Xiao J. Xu G. P. Wu R. J. Qi S. Q. Duan Q. Q. Yu S. L. Feng 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》2013,112(4):999-1002
The gap filling of phase change material has become a critical module in the fabrication process of phase change random access memory (PCRAM) as the device continues to scale down to 45 nm and below. However, conventional physical vapor deposition process cannot meet the nanoscale gap fill requirement anymore. In this study, we found that the pulsed deposition followed by inductively coupled plasma etching process showed distinctly better gap filling capability and scalability than single-step deposition process. The gap filling mechanism of the deposit–etch–deposit (DED) process was briefly discussed. The film redeposition during etching step was the key ingredient of gap filling improvement. We achieved void free gap filling of phase change material on the 30 nm via with aspect ratio of 1:1 by two-cycle DED process. The results provided a rather comprehensive insight into the mechanism of DED process and proposed a potential gap filling solution for 45 nm and below technology nodes for PCRAM. 相似文献
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216.
轴流风扇叶片端导叶作用的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文采用数值方法研究了叶片端导叶对轴流风扇性能的影响。通过与普通开式轴流风扇比较,分析了叶片端导叶对内部流动作用的机理.数值计算结果表明:叶片端导叶的安装位置将影响轴流风扇气动效率,安装叶片端导叶不能提高风扇静压升,但是在压力面安装时能有效地减小风扇叶顶泄漏流与主流的掺混损失;在设计流量下,压力面安装叶片端导叶使泄漏涡的作用范围较小,涡核更靠近吸力面;吸力面安装叶片端导叶弱化了泄漏涡的强度但没有减小泄漏涡的作用范围。 相似文献
217.
通过建立具有平面近横向各向异性场的非晶态合金薄带及膜的磁畴结构模型,利用线性化Maxwell方程组及Landau-Lifshitz方程,推出了在高频交变磁场及外加面内轴向直流磁场Hex作用下的铁磁材料的与取向相关的磁导率表达式,得到了对方位角平均的相对磁导率及阻抗的计算式,导出了磁导率与张量磁化率分量间的关系,对材料磁导率的实部及虚部随Hex的变化进行了计算,并给出了对应的磁谱图.建立的磁导率与外磁场的理论关系可将Panina及Kraus给出的理论结果统一起来.
关键词:
非晶态合金薄带及膜
取向相关磁导率
GMI效应理论与计算
近横向各向异性场 相似文献
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219.
220.