熵的一种通俗教法

熵如力、能量和动量一样是物理学中一个重要概念,若能用一种通俗易懂的方法设计熵的教学,对文科物理的教学有重要意义.为此本文提出了一种通俗的熵的教法,这一教法不需要学生学习热力学第二定律也可以建立熵的概念.具体教学设计如下:通过日常生活例子引入熵的概念(也就是玻尔兹曼熵),设计两个例子让学生会计算熵,通过具体问题的讨论让学生充分理解熵的意义,通过一个实例由玻尔兹曼熵引入克劳修斯熵公式,设计一个演示实验强化教学效果,将熵与环境保护联系起来融入人文情怀,最后还强调了熵计算的不同层次.教学设计完全采用基于问题学习(PBL)的教学模式.     

六方相LaOF∶Er,Yb的上转换发光及温度传感特性

氟氧化物兼有氧化物优异的稳定性和氟化物的低声子能量,是上转换发光材料的一种热点基质材料,因而研究六方相LaOF∶Er,Yb的上转换发光性能及其温度特性具有重要意义。本文采用水热法制备了六方相LaOF∶Er,Yb荧光材料,通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和荧光光谱对其结构和上转换荧光性能进行表征。实验结果表明,水热法120℃得到六方相LaF₃,经800℃和1 000℃退火后分别形成四方相LaOF和六方相LaOF。980 nm激发下,六方相LaOF∶Er,Yb中Yb³⁺与Er³⁺存在能量传递,通过双光子吸收产生绿光和红光的上转换荧光,并且Yb³⁺与Er³⁺的最佳浓度分别为3%和1%。最后研究了六方相LaOF∶Er,Yb在温度传感方面的应用,其在150～400 K温度范围的相对灵敏度和绝对灵敏度分别为0.037 K^-1和0.004 3 K^-1。该材料具有优异的温度传感特性,对荧光温度传感器件的设计和应用具有指导意义。     

计算模拟法改善激光波面

计算模拟方法设计位相元件可将基模高斯光束均匀化,将椭圆波面校正为圆对称波面.本文推导了理论模拟结果和实验参数的关系.计算模拟给出的实验装置较为简单,能量转换效率高.     

SU(2)格点规范理论几种不同形式的作用量的Monte Carlo研究

对SU(2)格点规范理论用三种不同于常用形式的作用量进行了Monte Carlo模拟,计算了平均内能和比热。内能曲线都趋向共同的弱耦合极限,都有比热峰标志着临界点。观察到仅由于格点间隔α的高次幂项不同而引起临界点明显漂移的现象。 关键词：     

光抽运实验中的微波-射频多量子跃迁(续)

我们观察了不同射频功率下的微波-射频多量子跃迁的光检测谱线,还观察到了射频频率等于共振频率一半时的微波-射频多量子跃迁。 关键词：     

约瑟夫森隧道结微波感应效应的实验和理论研究

在实验中观察到半波长约瑟夫森隧道结微波感应阶梯高度随微波电压振幅近似地按贝塞耳函数的二次方变化,并且奇数号码阶梯有时不出现,对于上述现象本文做了理论解释。     

两种Mannich碱对铜在碱性介质中的缓蚀作用与吸附行为

合成了两种曼尼希碱4-（1H-四唑-5-氨基）-V-2-酮（TB）和3-（1H-四唑-5-氨基）-1-苯基丙-1-酮（TP）,并采用失重法和电化学方法研究了这两种化合物对铜在5％（w）NaHCO3水溶液中的缓蚀性能和吸附行为．结果表明,在5％NaHCO3水溶液中,这两种化合物对铜均有较好的缓蚀作用,缓蚀效率顺序为TB〈TP;TB和TP均为阳极型缓蚀剂．两种化合物在铜表面的吸附过程为放热过程,其吸附行为服从Langmuir吸附等温式,属于物理吸附．     

基于冗余多线程的体系结构级容错措施的研究与发展

在总结各种体系结构级容错措施的技术特点以及目前的研究现状和发展趋势的基础上,论述了冗余多线程(RMT)体系结构研究的时代背景、典型架构设计方法和存在的问题,以及今后研究的方向和发展趋势.提出了今后应该从资源分配和线程调度的角度对RMT进行研究,提升其整体处理能力,包括:提高RMT的容错能力;降低容错运行所需要的软、硬件代价;以及提高资源利用的效率和公平性,缓解多线程并行对资源需求的巨大压力.     

水汽在淀积金属钠的InP(111)表面的吸附

用UPS和HREELS研究室温下水汽在清洁的和淀积了金属钠的InP(111)表面的吸附。表面淀积了0.3单层金属钠之后,水汽在InP(111)表面的粘附系数显著增加,推测其原因可能与钠原子和表面的磷原子间的电荷转移有关。水汽主要以不分解的分子态形式吸附在表面。在HREELS谱中观察到与P—H键有关的282meV能量损失峰,表明部分水汽可能与淀积在表面的钠原子发生反应或者在表面发生分解。 关键词：     

用HREELS研究氢在GaAs和InP的(111),(111)表面上的吸附

氢在GaAs和InP表面上的吸附可以用高分辨率电子能量损失谱(HREELS)来探测。Ga—H,As—H,In—H和P—H键的伸缩振动各自对应于不同的能量损失。但是As—H振动极容易和Ga—H振动追加声子损失相混淆,只有从损失峰的相对强度比较上来区别。实验得到吸附的氢与表面原子的成键情况取决于表面的原子结构及电子分布。对于GaAs(111)面,低暴露量时只形成Ga—H键,而高暴露量时还可以形成As—H键。而InP(111)表面由于是经过磷气氛退火处理的,在低暴露量下In—H与P—H键均可形成。InP(Ⅲ)面上只看到P—H损失峰,说明这个表面是完全以P原子结尾的。在(Ⅲ)面上出现小面的情形,则表面Ⅲ族和Ⅴ族原子均可同氢成键。 关键词：