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71.
基于液晶光阀的全息照相控光仪   总被引:2,自引:2,他引:0  
何源  邢增海  陈焕杰  余艺  梁海辉  钟铖  张红  谭炎 《物理实验》2006,26(5):22-24,28
设计了通过液晶光阀自动调整全息照相物光和参考光辐照比至最佳状态,同时能实现曝光时间自动控制的控光仪.该仪器巧妙运用液晶光阀和硅光电池器件,使测量、调整、自控一体化,从而提高拍摄优质全息图的工作效率.  相似文献   
72.
非傍轴平顶高斯光束M2因子两种定义的比较研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
康小平  吕百达 《光子学报》2006,35(3):431-434
基于功率密度的二阶矩方法,推导出了非傍轴平顶高斯(FG)光束束宽和远场发散角的解析表达式.研究表明,当w0/λ→0时,远场发散角趋于渐近值θmax=63.435°,与阶数无关.使用非傍轴高斯光束代替傍轴高斯光束作为理想光束,研究了非傍轴FG光束的M2因子,并与传统定义的M2因子作了比较.在非傍轴范畴,非傍轴FG光束的M2因子不仅与阶数N有关,而且与w0/λ有关.按照定义,当w0/λ→0时,非傍轴FG光束的M2因子不等于0,对阶数N=1, 2, 3时,M2因子分别趋于0.913,0.882和0.886.当N→∞时,M2因子取最小值M2min=0.816.  相似文献   
73.
This paper reports that the m-plane GaN layer is grown on (200)-plane LiAlO2 substrate by metal-organic chemical wpour deposition (MOCVD) method. Tetragonal-shaped crystallites appear at the smooth surface. Raman measurement illuminates the compressive stress in the layer which is released with increasing the layer's thickness. The high transmittance (80%), sharp band edge and excitonic absorption peak show that the GaN layer has good optical quality. The donor acceptor pair emission peak located at -3.41 eV with full-width at half maximum of 120 meV and no yellow peaks in the photoluminescence spectra partially show that no Li incorporated into GaN layer from the LiAlO2 substrate.  相似文献   
74.
计算机辅助物理实验教学的几点思考   总被引:16,自引:3,他引:13  
探讨了物理实验教学引入智能化仪器的必要性和意义,指出引入计算机辅助教学必须对传统的实验教学内容和方法重新设计,同时软件的设计应给学生留有接口的余地。  相似文献   
75.
组合证券投资的概率准则模型探讨   总被引:5,自引:0,他引:5  
傅荣林 《运筹与管理》2002,11(4):97-105
在基于概率准则的组合证券模型下,把实现一定收益率水平目标的概率优化模型的求解转化成易于求解的非线性规划问题,从而方便地得出模型的解及其意义;提出了概率准则下的β值组合证券投资决策模型,研究了它们解的存在性和求解的公式,并给出了上海股市股票的数值算例。  相似文献   
76.
增湿活化反应器内喷水脱硫试验研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
本文介绍在热态脱硫试验台上进行的生石灰和消石灰的喷水活化脱硫试验,研究了Ca/S比、饱和温距、入口烟气SO2浓度、烟气速度及水喷嘴雾化风对脱硫效率和钙利用率的影响规律,对两种脱硫剂的脱硫活性进行了比较,并对喷水增湿提高脱硫效率的机理进行了分析。研究表明,喷水增湿使两种脱硫剂的活性都有明显提高,生石灰具有价格优势。  相似文献   
77.
代月花  陈军宁  柯导明  孙家讹  胡媛 《物理学报》2006,55(11):6090-6094
从玻尔兹曼方程出发,重新计算了纳米MOSFET沟道内的载流子所服从的分布函数,特别是考虑了纳米MOSFET横向电场和纵向电场之间的相互作用,并且以得到的非平衡状态下的分布函数为基础,考虑载流子寿命和速度的统计分布,给出了纳米MOSFET载流子迁移率的解析表达式.通过与数值模拟结果进行比较和分析,该迁移率解析模型形式简洁、物理概念清晰,且具有相当精度. 关键词: 玻尔兹曼方程 纳米MOSFET 迁移率 沟道有效电场  相似文献   
78.
生长温度对碳纳米管阴极场发射性能的影响   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
王莉莉  孙卓  陈婷 《发光学报》2006,27(1):123-128
碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNTs)场发射平面显示器(Field Emission Display,FED)与其他显示器比较显示了其独特优点,被认为是未来理想的平面显示器之一。碳纳米管阴极作为器件的核心部分,其性能的好坏直接影响显示器的性能。针对30~60英寸(76.2~152.4cm)大屏幕显示器所用的厚膜工艺,即采用丝网印刷法制备了碳纳米管阴极阵列,研究了化学气相沉积法在不同温度下生长的CNTs的场发射电流-电压特性,找到了适合FED用碳纳米管的最佳生长温度。结果表明生长温度越高(750℃),CNTs场发射性能越好。并用荧光粉阳极测试这些CNTs的场发射发光显示效果,验证了上述结论。  相似文献   
79.
戴俊  褚翔升  何大韧 《物理学报》2006,55(8):3979-3984
总结两个保守映象不可逆地分段连续链接(称为类耗散系统)以及一个保守映象与一个耗散映象不可逆地分段连续链接(称为半耗散系统)情况下得到的五项共同动力学特征:不连续边界象集构成的随机网成为唯一的混沌轨道;由于某些相点具有两个逆象而导致的相空间塌缩(类耗散);由于系统的不连续不可逆性质而出现的胖分形禁区网;在具有吸引子共存时占据不连续边界象集随机网和胖分形禁区网区域的点滴状吸引域以及由此导致的吸引子不可预言性;即使在传统强耗散存在的情况下点滴状吸引域仍由类耗散机制主宰.以一个累积-触发电路为例,说明这五项系统动 关键词: 随机网 禁区网 点滴状吸引域  相似文献   
80.
任红  肖苏  陈冬颖 《物理实验》2006,26(11):36-38
金割效应物理摆是将数学中的优选法与物理实验中的复摆结合起来并用计算机处理数据的自制教学仪器.把金割效应物理摆作为研究性实验进行开设,更有利于培养学生的开拓精神和创新能力.  相似文献   
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