首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   35390篇
  免费   5866篇
  国内免费   4126篇
化学   25218篇
晶体学   354篇
力学   2239篇
综合类   251篇
数学   4710篇
物理学   12610篇
  2024年   94篇
  2023年   707篇
  2022年   873篇
  2021年   1129篇
  2020年   1428篇
  2019年   1352篇
  2018年   1148篇
  2017年   1125篇
  2016年   1644篇
  2015年   1596篇
  2014年   1923篇
  2013年   2521篇
  2012年   3091篇
  2011年   3207篇
  2010年   2234篇
  2009年   1999篇
  2008年   2299篇
  2007年   2049篇
  2006年   1920篇
  2005年   1651篇
  2004年   1275篇
  2003年   1144篇
  2002年   1199篇
  2001年   989篇
  2000年   772篇
  1999年   777篇
  1998年   626篇
  1997年   575篇
  1996年   619篇
  1995年   511篇
  1994年   431篇
  1993年   319篇
  1992年   327篇
  1991年   325篇
  1990年   251篇
  1989年   214篇
  1988年   133篇
  1987年   126篇
  1986年   149篇
  1985年   105篇
  1984年   86篇
  1983年   70篇
  1982年   46篇
  1981年   42篇
  1980年   33篇
  1978年   24篇
  1977年   25篇
  1976年   24篇
  1974年   21篇
  1973年   26篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
51.
The oxidation of SiGe film epitaxial grown on top of SOI wafers has been studied. These SiGe/SOI samples were oxidized at 700, 900, 1100 °C. Germanium atoms were rejected from SiGe film to SOI layer. A new Si1−xGex (x is minimal) layer formed at SiGe/Si interface. As the germanium atoms diffused, the new Si1−xGex (x is minimal) layer moved to Si/SiO2 interface. Propagation of threading dislocation in SiGe film to SOI substrate was hindered by the new SiGe/Si interface. Strain in SOI substrate transferred from SiGe film was released through dislocation nucleation and propagation inner. The relaxation of SiGe film could be described as: strain relaxed through strain equalization and transfer process between SiGe film and SOI substrates. Raman spectroscopy was used to characterize the strain of SiGe film. Microstructure of SiGe/SOI was observed by transmission electron microscope (TEM).  相似文献   
52.
Abstract In this paper, a dissipative Zakharov equations are discretized by difference method.We make priorestimates for the algebric system of equations. It is proved that for each mesh size,there exist attractors forthe discretized system.The bounds of the Hausdorff dimensions of the discrete attractors are obtained,and thevarious bounds are dependent of the mesh sizes.  相似文献   
53.
The structural evolution in amorphous silicon and germanium thin films has been investigated by high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) in conjunction with autocorrelation function (ACF) analysis. The results established that the structure of as-deposited semiconductor films is of a high density of nanocrystallites embedded in the amorphous matrix. In addition, from ACF analysis, the structure of a-Ge is more ordered than that of a-Si. The density of embedded nanocrystallites in amorphous films was found to diminish with annealing temperature first, then to increase. The conclusions also corroborate well with the results of diminished medium-range order in annealed amorphous films determined previously by a variable coherence microscopy method.  相似文献   
54.
According to an induced-matter approach, Liu and Wesson obtained the rest mass of a typical particle from the reduction of a 5D Klein–Gordon equation to a 4D one. Introducing an extra-dimension momentum operator identified with the rest mass eigenvalue operator, we consider a way to generalize the 4D Dirac equation to 5D. An analogous normal Dirac equation is gained when the generalization reduces to 4D. We find the rest mass of a particle in curved space varies with spacetime coordinates and check this for the case of exact solitonic and cosmological solution of the 5D vacuum gravitational field equations.  相似文献   
55.
脉冲电场屏蔽效能测试系统及测试方法   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
 自主研制了一套小型脉冲电场屏蔽效能测试系统,该系统由脉冲电场发射设备和脉冲电场测试设备构成。脉冲电场发射设备的天线口面前60 cm处可产生峰值达7.5 kV/m的脉冲电场,测试设备的动态测试范围达97 dB。系统采用光纤测量设备,在测量工作中能有效抑制强电磁场干扰。采用Matlab编写自动测量及数据处理程序,实现了数据采集与处理自动化。实验测量了金属桥架、控制柜、屏蔽帐篷、导电水泥混凝土房的脉冲电场屏蔽效能,其脉冲电场峰值衰减量分别为52,64,66,30 dB。实验表明可用脉冲电场的峰值衰减量来评估屏蔽体的脉冲电场屏蔽效能。  相似文献   
56.
Er3+掺杂的Bi2O3-B2O3-SiO2玻璃的光谱性质   总被引:2,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
测试了Bi2O3-B2O3-SiO2玻璃中的Er3+离子的吸收光谱、发射光谱、4I13/2的荧光寿命、拉曼光谱,及OH-的傅里叶红外吸收光谱。应用Judd-Ofelt理论计算了该玻璃中的Er3+离子的J-O参数、振子强度、4I13/2能级的寿命,从而利用测得的4I13/2的荧光寿命得出了4I13/2能级的量子效率(15%)。由于较低量子效率可能与OH-有关,所以计算了玻璃中的OH-浓度,发现其浓度较高(1.66×1019cm-1,相当于Er3+浓度的3倍)。应用McCumber理论和四能级模型计算了Er3+离子的受激发射截面和荧光发射光谱的半峰全宽,结果与通过吸收光谱计算所得基本吻合。根据透射率和折射率的关系计算了折射率,发现和测量值相差很大,说明有较大的散射,通过拉曼光谱和显微镜测试,认为是玻璃中的微小气泡造成的。  相似文献   
57.
张鹏  周印华  刘秀芬  田文晶  李敏  张国 《物理学报》2006,55(10):5494-5498
研究了不同比例的PVK与齐聚PPV衍生物DBVP掺杂体系的能量转移和发光特性.通过对PVK,DBVP及PVK:DBVP掺杂体系的UV-vis,PL和PLE光谱的研究,分析了PVK与DBVP之间的能量转移过程.利用PVK在体系中类似于溶剂的分散作用,制备了结构为ITO/PEDOT/PVK:DBVP/LiF/Al的电致发光器件,研究了掺杂体系的电致发光性能.结果表明,在掺杂体系的光致发光和电致发光中,PVK的发射被有效地抑制,PVK与DBVP之间发生了非常有效的能量转移,通过调节PVK与DBVP的比例,可以获得蓝色和绿色发光,同时可以改善器件的发光性能,当PVK与DBVP的重量比为1∶2时,器件的绿色发光效率达到1·06cd/A,此时发光亮度为52cd/m2.  相似文献   
58.
A convenient route was developed to synthesize S-oxo-[(methylthio)-methyl]cysteinols on a large scale from cheap l-serine as the starting material. The structures of diastereoisomers were determined by NMR, CD spectra, and X-ray diffraction analysis. All four diastereoisomers were examined for their ability to inhibit certain bacteria from growing.  相似文献   
59.
Three new polyoxygenated steroids, muricesteroid ( 1 ), and menellsteroids A ( 2 ) and B ( 3 ), were isolated from two species of the South China Sea gorgonian Muricella flexuosa and Menella verrucosa Brundin , respectively. The structures of these new compounds were elucidated on the basis of extensive spectroscopic analysis, chemical methods and comparison with known related compounds.  相似文献   
60.
对四种不同的实验构型下空气/水界面自由O-H键在3700cm~(-1)的和频振动光谱的分析表明,水分子在空气/水界面的取向运动只可能是在平衡位置附近有限角度之内的受限转动。界面水分子的自由O-H键取向距界面法线约33°,而取向分布或运动的宽度不超过15°。这一图像显著地不同于Wei等人(Phys. Rev. Lett.86,4799(2001))只通过单一的SFG实验构型所得出结论,即:空气/水界面的水分子在超快的振动弛豫时间内在很大的角度范围内运动。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号