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131.
光线反射过程的矩阵表达方法   总被引:3,自引:1,他引:2       下载免费PDF全文
潘汉军  刘娅 《应用光学》2004,25(4):9-13
分析反射线交面方程的特点,引入了反射矩阵并分析其实质意义,导出描述反射过程的最简单的反射矩阵,为反射过程基于数学运算软件的自动运算及求取多反射平面连续反射时反射线交面方程的运算提供了依据和方法。  相似文献   
132.
超声速等离子体射流的数值模拟   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
基于可压缩的全Naiver-Stokes方程,利用PHOENICS程序对由会聚 辐射阳极形状等离子体炬产生的超声速等离子体射流进行了数值模拟.考虑了等离子体的黏性、可压缩性以及变物性对等离子体射流特性影响.研究了超声速等离子体射流的流场结构特性以及不同环境压力对等离子体射流产生激波结构的影响.结果表明,超声速等离子体射流在喷口附近形成的周期性激波结构是其和环境气体相互作用的结果. 关键词: 等离子体炬 超声速等离子体射流 PHOENICS  相似文献   
133.
伍瑞新  陈平 《物理学报》2004,53(9):2915-2918
研究了利用磁性薄膜构造Salisbury屏的可能性及其在微波频段的反射率频率特性.结果表明,利用铁磁性材料在铁磁共振频率附近磁化率具有χ″>χ′的特性,可以构造出对电磁波有良好吸收性能的磁性Salisbury屏.通过对铁磁材料高频磁谱物理机理的分析后指出,具有弛豫型共振磁谱的铁磁材料可以构造出薄膜型Salisbury屏,其厚度为微米甚至亚微米量级.反射率的频率特性与磁性材料的特征阻抗z-r有关,它取决于铁磁共振频率和静态磁化率.反射率的频率响应显示磁性薄膜Salisbury屏具有较宽的吸收带宽. 关键词: 磁性Salisbury屏 反射率 频带响应 磁性薄膜  相似文献   
134.
Kirchhoff方程的相对常值特解及其Lyapunov稳定性   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
薛纭  陈立群  刘延柱 《物理学报》2004,53(12):4029-4036
对于超细长弹性杆静力学的Kirchhoff方程,用动力学的概念和方法研究其常值特解 和稳定性问题.计算了Kirchhoff方程相对固定坐标系、截面主轴坐标系以及中心线Frenet 坐标系的常值特解,进行了Kirchhoff动力学比拟,用一次近似理论分别讨论了它们的Lyapu nov稳定性,导出了若干稳定性判据,并在参数平面上绘出了稳定域. 关键词: 超细长弹性杆 Kirchhoff方程 常值特解 Lyapunov稳定性  相似文献   
135.
X波段六腔渡越管振荡器的高频特性研究   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
 从麦克斯韦方程出发,采用时域有限差分法(FDTD)和离散傅里叶变换(DFFT)相结合的方法,通过数值计算得出了六腔开放式谐振腔中前四个谐振频率和场分布,计算出的谐振频率与实验测量结果基本相同。比较了开放腔和封闭腔谐振频率,验证了TEM波吸收边界条件,并在实际编程计算中得以应用。计算结果为六腔渡越管振荡器的机理研究提供了依据。  相似文献   
136.
连续照明时成像对比度与气象条件的关系   总被引:6,自引:2,他引:4       下载免费PDF全文
 通过同轴激光连续照明成像模型分析了大气后向散射对成像对比度的影响,得出了考虑散射因素时成像对比度的计算公式。基于不同气象条件下大气粒子散射特点,讨论了霾和雾两种不同天气时成像对比度随照明距离的变化规律,并与实验结果进行了对比,计算结果与实验吻合较好。  相似文献   
137.
利用爆磁压缩发生器产生高功率脉冲高电压   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
 爆磁压缩发生器产生脉冲高电压技术可以用于产生高功率微波及强电磁脉冲的实验研究。给出了利用螺旋型爆磁压缩发生器(HEMG)驱动电爆炸丝功率调节系统产生高功率脉冲高电压的实验方法和主要的结果。在利用HEMG驱动电爆炸丝断路开关(EEOS)产生脉冲高电压实验中,获得了最高电压700~800kV,功率大于20GW的脉冲输出。  相似文献   
138.
 北京正负电子对撞机直线注入器(BEPCⅡ LINAC)的升级改进要求建立束流光学匹配计算和轨道校正系统,为此对束流光学匹配计算和轨道校正计算的方法进行了研究,并采用VC++语言编写了相应的程序,利用最小二乘法原理进行了束流光学匹配计算,模拟了束流轨道校正,取得了较为理想的结果。  相似文献   
139.
 用射频等离子体方法在玻璃基底上制备的类金刚石(DLC)薄膜,采用离子注入法掺氮,并对掺氮DLC薄膜紫外(UV)辐照前后的性能变化进行了研究。研究结果表明:随氮离子注入剂量及UV辐照时间的增加,位于2 930cm-1附近的SP 3C-H吸收峰明显变小,而位于1 580cm-1附近的SP2C-H吸收峰则明显增强,薄膜的电阻率明显呈下降趋势;随UV辐照时间的增加,位于1 078cm-1附近的Si-O-Si键数量及位于786cm-1附近的Si-C键数量明显增加。即氮离子注入和UV辐照明显改变了DLC薄膜的结构与特性。  相似文献   
140.
 将爆磁压缩等效为电流源的方法,对爆磁压缩发生器通过脉冲变压器对脉冲形成线充电进行了理论分析,得出爆磁压缩发生器在负载上产生电流波形(简称负载电流)为直线情况和任意电流波形情况下充电电流和充电电压的表达式。分析表明变压器耦合互感与负载电流随时间变化增长率是脉冲形成线充电的两个重要参数,脉冲形成线第一个充电电压峰值与变压器的耦合互感和负载电流波形斜率成正比,负载电流波形斜率的变化可以改变充电电压峰值的时间,斜率不断增加可以延长第一个充电电压峰值时间,从而可能增加充电电压的幅值,提高爆磁压缩发生器能量的利用效率。  相似文献   
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