首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   3578篇
  免费   730篇
  国内免费   1433篇
化学   2771篇
晶体学   159篇
力学   279篇
综合类   217篇
数学   623篇
物理学   1692篇
  2024年   5篇
  2023年   32篇
  2022年   148篇
  2021年   130篇
  2020年   119篇
  2019年   142篇
  2018年   135篇
  2017年   197篇
  2016年   127篇
  2015年   218篇
  2014年   184篇
  2013年   328篇
  2012年   291篇
  2011年   333篇
  2010年   293篇
  2009年   335篇
  2008年   366篇
  2007年   381篇
  2006年   373篇
  2005年   309篇
  2004年   207篇
  2003年   175篇
  2002年   126篇
  2001年   136篇
  2000年   143篇
  1999年   106篇
  1998年   50篇
  1997年   32篇
  1996年   39篇
  1995年   30篇
  1994年   32篇
  1993年   27篇
  1992年   26篇
  1991年   16篇
  1990年   15篇
  1989年   22篇
  1988年   17篇
  1987年   9篇
  1986年   11篇
  1985年   8篇
  1984年   16篇
  1983年   10篇
  1982年   6篇
  1981年   10篇
  1980年   5篇
  1979年   5篇
  1976年   2篇
  1973年   2篇
  1965年   3篇
  1959年   3篇
排序方式: 共有5741条查询结果,搜索用时 31 毫秒
111.
A model peptide,TDK,was studied by circular dichroism to elucidate the effect of organic solvent on α-helical formation.The α-helicities enhanced by various alcohol solvents,especially fluorine-substituted alcohols were systematically compared.The relations between α-helical formation of a peptide and external environment were also discussed in detail.These environmental elements mainly include hydrophobicity dielectric constant and acidity of the solvents.  相似文献   
112.
本文以苯骈三氮唑、胺和苯甲基醛为原料,发现Mannich反应,生成胺烷基化的苯骈三氮唑衍生物。在此衍生物中,苯骈三氮唑基是亲核取代反应的良好离去基团,易被强亲核试剂的硒负离子取代,生成对称α,α'-二胺基二苄基硒醚。反应易进行,产率较高,产物均为固体,易提纯。这是合成含氮原子的对称硒醚的较好方法。  相似文献   
113.
反胶束法合成氧化锌微晶及其荧光特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
0引言材料的结构(微结构)、尺寸和形貌等因素对其特性及其实际应用具有重要的影响。对无机材料特别是氧化物半导体进行结构控制的研究近年来引起了人们极大的关注。氧化锌作为一种宽带隙(3.2eV)半导体材料,可广泛应用于压电材料、气体传感器、橡胶添加剂和光学器件等领域,而且还因其在室温下可产生激射现象使其成为纳米光学材料研究领域中的一大热点[1 ̄6]。目前,除了传统的固相-气相(V S)反应外,用于氧化锌微晶的制备方法主要有共沉淀法[7]、多羟基化合物水解法[8]、有机金属气相沉积法[9 ̄12]和水热法[13]等。通过选择不同的制备方法和…  相似文献   
114.
二硫化锡由于其理论容量高、氧化还原电位合适,而成为钠离子电池负极材料的研究热点之一。从纯二硫化锡、二硫化锡/碳复合物和二硫化锡/石墨烯复合物等3个方面对二硫化锡负极材料在近5年的发展进行了概述。  相似文献   
115.
The apparent standard potential of Dy/Dy(III) system in the LiCl-KCl eutectic has been determined by the logarithmic analysis of the semi-integrals of voltammograms, logarithmic analysis of chronopotentiograms and the open circuit potentiometry. The dysprosium equilibrium potentiab for various concentration of dysprosium chloride in the LiCl-KCl eutectic melt between 400-500℃ were first determined experimentally, and the apparent standard potential of this system and its temperature dependance have been calculated.  相似文献   
116.
本文用DSC、TBA、旋转粘度计等手段对一系列不同结构及不同取代基取代的脲衍生物对环氧树脂/双氰双胺固化体系的潜伏性促进作用作了考察。结果表明,其促进效果随脲的α位取代烷基碳原子数增加而减弱,而其β、γ位上的取代基团变换时对促进作用无明显影响。由此得出4,4-二(N,N-二甲基)脲二苯甲烷(简称M-二甲)和2,4-二(N,N-二甲基)脲甲苯(简称T-二甲)二种脲衍生物在本丈所考察的28种化合物中具有最显著的促进效果,其中T-二甲的促进活性略高于M-二甲,它们均可使上述固化体系的固化温度降至130℃左右,含有此促进剂的固化体系即使在30℃下贮存,其粘度保持基本不变的时间仍可达三个月以上。  相似文献   
117.
基于近红外光谱技术与化学计量学方法,建立了一种国内外不同品牌维生素C片的无损鉴别方法。采集了国内外8个品牌的维生素C片共计40个样本的近红外光谱数据,比较了完整样品以及粉末样品的近红外光谱,采用连续小波变换技术消除背景干扰和基线漂移,基于标准偏差与相对标准偏差的变量筛选方法筛选出具有代表性的波数点,结合主成分分析方法对国内外不同品牌维生素C片进行鉴别分析。结果表明:原始光谱存在着明显的背景干扰和基线漂移现象,且粉末样品的重现性要优于完整样品;单纯使用原始光谱无法辨别来自不同品牌的维生素C片;连续小波变换可以有效消除背景干扰,提高模型鉴别能力;完整样品的鉴别准确率优于粉末样品,说明国内外不同品牌维生素C片主要成分基本一致,可能是辅剂和工艺上存在细微差异。通过结合近红外光谱分析技术与化学计量学方法,可实现对国产以及进口不同品牌维生素C片的鉴别分析。  相似文献   
118.
DNA分子在气液界面的组装相变特性及其LB膜结构研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
戴树玺  张兴堂  杜祖亮  党鸿辛 《化学学报》2003,61(12):2013-2015
对十八胺与DNA在气液界面上组装及其相变过程进行了研究,利用AFM观察了不 同压力下转移的DNA复合LB膜结构。发现在低表面压时,DNA复合单分子膜表现为技 术发散的分形结构;随着压力的升高,DNA复合膜逐渐由紧密的网状排布结构变为 团聚的块状和团簇结构。表明通过调节膜压,可使膜内DNA分子的构象发生大的变 化,从而生成具有特定形态的二维纳米图案。这种具有特殊形态和结构的DNA LB膜 可望为合成新型生物纳米结构有序功能体系提供模板。  相似文献   
119.
新型有序结构分子聚集体的构筑   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
本文概述了近年来我们在新型有序结构分子聚集体构筑方面取得的一些主要成绩,并展望了今后进一步的研究和发展方向。  相似文献   
120.
严德官  王卫江  吴浩青  杜庆琪 《化学学报》2006,64(24):2431-2436
采用Gaussian软件和HF方法, 通过从头计算(ab initio)法选取4-31G基组计算锂离子嵌入聚噻吩过程中结构与结合能的变化关系. 发现噻吩聚合时主要生成三或四聚合物. 聚合物在Li原子(或Li离子)嵌入后, 聚噻吩间距离明显变小, 同时发生电荷转移, 形成稳定嵌合物; 并使噻吩环的C-α—C-β键级变小. 同时, 研究了锂离子(或原子)嵌入后体系的HOMO, LUMO能级. 聚噻吩在嵌入锂离子时LUMO轨道能级变为负值, 成为电池反应得电子的正极. 而金属Li2 释放Li后的Li的HOMO能级为+0.7427 eV, 则成为给电子的负极. 由此, 可以完成由锂/聚噻吩在高氯酸锂电解质中组成的放电过程, 并提出嵌合键级概念用来表征锂在聚噻吩间的结合程度.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号