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101.
In solid immersion lens (SIL) microscopy systems with high numerical aperture (NA), there always exists the aberration produced by Fresnel effects at the interface between SIL and the sample. This aberration may cause the degradation of the image of sample. We design a continuous phase filter and optimize the optical field distribution of SIL system. The numerical results show that when the continuous phase filter is used, the field distribution of SIL system can be optimized, and the focal depth and intensity of transmitted light can be increased. At the same time, the intensity of side-lobe and the resolution are kept almost unchanged. 相似文献
102.
本文报道了用吸附溶出伏安法测定毗喳酮.以悬汞电极为工作电极,在Na}B,O,-NaOH介质(pH=10)中,毗喳酮产生一尖锐的吸附还原峰,E,二一1. 29V (vs. SCE ),峰电流与毗喳酮浓度在2. 0 X 10-'-8. 0 X 10-smol " L-’范围内呈良好的线性关系.检测限为2. 0 X 10-0mol " L-'(富集90s).本文对毗喳酮在悬汞电极上的电化学行为进行了探讨,对测定毗喳酮的最佳条件进行了详细的选择,利用本法测定了片剂中毗喳酮含量,结果满意. 相似文献
103.
通过把全息透镜嵌入挡风玻璃,实现全息透镜在车辆中的两种应用,即将具有颜色选择性的窄带全息透镜用于车辆的平视显示,将具有角度选择性的宽带全息透镜用于车辆的阳光防护。 相似文献
104.
壳模型计算表明,1/2+[411]出现于157Tm核的基态可能是由非轴对称形变造成的.但是新近从157Yb衰变纲图给出的157Tm低激发谱中,指认了一个建立在1/2+[411]带头上的基态转动带,并认为该带的性质是轴对称的,提取了该带的惯性参数与脱耦合参数.通过对奇ATm核1/2+[411]转动带的系统分析,强调了在157Tm核中非轴对称γ自由度效应的重要性. 相似文献
105.
超软X射线流气式正比计数管 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了一种用于测量183~933eV超软X射线的圆柱形、侧窗式、流气式正比计数管,工作气体是0.11MPa的P-10气体或氦气-丙烷混合气体。计数管内径为φ25mm,直径为φ0.3mm的入射窗是由厚度80~90μgcm~2聚乙烯甲醛制成的。该计数管的特点:(1)薄窗,对软X射线透过率高。(2)流气式,工作寿命长。(3)能量分辨率好。(4)计数率高(1×10~(14)个/s)。(5)可测能区宽(0.183~10keV)。(6)可以方便更换窗膜材料、厚度及窗口直径。近几年来该计数管已经为高强度低能X光源提供较好监测。 相似文献
106.
ZHANGZHAOJI 《高校应用数学学报(英文版)》1995,10(3):357-359
This paper solves an open problem of Vaserstein. The main result is: the equation x^m y^m=z^m has a solution in SL2z if and only if m is not divisible by 4 or 6 and m is not congruent to 3 modulo 6. 相似文献
107.
108.
对水热处理后得到的USY沸石作进一步的酸处理以及采用改进的氟硅酸盐溶液骨架富硅工艺,分别得到了经XPS剖面分析证实为铝分布均匀的超稳Y沸石HAY-Ⅰ和HAY-Ⅱ。IR分析表明,在酸处理过程中从USY沸石中去掉的那部分非骨架铝类与3690cm~(-1)处羟基有关,仍残留在HAY-Ⅰ沸石中的那部分非骨架铝类与3670cm~(-1)和3600cm~(-1)处羟基有关。XRD和化学分析表明HAY-Ⅰ沸石仍含有约50%的非骨架铝类,而HAY-Ⅱ沸石则基本上不含非骨架铝类,HAY-Ⅱ沸石还显示更高的结晶保留度。DTA分析表明,HAY-Ⅰ和HAY-Ⅱ两种沸石的热稳定性均高于USY沸石。 相似文献
109.
110.
Ga1-xInxAs(x>0.53)材料是未来长距离低损耗光纤通信的理想光源材料和探测器材料之一.我们采用水平常压MOCVD系统,在InP衬底上成功地生长了Ga1-xInxAs(x>0.53)/InAsyP1-y/Inp异质结材料.其中InAs1-yPy为组份阶梯变化的多层结构.由样品的(400)面X光衍射结果测定了各层组份.由二次离子质谱(SIMS)得到了样品剖面组份变化结果,证明InAs1-yPy层组份为阶梯状变化的.通过对光致发光结果和X光衍射结果比较,可以看到,InAsyP1-y层通过位错和弹性畸变二种方式来释放或积累Ga1-xInxAs与InP间的失配应力,从而减少了Ga1-xInxAs中的失配位错.有效地改善了Ga1-xInxAs的质量.已获得了x高达0.94表面光亮的Ga1-xInxAs/InAs1-yPy/InP异质结材料. 相似文献