Gd3+,Yb3+和Tm3+共掺杂氟化物纳米晶中Yb3+-Tm3+-Gd3+间的能量传递

用水热法合成了Y_0.8-x-yF₃∶Gd_x³⁺,Yb_0.2³⁺,Tm_y³⁺纳米晶的上转换发光材料。在典型的Y_0.595F₃∶Gd_0.200³⁺,Yb_0.200³⁺, Tm_0.005³⁺纳米微晶中,在980 nm激光激发下,观察到了Tm³⁺的紫外、紫色上转换发射明显增强和来自于Gd³⁺的⁶D_9/2、⁶I_J、⁶P_5/2及⁶P_7/2能级到基态⁸S_7/2能级的紫外发射。通过比较Y_0.8-x-yF₃∶Gd_x³⁺ ,Yb_0.2³⁺,Tm_y³⁺纳米晶样品的上转换发光性质以及Tm³⁺和Gd³⁺中一些激发态的能级寿命,借助于能级图描述了Yb³⁺-Tm³⁺-Ga³⁺之间的有效的能量传递过程。     

Klein-Gordon-Schr(o)dinger方程的辛Fourier拟谱格式

主要讨论Klein-Gordon-Sehrodinger方程的Fourier拟谱辛格式,包括中点公式和Stormer/Vedet格式.首先构造一个哈密尔顿方程,针对此哈密尔顿方程,在空间方向用Fourier拟谱离散得到一个有限维的哈密尔顿系统,对此有限维系统在时间方向用St(o)rmer/Verlet方法离散得到KGS...     

端面抽运板条介质抽运光束不均匀性及改善方法研究

 基于Zemax软件下的非序列模式(non-sequential mode)光线追迹法,分别模拟复合结构板条介质抽运端面和掺杂介质区工作端面上的光强度分布。由追迹结果可知,经过整形,在抽运面强度分布均匀的抽运光束经过非掺杂介质区传播到掺杂介质工作端面后光束分布均匀性大大降低。研究表明复合结构板条介质中非掺杂介质区影响了抽运光束,即抽运光在非掺杂介质区传播过程中发生全内反射,导致部分光束在实际工作端面的部分区域发生叠加,从而致使实际工作端面抽运光束分布不均匀。最后,依据平面波导匀化理论,从改变非掺杂介质区长度和入射光束发散角大小角度出发,提出改善抽运光束均匀性的思路,并进行了模拟验证。     

单分散表面带正电荷聚苯乙烯胶体粒子的制备及胶体晶体阵列的构筑

以苯乙烯为单体,甲基丙烯酰氧乙基-N-辛基二甲基溴化铵为功能单体,偶氮二异丁基脒盐酸盐为引发剂,采用两步投料无皂乳液聚合方法,合成了单分散表面带正电荷的聚苯乙烯胶体粒子。在低离子强度的水溶液中,该胶体粒子可以通过表面电荷的静电排斥作用,自组装成胶体晶体阵列并产生Bragg衍射,随着乳液固含量的降低,Bragg衍射波长红移。     

“高分子物理”图表教学法初探

图表教学法是高分子物理传统教学法的有益补充。利用图表高分子物理繁杂而相互联系的理论体系有机结合,强化学生对知识的掌握。试卷分析证明,图表教学法可以提高高分子物理课程教学效果。最后,提出进一步完善高分子图表教学法的一些设想。     

气相色谱法快速同时测定室内装饰装修材料胶黏剂中的苯、甲苯、二甲苯的含量

建立了快速、同时测定室内装饰装修材料胶黏剂中苯、甲苯、二甲苯含量的气相色谱检测法.样品用乙酸乙酯溶解处理后,用改性的聚乙二醇(FFAP)毛细管色谱柱分离,氢火焰离子化检测器检测,外标法定量.胶粘剂中苯、甲苯、二甲苯的浓度分别在8.58～171.40μg/mL、9.04～180.62μg/mL、8.80～175.92μg...     

液相色谱-串联质谱法测定果蔬中4种新型卵菌纲杀菌剂残留

建立了蔬菜和水果中噻唑菌胺、苯噻菌胺、氟啶酰菌胺和双炔酰菌胺4种新型卵菌纲杀菌剂的分散固相萃取-液相色谱-串联质谱检测方法.样品经乙腈均质提取,混合使用乙二胺-N-丙基硅烷(PSA)和ODSC18-N两种基质分散净化剂净化,采用液相色谱-三重四级杆串联质谱(LC/MS/MS)检测.实验通过空白基质溶液稀释标准建立校正的...     

高效液相色谱法测定2,6-二甲基吡喃酮和乙酰丙酮的含量

2,6-二甲基吡喃酮是一种重要的有机中间体,建立了高效液相色谱分离测定合成2,6-二甲基吡喃酮反应体系中2,6-二甲基吡喃酮和乙酰丙酮含量的方法.采用Eclipse XDB-C18色谱柱(150 mm×4.6 mm,5 μm),检测波长240 nm,柱温30 ℃,流动相为四氢呋喃-水(20:80,V/V,含0.5% N...     

葡萄糖检测用分子印迹光子晶体的研究

基于快速、持续、无创检测技术在血糖监测领域的重要性,以聚甲基丙烯酸甲酯微球阵列为光子晶体制孔模板,以葡萄糖为印迹模板,N-异丙基丙烯酰胺和甲基丙烯酸羟乙酯为混合单体,4-乙烯基苯硼酸为识别基,N,N-亚甲基双丙烯酰胺为交联剂,在制孔模板间隙进行共价型分子印迹聚合,除去制孔模板后,制得具有规整孔结构的新型光学凝胶材料--...     

Considerations of the intermediate oxides via XPS elemental quantitative analysis for the thickness measurements of ultrathin SiO2 on Si

The thicknesses of intermediate oxides at the interface between ultrathin SiO₂ and Si substrates have been measured via XPS elemental quantitative analysis for some SiO₂/Si(100) and SiO₂/Si(111) samples with the silicon oxide thickness less than 2 nm. The measurements involve XPS determination of the Si relative atomic ratio, calculation of Si atomic densities for the intermediate oxide, etc. and then the intermediate oxide thicknesses and the number of monolayers are obtained by referencing the thickness data from two international comparisons for these samples. The results show that the thickness of the intermediate oxides is in the range 0.14–0.16 nm with an average value of 0.15 nm. The number of monolayers for the intermediate oxides at the interface is less than one monolayer with an average value of 0.60. In the present work, there are a series of approximations. By making these approximations many parameters, including L and R₀, used in the conventional calculation method are removed to give a simpler equation, which is valid when the thicknesses of SiO₂ overlayer and the intermediate oxides are very small. This, therefore, appears to be a simple and quick method to obtain approximate oxide thicknesses of modest accuracy. The present work does not in any way replace or improve on Eqns ( 2 –6) cited in the text. Copyright © 2010 John Wiley & Sons, Ltd.