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Xing Jing-tang 《应用数学和力学(英文版)》1987,8(10):975-984
A remark about some unreasoning things of Oden’s constitutive variationalprinciple described in Ref. [1] is given in this paper. According to Oden’s idea, the other two constitutive variational principles, which are complementary to one another, are developed. An example is performed to demonstrate the application of the constitutive variational principles. 相似文献
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以气相法二氧化硅为载体,链状胺和环胺为功能化试剂,制得一系列二氧化硅-胺基复合载体,通过配位反应得到二氧化硅负载胺-钯(Ⅱ)配合物,进一步还原得到二氧化硅负载胺-钯(0)配合物.采用IR、XRD、XPS、ICP技术对配合物进行表征,并研究了配合物的制备、反应条件以及配体差异对其催化碘苯与丙烯酸的Heck反应的性能.结果表明,该类催化剂在较低的温度下(70~90℃)即可较好地催化该反应,生成反式产物;还原后催化剂具有更好的催化活性和良好的重复使用性能;具有链状胺基配体的催化剂随着N原子数目的增加,催化活性呈上升趋势,而具有环状胺基配体的催化剂活性明显低于前者. 相似文献
156.
以AlN作为靶材,使用射频磁控溅射法在Si(100)和玻璃衬底上,在纯氮气气氛条件下制备得到AlN薄膜,并研究了衬底温度对溥膜的结构,形貌和性质的影响.实验表明,衬底温度为370℃的条件下制备的AlN溥膜具有C轴择优取向,薄膜表面均匀、致密和平整,均方根粗糙度为4.83nm.随着基片温度的增加,溥膜的折射率增加,对应着薄膜从非晶态到晶态过程的演变. 相似文献
157.
158.
应用固体经验电子理论,并联系 G.Inden 的有序转变温度与原子间作用能的关系式,计算了 CuZnAl 记忆合金的 A_2到 B_2,B_2到 DO_3两种有序转变温度随合金元素变化的规律。计算得出的变化趋势与实验结果符合得相当好,表明所采用的理论模型可以说明 CuZnAl 合金的记忆性能和用来指导探索新的记忆合金。 相似文献
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4 MV静电加速器由高压系统、离子源及束流系统、控制系统和气体系统四部分组成。调试中出现了离子源不起弧、加速管破裂、控制系统失灵和输电带输电能力降低等技术问题,分析了出现这些问题的原因,然后分别采取了相应的措施加以解决:变换工作流程,在每次关机前先把引出电压降为零,开机时等离子源起弧后再把引出电压升到预定值;对过渡法兰进行车加工,重新封装;对高压端的控制设备采取屏蔽措施,在输入、输出端使用TVS二极管,对控制软件进行抗干扰设计;对绝缘气体进行循环干燥等。调试出了流强为100 μA、能量在3 MeV以上的稳定质子流。 相似文献
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