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121.
122.
We have reported a novel design of surface plasmon resonance (SPR) device, which uses alternating dielectric layers to enhance the SPR signal quality and modulate its resonant position. Admittance loci method of thin film design has been used in the design of such a device. The use of biomolecular thin film, such as DNAs or Porteins, in this design can result in resonant condition of wavelength changes as well. Bio-plasmonics is proposed for the research and development of novel devices, which use biomolecules as a part of the plasmon oscillation system to actively interact with nano/micro structure.  相似文献   
123.
Two new isostructural cobalt selenite halides Co5(SeO3)4Cl2 and Co5(SeO3)4Br2 have been synthesized. They crystallize in the triclinic system space group P−1 with the following lattice parameters for Co5(SeO3)4Cl2: a=6.4935(8) Å, b=7.7288(8) Å, c=7.7443(10) Å, α=66.051(11)°, β=73.610(11)°, γ=81.268(9)°, and Z=1. The crystal structures were solved from single-crystal X-ray data, R1=3.73 and 4.03 for Co5(SeO3)4Cl2 and Co5(SeO3)4Br2, respectively. The new compounds are isostructural to Ni5(SeO3)4Br2.Magnetic susceptibility measurements on oriented single-crystalline samples show anisotropic response in a broad temperature range. The anisotropic susceptibility is quantitatively interpreted within the zero-field splitting schemes for Co2+ and Ni2+ ions. Sharp low-temperature susceptibility features, at TN=18 and 20 K for Co5(SeO3)4Cl2 and Co5(SeO3)4Br2, respectively, are ascribed to antiferromagnetic ordering in a minority magnetic subsystem. In isostructural Ni5(SeO3)4Br2 magnetically ordered subsystem represents a majority fraction (TN=46 K). Nevertheless, anisotropic susceptibility of Ni5(SeO3)4Br2 is dominated at low temperatures by a minority fraction, subject to single-ion anisotropy effects and increasing population of Sz=0 (singlet) ground state of octahedrally coordinated Ni2+.  相似文献   
124.
LaAlO3 (LAO) gate dielectric films were deposited on Si substrates by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition. The interfacial structure and composition distribution were investigated by high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), secondary-ion mass spectroscopy (SIMS), and Auger-electron spectroscopy (AES). HRTEM confirms that there exists an interfacial layer between LAO and Si in most samples. AES, SIMS, and XPS analyses indicate that the interfacial layer is compositionally graded La–Al silicate and the Al element is severely deficient close to the Si surface. Electrical properties of LAO films were evaluated. No evident difference in electrical properties between samples with and without native SiO2 layers was observed. The electrical properties are discussed in terms of LAO growth mechanisms, in relation to the interfacial structure. PACS 73.40.Qv; 81.15.Gh; 77.55.+f; 68.35.-p  相似文献   
125.
一个推广的Hardy-Hilbert型不等式及其逆式   总被引:1,自引:0,他引:1  
杨必成 《数学学报》2007,50(4):861-868
本文引入单参数λ及应用Beta函数,给一个Hardy-Hilbert型不等式以具有最佳常数因子的推广,作为应用,给出了它的逆向形式.  相似文献   
126.
127.
128.
刘军旗  黄长青  石林 《力学学报》2002,10(3):309-312
长江中下游的主要防洪工程是长江干堤 ,长江堤防线路长、工程浩大、堤基工程地质水文地质条件复杂 ,涉及大量的已有地质数据和资料。今后在整治加固堤防的工程地质勘察工作中 ,还需随时进行数据的收集、存储、检索、分析、统计和维护 ,随时调用这些数据进行综合处理、编制报告和图件 ;在防汛期间可以针对堤防险工险段的险情 ,随时查询和调用有关的资料、数据或者图件 ,提供采取抢险措施决策的地质依据。这既提高了地质数据的利用价值和利用率 ,又保证了信息的准确性、完整性和共享性。因此 ,建立合理的长江堤防工程地质信息处理模型及其成熟的技术方法具有重要的意义。  相似文献   
129.
A novel field emission pressure sensor has been achieved utilizing carbon nanotubes (CNTs) as the electron source. The sensor consists of the anode sensing film fabricated by wet etching process and multi-wall carbon nanotubes (MWNTs) cathode in the micro-vacuum chamber. MWNTs on the silicon substrate were grown by thermal CVD. The prototype pressure sensor has a measured sensitivity of about 0.17-0.77 nA/Pa (101-550 KPa). The work shows the potential use of CNTs-based field-emitter in microsensors, such as accelerometers and tactile sensors.  相似文献   
130.
非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火10min.退火温度为500℃时,薄膜表面形成了硅铝的混合相,非晶硅薄膜开始呈现了晶化现象 退火温度为550℃时,大部分(约80%)的非晶硅晶化为多晶硅,平均晶粒尺寸为500nm 退火温度为600℃时,几乎所有的非晶硅都转化为多晶硅,其平均晶粒尺寸约为15μm.  相似文献   
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