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81.
This paper reports that Goos--H\"anchen (GH) shifts occurring on a symmetrical metal-cladding waveguide are experimentally identified. It was found that there exists a critical thickness of the upper metal layer, h_cr, above which negative shift is observed and, reversely, positive shift occurs. Both positive and negative GH shifts near the critical thickness do not vary dramatically and can achieve a maximum on the submillimeter scale, which is different from simulated results using the stationary-phase method. It also shows that this critical thickness, h_cr, can be obtained at the position for zero reflectivity by setting the intrinsic damping to be the same as the radiative damping. The GH effects observed near the critical thickness are produced by extreme distortion of the reflected beam profiles, which limits the amplitude of the GH shift and, further, the sensitivity of the GH optical sensor based on the symmetrical metal-cladding waveguide.  相似文献   
82.
Ca0.54Sr0.34−1.5xEu0.08Smx(MoO4)y (WO4)1−y red phosphors were prepared by solid-state reaction using Na+ as a charge compensator for light-emitting diodes (LED). The effects of Na+ concentration, synthesis temperature, reaction time and Eu3+ concentration were studied for the properties of luminescence and crystal structure of red phosphors. The results show that the optimum reaction condition is 6%, 900 °C, 2 h and 8%. The photoluminescence spectra show that red phosphors are effectively excited at 616 nm by 292, 395 and 465 nm. The wavelengths of 465 nm nicely match the widely applied emission wavelengths of blue LED chips.  相似文献   
83.
We report an Yb:Sr5(PO4)3F (Yb:S-FAP) laser emitting at 985 nm intracavity pumped by a 912 nm diode-pumped Nd:GdVO4 laser. A 808 nm diode laser is used to pump the Nd:GdVO4 crystal emitting at 912 nm, and the Yb:S-FAP laser emitting at 985 nm intracavity pumped at 912 nm. With incident pump power of 17.5 W, intracavity second harmonic generation has been demonstrated with a power of 131 mW at 492.5 nm by using a LBO nonlinear crystal.  相似文献   
84.
研究了一种基于螺旋波纹波导特殊色散特性对输入微波脉冲进行压缩的新方法。利用3维全电磁粒子模拟软件对X波段螺旋波纹波导进行了建模,模拟分析了该波导的特殊色散特性及提高功率增益的方法,并将已有模型脉冲压缩增益提高了6.65。模拟结果表明:通过优化输入微波的频率调制特性,可以获得更加符合被动式脉冲压缩所需要的调频形式;采用改进后的椭圆波导,可以得到更有利于被动式脉冲压缩的本征模式;通过延长渐变段长度,可以减少规则段和渐变段之间不均匀性造成的微波反射,从而实现更高的脉冲压缩增益。  相似文献   
85.
利用固相反应法制备了非化学计量配比的类钙钛矿锰氧化物La0.67Sr0.33-xxMnO3(0<x≤0.33),研究了A位空位对材料的晶体结构和输运性质的影响.对粉末X射线衍射谱的Rietveld全谱拟合表明样品均为单相,在x=0到x=0.33空位浓度范围内晶体对称性没有发生变化,均具有三方对称性,空间群为R3c< 关键词: 非化学计量配比锰氧化物 Rietveld全谱拟合 结构分析 输运性质  相似文献   
86.
对p型掺杂13 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益进行了实验和理论分析.实验上,测量了不同腔长激光器阈值电流密度与总损耗的对应关系,拟合出的最大模式增益为175 cm-1,与相同结构非掺杂量子点激光器的最大模式增益一致.同时理论分析表明,p型掺杂对InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益并无影响,并且最大模式增益的计算结果与实验值相符.具有较小高度或高宽比的量子点能达到更高的最大模式增益,而较高的最大模式增益对p型掺杂13 μm InAs/GaAs自组织量子点激光器在光通信系统中的应用具有重要意义. 关键词: 最大模式增益 p型掺杂 InAs/GaAs量子点激光器  相似文献   
87.
The generation of dual-wavelength domain-wall rectangular-shape pulses in a highly nonlinear fiber (HNLF)-based fiber ring laser is experimentally demonstrated. The dual-wavelength lasing operation is realized by employing the intracavity birefringence-induced spectral filtering effect. An 85 m long HNLF is introduced into the fiber ring laser to enhance the nonlinear effect, which is favorable for the cross coupling between the two lasing beams. Experimentally, it was found that the interval of two domain walls in the time domain could be adjusted by simply tuning the linear cavity phase delay, which results in the achievement of different output pulse shapes. By properly rotating the polarization controller (PC), the dual-wavelength rectangular-shape pulses could be efficiently obtained. The proposed fiber laser provides a simple and efficient way to generate rectangular-shape pulse.  相似文献   
88.
By using the first-principles calculation based on density functional theory, we investigate the electronic structures and transport properties of the defected and doped zigzag graphene nanoribbons (ZGNRs). The effects of multivacancies defects and impurities have been considered. The results show that band structures of ZGNRs can be tuned strongly and currents drop drastically due to the defect and impurities. Moreover, the notable suppression of conductance can be found near the Fermi level, leading to the negative differential resistance (NDR) behavior under low bias. This effect presents a possibility in novel nanoelectronics devices application.  相似文献   
89.
曹辉  赵清 《物理学报》2010,59(4):2187-2192
研究了在不同的相互作用和隧穿耦合强度比值情况下双势阱中冷原子的隧穿现象.两格点Bose-Hubbard模型不能完全解释实验.为此,对此模型做了高阶修正.取双势阱的基态和第一激发态作基矢,写出哈密顿量的表示,解释了用两格点Bose-Hubbard模型分析实验时参数不能定量符合的原因.另外,通过计算两阱中原子纠缠度的变化,结合三态上原子布居数分布,直观描述了整个隧穿过程.  相似文献   
90.
建立反相-高效液相色谱法(RP-HPLC)测定罗勒(Ocimum basilicumL.)中石吊兰素的含量。用Microsorb-M V 100-5C18(4.6mm×250mm,5μm)色谱柱,甲醇:1%醋酸=86:14(V/V)为流动相,流速为0.5mL/min,检测波长为335nm。石吊兰素浓度在0.27—32.4μg/mL范围内与峰面积线性关系良好(r=0.9999),方法平均回收率大于99%(n=9)。方法简单、可靠,可应用于罗勒植物中石吊兰素的含量测定。  相似文献   
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