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991.
992.
The La2Ti2O7:Pr^3+, which emits red color luminescence upon UV light excitation, is prepared by the conventional high-temperature solid-state method and its luminescent properties are systematically investigated. X-ray diffraction, photoluminescence, afterglow emission spectra and long-lasting phosphorescence (LLP) decay curves are used to characterize this phosphor. After irradiation by a 290-nm UV light for 3 rain, the Pr^3+-doped La2Ti2O7 phosphor emits intense red emitting afterglow from the ^1D2 →^ 3H4 transitions, and its afterglow can be seen with the naked eye in the dark clearly for more than 1 h after removal of the excitation source. The afterglow decay curve of the Pr^3+-doped La2Ti2O7 phosphor contains a fast decay component and another slow decay one. The possible mechanism of this red light emitting LLP phosphor is also discussed based on the experimental results. 相似文献
993.
The Influence of Au-Doping on Morphology and Visible-Light Reflectivity of TiN Thin Films Deposited by Direct-Current Reactive Magnetron Sputtering 下载免费PDF全文
Ti, TiN and Au-TiN (Au content: from 0.5%to 7.7%) thin films were deposited on stainless steel substrates by dc reactive magnetron sputtering with a metal Ti target. The crystal structure, surface morphology and visiblelight reflectivity of the films for different film compositions are studied in detail. Distinctly different surface morphologies appear for the Ti, TiN and Au-TiN thin films. It can be observed that the surface morphology of the TiN film is affected by the Au-doping, when the Au content increases from 0% to 7.7%, surface roughness enlarges from 62.4 to 82.8 nm. Moreover, visible-light reflectivity varies significantly with increasing A u contents in the TiN films. However, the rettectivity of the TiN thin film at 550-800 nm is higher than that of the Au-TiN thin film. The present work illustrates the dependence of metal elements on the surface morphology and on the reflectivity of Au-TiN thin films. It is speculated that the addition of Au can suppress the formation and growth of TiN grains so that it changes the surface morphology and the Au-TiN thin film has potential applications in spectral selective coating. 相似文献
994.
采用基于密度泛函理论的广义梯度近似(GGA),对不同尺寸(N=2—11)的单层正三角锯齿型石墨烯量子点(ZN -GNDs)的结构进行优化,得到与实验数据较好符合的晶格常数,进一步计算得到不同尺寸下体系的自旋多重度、磁矩、电子态密度以及自旋电子密度.结果表明:所有体系都呈现金属性,在尺寸较小的体系中量子尺寸效应对电子结构的影响比较明显;与单层石墨烯片一样,sp2杂化作用和非键态电子在量子点中仍起到非常重要的作用;费米能级上有自旋向上的电子分布,体系的
关键词:
石墨烯
量子点
电子结构
磁性 相似文献
995.
研究了有机光伏器件的激子阻挡层(EBL)的工作机制,对于像bathocuproine(BCP)和bathophenanthroline(Bphen)这样的电子阻挡层,主要利用的是他们的强的电子传输能力。而像copper phthalocyanine(CuPc)作为电子阻挡层则可利用它大的空穴传输能力和较低的HOMO能级。我们还发现当CuPc厚度为10~30nm时,CuPc表现出比BCP和Bphen高的EB特性。文中还较为详细地叙述了CuPc作为电子阻挡层的运行机制。 相似文献
996.
Applying the AdS/CFT correspondence,the expansion of the heavy-quark potential of N = 4 supersymmetric Yang-Mills theory at large N c is carried out to the next-leading term in the large ’t Hooft coupling at zero temperature.The strong coupling corresponds to the semi-classical expansion of the stringsigma model,the gravity dual of the Wilson loop operator,with the next-leading term expressed in terms of functional determinants of fluctuations.The singularities of these determinants are examined and their contributions are evaluated numerically.We find the next-leading order correction is negative and suppressed by minus square root of the ’t Hooft coupling relative to the leading order. 相似文献
997.
光吸收跃迁效应是半导体光电探测器的基本物理过程.文章主要介绍光吸收跃迁效应在窄禁带半导体红外探测器应用方面的研究进展.讨论窄禁带半导体带间光吸收跃迁的理论和实验.文章还介绍了本征光吸收系数的表达式及其在材料表征和确定器件截止波长方面的应用,以及它在解释近年来发现的HgCdTe光电二极管电致负荧光现象方面的应用. 相似文献
998.
999.
ShengBiaoWAN JunFENG FengMingCHU ZongRuGUO 《中国化学快报》2005,16(2):151-154
S-akyl thiobenzoate compounds were designed as farnesyltransferase (FTase) inhibitors. An effective synthetic method was explored. The structures of the target compounds were elucidated by NMR spectral and elemental analysis. 相似文献
1000.