单峰映射允许揉搓序列的维数和测度

本文证明了单峰映射的允许揉搓序列组成的集合在符号空间∑_2中的 Hausdorff 维数为1,1维 Hausdorff 测度为零。     

THE EIGENVALUE PROBLEM EQUIVALENT TO MULTIVARIATE POLYNOMIAL SYSTEM

In this paper, the authors proved that finding all solutions of a given multivariate polynomial system is equivalent to solving a relative joint eigenvalue problem(Theorem 1) and in some cases one can find all solutions of the given system from the eigenvalues and vectors of one matrix or matrix pencil (Theorem 2). Especially the situation that the ideal generated by the given system is 0-dimensional is discussed.     

Synthesis, Structure and Characterization of Manganese（ Ⅱ ） Coordination Polymer with Camphoric Acid and 1, 10-Phenanthroline

IntroductionThe syntheses of metal-organic coordination poly-mers have been attracting increasing attention owing tothe potential applications of their functional materials incatalysis,non-linear optics,magnetism sensors andmolecular recognition[1—7].Coordination polymers crys-tallized from polyaromatic acids and metal-ions are ofgreat interest for their polymeric structures and porousproperties[8—12].Their network topologies based on mo-lecular building blocks are usually controlled and mod…     

原子吸收分光光度计用于分子吸收分析测定稀土氧化物中铝和硅

用原子吸收分光光度计代替紫外－可见光度计测定元素的分子络合物的分子吸收。作为初步尝试，测定了稀土氧化物中的铝和硅，取得了满意的结果。     

非等强度,等脉冲相关技术测量甲酚紫染料的吸收恢复时间

利用非等强度、等脉冲相关技术测量甲酚紫染料吸收恢复时间。实验结果给出了甲酚紫染料吸收恢复时间为158ps。     

平滑、导数、基线校正对近红外光谱PLS定量分析的影响研究

基于偏最小二乘法 ,利用平滑、导数、基线校正预处理手段 ,对近红外光谱进行了定量分析 ,比较了分析结果 ,给出了不同预处理方法的PRESS值和RMSEC的值 ,比较并选取了最佳预处理方法。在平滑预处理方法中 ,比较了不同平滑点数对预测的影响 ,确定了最佳平滑点数 ,通过采用PLS回归分析 ,与原始光谱数据回归比较 ,结果令人满意。     

多孔硅发光与量子尺寸效应的实验研究

利用电化学阳极腐蚀的方法制备了多孔硅膜,实验发现多孔硅膜为多层结构,表面层为纳米结构,其余为微米结构,多孔硅的物理及化学结构的研究表明多孔硅是一种表面上含硅、氧、氢、氟元素组成的化合物包覆着的纳米晶硅粒和微米硅丝.多孔硅的发光主要来自表面纳米结构层,亚微米结构层并未见发光,从实验上证实了多孔硅的发光与量子尺寸效应紧密关联.     

纳米混合分子聚集体材料中弗兰克尔激子迁移的相位弛豫

在有机染料ＰＩＣ－１中引入其衍生物ａｚａＰＩＣ－Ｉ形成能量势垒，改变在混合分子聚集体中ＰＩＣ－Ｉ的Ｊ－聚集体的实体长度。用双调制外差检测的累积光子回波技术研究了相干弗兰克尔激子失相过程。观测到激子失相时间Ｔ２随ａｚａＰＩＣ－１克分子数的增大从６０ｐｓ变为２２４ｐｓ。     

间硝基苯甲酸稀土配合物的热分解

用TG-DTA,高温X-射线衍射研究了稀土间硝基苯甲酸配合物LnL_3·nH_2O(n=2,Ln=La→Lu+Y;n=0,Ln=Sc,HL=间硝基苯甲酸)的热分解行为,DSC测定其脱水相变过程中的热力学函数,同时用透射电镜观察了热分解产物的超微性。     

1．55μmInGaAsP及其相应量子阱结构的LP－MOCVD生长

本文研究了用低压金属有机化合物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术在（１００）ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＧａＡｓｐ体材料及ＩｎＧａＡＰ／ＩｎＰ量子阱结构材料的生长条件。三甲基镓（ＴＭ６３）、三甲基铟（ＴＭｈ）和纯的砷烷（Ａ８Ｈ３）、磷烷（ＰＨ３）分别用作Ⅲ族和Ⅴ族源，在非故意掺杂情况下，ＩｎＧａＡｓＰ材料的载流子浓度为３．６×１０１５ｃｍ－３；在液氦温度和室温下，与ＩｎＰ晶格匹配的ＩｎＧａＡｓＰ光致发光半峰宽分别为１９．２ｍｅＶ和６３ｍｅＶ；对外延层的组分及厚度均匀性分别进行了转靶Ｘ光衍射仪，低温光致发光和扫描电子显微镜分析，对不同阱宽的量子阱结构材料测出了由于量子尺寸效应导致光致发光波长随阱宽增加而红移现象。