晶格畸变检测仪研究碳化硅晶片中位错缺陷分布

利用晶格畸变检测仪研究了SiC晶片位错分布情况,通过对熔融KOH腐蚀后的SiC晶片进行全片或局部扫描,从而得到完整SiC晶片或局部区域的位错分布.与LEXT OLS40003D激光共聚焦显微镜扫描腐蚀图进行比较,晶格畸变检测仪扫描腐蚀图可以将晶片上位错腐蚀坑信息完全呈现出来,且根据腐蚀坑呈现的颜色及尺寸大小,可以分辨出...     

Microwave Pyrolysis and Electrochemical Supercapacitor of S-doped g-C_3N_4 Nanoparticles

In this study, S-doped g-C_3N_4 nanoparticles were successfully prepared by one-step solid-state microwave synthesis. The detailed characterizations through XRD, FT-IR, SEM and XPS were studied. In addition, the electrochemical properties as supercapacitor of the sample were tested by cyclic voltammetry(CV), galvanostatic charge-discharge(GCD) and electrochemical impedance spectroscopy(EIS) techniques. The results showed a high specific capacitance of 691 F/g at current density of 4 A/g in 2 M KOH + 0.15 M K_3[Fe(CN)_6] electrolyte. This study shows that the microwave synthesis is a promising way to design carbon-based electrodes for supercapacitor.     

新型含氮螯合树脂的制备及其吸附性能

以三甘醇和苯磺酰氯为原料,二乙烯三胺为交联剂合成了新型含氮螯合树脂(5),其结构经IR表征.讨论了Ni2 浓度和pH对5吸附容量的影响.动力学研究表明,5对Ni2 的吸附速率符合鲛岛公式.     

Complete Solution of Sun Tracking for Heliostat

A general solution of sun tracking for an arbitrarily oriented heliostat towards an arbitrarily located target on the earth is published. With the most general form of solar tracking formulae, it is seen that the used azimuth-elevation, spinning-elevation tracking formulae etc. are the special cases of it. The possibilities of utilizing the general solution and its significance in solar energy engineering are discussed.     

A Hierarchy of Integrable Lattice Soliton Equations and New Integrable Symplectic Map

Starting from a discrete spectral problem, a hierarchy of integrable lattice soliton equations is derived. It is shown that the hierarchy is completely integrable in the Liouville sense and possesses discrete bi-Hamiltonian structure. A new integrable symplectic map and finite-dimensional integrable systems are given by nonlinearization method. The binary Bargmann constraint gives rise to a Bäcklund transformation for the resulting integrable lattice equations. At last, conservation laws of the hierarchy are presented.     

快速响应高压电源在KTP晶体极化反转中的应用研究

分析了KTP晶体电导率的特性,设计与研制出一种新型的高压脉冲放大器,可将任意信号发生器产生的信号线性放大,响应速度快,最高输出电压为4000V,最大输出电流为30mA,功率可达100W.用其在KTP晶体上进行多次极化反转实验,取得良好的实验结果.     

LBO晶体超光滑表面抛光机理

胶体SiO2抛光LBO晶体获得无损伤的超光滑表面,结合前人对抛光机理的认识,探讨了超光滑表面抛光的材料去除机理,分析了化学机械抛光中的原子级材料去除机理.在此基础上,对胶体SiO2抛光LBO晶体表面材料去除机理和超光滑表面的形成进行了详细的描述,研究抛光液的pH值与材料去除率和表面粗糙度的关系.LBO晶体超光滑表面抛光的材料去除机理是抛光液与晶体表面的活泼原子层发生化学反应形成过渡的软质层,软质层在磨料和抛光盘的作用下很容易被无损伤的去除.酸性条件下,随抛光液pH值的减小抛光材料的去除率增大;抛光液pH值为4时,获得最好的表面粗糙度.     

Cu3N薄膜及其研究现状

Cu3N薄膜是近10年来研究的热点材料之一.Cu3N是立方反ReO3结构,理想立方反ReO3结构的一个晶胞中Cu原子占据立方边的中心位置而N原子占据立方晶胞的八个顶点,此结构的体心位置有一较大间隙,Cu原子以及其他原子如Pd、碱金属原子等很有可能进入此位置导致Cu3N的电学性能、光学性能等发生很大的变化,这使得该材料具有很大的潜在应用价值.Cu3N的晶格常数为0.3815nm,密度5.84g/cm3,分子量204.63,颜色呈黑绿色或红褐色,空间点群Pm3m.Cu3N薄膜在室温下相当稳定并且热分解温度较低(300℃左右),热分解前后薄膜的光学反射率有较大差别,这可使Cu3N薄膜用作一次性光记录材料.此外,Cu3N薄膜还可用作在Si片上沉积金属Cu线的缓冲层、低磁阻隧道结的阻挡层、自组装材料的模板等.     

3英寸6H-SiC单晶的生长

SiC是宽带隙半导体材料的典型代表,具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一,因此高质量、大直径SiC单晶的生长一直是材料研究领域的热点课题。目前美国的Cree公司在SiC单晶生长领域研发方面起步早、投入大,SiC单晶的直径达到4英寸,处于领先地位。我国在“十五”期间投入了一定的人力、物力进行了SiC单晶生长的研究,在生长2英寸SiC单晶的工作中取得了一定的成绩[1],但更大直径的SiC单晶生长技术进展缓慢,至今未见国内报道。而对…     

6H-SiC衬底片的表面处理

相比于蓝宝石,6H-SiC是制作GaN高功率器件更有前途的衬底.本文研究了表面处理如研磨、化学机械抛光对6H-SiC衬底表面特性的影响.用显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、卢瑟福背散射谱表征了衬底表面.结果表明经过两步化学机械抛光后提高了表面质量.经第二步化学机械抛光后的衬底具有优异的表面形貌、高透射率和极小的损伤层,其表面粗糙度RMS是0.12nm.在该衬底上用MOCVD方法长出了高质量的GaN外延膜.