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42.
镶嵌有纳米硅的氮化硅薄膜键合特性分析 总被引:1,自引:2,他引:1
采用螺旋波等离子体化学气相沉积(HWPCVD)技术制备了非化学计量比的氢化氮化硅薄膜,对所沉积样品及氮气环境中920 ℃退火样品的微观结构及键合特性进行了分析。Raman散射结果表明,薄膜中过量硅以非晶纳米粒子形式存在,退火样品呈现纳米晶硅和氮化硅的镶嵌结构。红外吸收和可见光吸收特性比较结果显示,薄膜样品的微观结构依赖于化学计量比以及退火过程,硅含量较低样品因高的键合氢含量而表现出低的纳米硅表面缺陷态密度;退火过程将引起Si—H和N—H键合密度的减少,因晶态纳米颗粒的形成,退火样品表现出更高的结构无序度。 相似文献
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44.
Wei-Long Chen Zhi-Jun Wang Chi Feng Wei-Ping Dou Yue Tao Huan Jia Wang-Sheng Wang Shu-Hui Liu Yuan He 《中国物理C(英文版)》2016,40(7):077003-077003
Beam-based BPM offset calibration was carried out for Injector II at the C-ADS demonstration facility at the Institute of Modern Physics(IMP), Chinese Academy of Science(CAS). By using the steering coils integrated in the quadrupoles, the beam orbit can be effectively adjusted and BPM positions recorded at the Medium Energy Beam Transport of the Injector II Linac. The studies were done with a 2 m A, 2.1 Me V proton beam in pulsed mode.During the studies, the "null comparison method" was applied for the calibration. This method is less sensitive to errors compared with the traditional transmission matrix method. In addition, the quadrupole magnet's center can also be calibrated with this method. 相似文献
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简要介绍了传统自适应光学系统的局限性和多层共轭自适应光学基本原理。模拟了单双层共轭校正系统的共轭高度,并结合平程与垂程(HV模型)两种传输状态对系统等晕角增益作了进一步的分析。对单层共轭系统,在20 km的传输距离内,在平程中整个区域都属于等晕角放大区,共轭高度的最佳位置在传输距离的中间(约10 km处),等晕角取极大值,增益效果较好;但垂程中增益效果变差,且等晕角放大区也仅在3.6 km之内。对双层共轭系统来说,第1层共轭高度的变形镜主要对近距离畸变波前进行校正,并对整个传输距离的等晕角影响很大,是双层共轭系统的关键因素;第2层共轭高度对远距离等晕角影响较大。 相似文献
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In the strict sense, it is not very clear why with magnetic field increasing, the normal-superconductive (NS) transition becomes broad for Bi2Sr2CaCu2O8+δ(Bi2212) while the NS transitions are almost parallel for La1.93Sr0.07CuO4+δ(La214). In this paper, R-T relations are measured by the six-probe method. We propose a moving mechanism of the pancake vortex and vortex line for Bi2212. The theoretical curves fit the experiment data well. 相似文献
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介绍了RIBLL终端LASCAR闪烁体阵列探测器的工作原理和结构特点. 描述了为满足放射性核束实验的要求而对阵列所作的重要改进. 给出了LASCAR构型优化改造的工作设想和实施步骤. The principles and structure characteristics of LASCAR scintillator array detector at RIBLL terminal are described. Special emphases are laid upon the latest progress for the development of LASCAR array detector to meet the requirements of the RIB experiments. The working plan and steps for optimizing configuration of the LASCAR multi unit neutron scintillator array detector are also presented. 相似文献
49.
用于FED和PDP平板显示高压驱动电路的CMOS器件 总被引:1,自引:0,他引:1
在Synopsys TCAD软件环境下,结合中国科学院微电子研究所0.8μm标准CMOS工艺条件对于高压CMOS器件进行了工艺和器件模拟。由于考虑到与标准CMOS工艺的兼容性,高压CMOS器件均采用LDMOS结构;根据RESURF技术,对于器件的漂移区进行了优化。器件模拟结果表明,高压NMOS器件源漏击穿电压为220 V;阈值电压和驱动能力分别为0.8 V和1×10-4A/μm。高压PMOS器件源漏击穿电压为-135 V;阈值电压和驱动能力分别为-9.7 V和1.8×10-4A/μm。高压CMOS器件的研制可为进一步研制FED和PDP平板显示高压驱动电路奠定基础。 相似文献
50.
以巯基丙酸(mercaptopropionic acid,MPA)为稳定剂合成水溶性CdTe最子点(quantum dots,QDs),以CdTe QDs作为能量供体.庆大霉素(Gentamycin,GT)作为能垦受体,建立了荧光共振能量转移(fluorescence resonance energy transfer,FRET)体系.在690 nm处可见发射峰,半峰宽约10 nm,在一定范围内荧光强度与GT的含量旱线性关系,线性范围为2~20 mg·L-1,相关系数r=0.986 7.优化了不同的激发波长、pH、离子强度、时间和温度等凼素对反应的影响,并应用傅里叶变换红外光谱(Fourier transform infrared spectroscopy,FTIR)和高效液相色谱(high-performance liquid chromatography,HPLC)分别表征了化学结构和相对专一性.结果表明巯基丙酸的巯基中S原子和羧基中氧原子与纳米微粒表面的富Cd离子发生了配位作用,CdTe QDs与GT的耦合主要是通过量子点周围巯基丙酸羧基(-COOH)中的氧原子与GT的胺基(-NH2)形成分子问氧键实现的;GT与CdTe QDs的结合率为0.35:1.研究表明GT可以作为检测CdTe QDs标记牛血清白蛋白(bovine serum albumin,BSA)的荧光增敏剂,荧光强度值增强6倍,应用前景广阔. 相似文献