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51.
研究了初态为混合态的电荷量子比特与量子化光场之间的纠缠.通过求解系统的concurrence下限, 研究初态的混合度λ和失谐量Δ对系统纠缠随时间演化的影响. 在弱场中, 电荷量子比特初始是激发态的系统, 其纠缠度远远大于电荷量子比特初始是基态的系统, 并且Δ对系统的纠缠有明显的抑制作用. 在强场中, 电荷量子比特初始分别为激发态和基态时系统的纠缠演化接近一致, 初态混合度最高时系统的纠缠度最小, 并且Δ对系统纠缠的影响变弱.
关键词:
约瑟夫森结
纠缠
混合态
concurrence下限 相似文献
52.
Laser driven shocks can lead to a dynamic failure, called film spallation. Here, we use a modified laser spallation set-up
to measure the dynamic adhesion of thin films and we propose a novel diagnostic technology. Based on correlation theory, new
spallation criteria for characterizing the progressive damage at the interface between the film and the substrate are established,
such as interface delamination, film spallation and film expulsion. With the help of the theory, the degree of damage and
the dimension of damage (i.e. fracture), such as the minimum width of delamination radius, the thickness of the film etc.,
are estimated. Experiments are carried out on epoxy/stainless steel and epoxy/Al, and the experimental results show that their
dynamic bonding strengths are about 25 MPa and 20 MPa, respectively. The detailed results, analyses and discussions are presented
in this paper.
Received: 6 February 2001 / Accepted: 3 December 2001 / Published online: 11 February 2002 相似文献
54.
制备了Ta/FePt/C系列多层膜,研究了样品在不同温度退火后的磁特性和微结构.实验结果表明,不同厚度的Ta缓冲层具有不同的微结构特征,显著影响FePt层的L10有序相的形成及相应的矫顽力.当Ta缓冲层较薄,Ta层为非晶态,且较为粗糙,由此使FePt在界面处产生较多的缺陷并导致较高密度的晶界,在退火过程中,受束缚相对较弱的非晶态的Ta原子比较容易沿FePt的缺陷和晶界处向FePt层扩散,使FePt在相变过程中产生的应力比较容易释放,同时,Ta在扩散过程中产生的缺陷,降低了FePt有序
关键词:
FePt薄膜
0相')" href="#">L10相
原子扩散 相似文献
55.
A simple two ordinary lens system is proposed to realize the fractional Fourier transform (FRT) of continuously variable order while keeping the scaling factors of both the input and output functions as the same constant independent of the geometric parameters of the system and the FRT orders. It can remove the necessity and inconvenience of using input masks of different scales or any other special devices, and then is helpful to those who want to observe the FRT but have no specific facilities. 相似文献
56.
57.
X光底片在位相对标定 总被引:3,自引:0,他引:3
本文描述了X光底片在位相对标定技术。其原理是使X射线谱经阶梯形吸收滤片透射后,对X光底片曝光,测量底片的曝光量。文中给出了标定方法和数据处理方法,而且也给出了在X光激光实验中得到的Kodak AA5底片的特性曲线。 相似文献
58.
Quantum machine learning based on quantum algorithms may achieve an exponential speedup over classical algorithms in dealing with some problems such as clustering. In this paper, we use the method of training the lower bound of the average log likelihood function on the quantum Boltzmann machine (QBM) to recognize the handwritten number datasets and compare the training results with classical models. We find that, when the QBM is semi-restricted, the training results get better with fewer computing resources. This shows that it is necessary to design a targeted algorithm to speed up computation and save resources. 相似文献
59.
We give a conjecture on the lower bound of the ADM mass M by using the null energy condition. The conjecture includes a Penrose-like inequality $3M\geqslant \kappa { \mathcal A }/(4\pi )+\sqrt{{ \mathcal A }/4\pi }$ and the Penrose inequality $2M\geqslant \sqrt{{ \mathcal A }/4\pi }$ with ${ \mathcal A }$ the event horizon area and κ the surface gravity. Both the conjecture in the static spherically symmetric case and the Penrose inequality for a dynamical spacetime with spherical symmetry are proved by imposing the null energy condition. We then generalize the conjecture to a general dynamical spacetime. Our results raise a new challenge for the famous unsettled question in general relativity: in what general case can the null energy condition replace other energy conditions to ensure the Penrose inequality? 相似文献
60.
垂直磁各向异性稀土-铁-石榴石纳米薄膜在自旋电子学中具有重要应用前景.本文使用溅射方法在(111)取向掺杂钇钪的钆镓石榴石(Gd0.63Y2.37Sc2Ga3O12,GYSGG)单晶衬底上外延生长了2—100 nm厚的钬铁石榴石(Ho3Fe5O12,HoIG)薄膜,并进一步在HoIG上沉积了3 nm Pt薄膜.测量了室温下HoIG的磁各向异性和HoIG/Pt异质结构的自旋相关输运性质.结果显示,厚度薄至2 nm的HoIG薄膜(小于2个单胞层)在室温仍具有铁磁性,且由于外延应变,2—60 nm厚HoIG薄膜都具有很强的垂直磁各向异性,有效垂直各向异性场最大达350 mT;异质结构样品表现出非常可观的反常霍尔效应和“自旋霍尔/各向异性”磁电阻效应,前者在HoIG厚度小于4 nm时开始缓慢下降,而后者当HoIG厚度小于7 nm时急剧减小,说明相较于反常霍尔效应,磁电阻效应对HoIG的体磁性相对更加敏感;此外,自旋相关热电压随HoIG厚度减薄在整个厚度范围以指数方式下降,说明遵从热激化磁振子运动规律的自旋塞贝克效应是其主要贡献者.本文结果表明HoIG纳米薄膜具有可调控的垂直磁各向异性,厚度大于4 nm的HoIG/Pt异质结构具有高效的自旋界面交换作用,是自旋电子学应用发展的一个重要候选材料. 相似文献