首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   29779篇
  免费   6484篇
  国内免费   11509篇
化学   22117篇
晶体学   1189篇
力学   2334篇
综合类   1493篇
数学   5012篇
物理学   15627篇
  2024年   74篇
  2023年   285篇
  2022年   989篇
  2021年   1026篇
  2020年   1009篇
  2019年   944篇
  2018年   912篇
  2017年   1354篇
  2016年   990篇
  2015年   1453篇
  2014年   1755篇
  2013年   2387篇
  2012年   2225篇
  2011年   2609篇
  2010年   2535篇
  2009年   2856篇
  2008年   2996篇
  2007年   2726篇
  2006年   2813篇
  2005年   2440篇
  2004年   1950篇
  2003年   1376篇
  2002年   1369篇
  2001年   1570篇
  2000年   1686篇
  1999年   972篇
  1998年   476篇
  1997年   400篇
  1996年   365篇
  1995年   304篇
  1994年   335篇
  1993年   347篇
  1992年   283篇
  1991年   221篇
  1990年   233篇
  1989年   243篇
  1988年   197篇
  1987年   162篇
  1986年   148篇
  1985年   96篇
  1984年   115篇
  1983年   109篇
  1982年   74篇
  1981年   84篇
  1980年   66篇
  1979年   49篇
  1978年   30篇
  1977年   14篇
  1965年   21篇
  1959年   12篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
指出在信息处理与决策中应用λ-可加模糊信息测度评价信息的必要性。讨论λ-可加模糊测度的转换函数构造法,给出其转换函数的一般形式,并指出λ-可加模糊测度分布函数的性质,重点分析经典分布参数的变化对λ-可加模糊测度的影响,进而说明:λ-可加模糊测度是一种刻画理性多样性的有效方式,它可用于表达决策人或行为人对共同的小概率事件的激进或者保守的评价。  相似文献   
62.
首先借助整数扩充为有理数的办法构作一个分配格对它的滤子的分式扩张,然后用泛映射性质来刻画由任意分配格所构作的分式扩张,最后讨论了这种扩张的理想结构。  相似文献   
63.
利用晶格畸变检测仪研究了SiC晶片位错分布情况,通过对熔融KOH腐蚀后的SiC晶片进行全片或局部扫描,从而得到完整SiC晶片或局部区域的位错分布.与LEXT OLS40003D激光共聚焦显微镜扫描腐蚀图进行比较,晶格畸变检测仪扫描腐蚀图可以将晶片上位错腐蚀坑信息完全呈现出来,且根据腐蚀坑呈现的颜色及尺寸大小,可以分辨出...  相似文献   
64.
In this study, S-doped g-C_3N_4 nanoparticles were successfully prepared by one-step solid-state microwave synthesis. The detailed characterizations through XRD, FT-IR, SEM and XPS were studied. In addition, the electrochemical properties as supercapacitor of the sample were tested by cyclic voltammetry(CV), galvanostatic charge-discharge(GCD) and electrochemical impedance spectroscopy(EIS) techniques. The results showed a high specific capacitance of 691 F/g at current density of 4 A/g in 2 M KOH + 0.15 M K_3[Fe(CN)_6] electrolyte. This study shows that the microwave synthesis is a promising way to design carbon-based electrodes for supercapacitor.  相似文献   
65.
新型含氮螯合树脂的制备及其吸附性能   总被引:1,自引:0,他引:1  
陈兴娟  申颖 《合成化学》2008,16(1):24-27
以三甘醇和苯磺酰氯为原料,二乙烯三胺为交联剂合成了新型含氮螯合树脂(5),其结构经IR表征.讨论了Ni2 浓度和pH对5吸附容量的影响.动力学研究表明,5对Ni2 的吸附速率符合鲛岛公式.  相似文献   
66.
A general solution of sun tracking for an arbitrarily oriented heliostat towards an arbitrarily located target on the earth is published. With the most general form of solar tracking formulae, it is seen that the used azimuth-elevation, spinning-elevation tracking formulae etc. are the special cases of it. The possibilities of utilizing the general solution and its significance in solar energy engineering are discussed.  相似文献   
67.
Starting from a discrete spectral problem, a hierarchy of integrable lattice soliton equations is derived. It is shown that the hierarchy is completely integrable in the Liouville sense and possesses discrete bi-Hamiltonian structure. A new integrable symplectic map and finite-dimensional integrable systems are given by nonlinearization method. The binary Bargmann constraint gives rise to a Bäcklund transformation for the resulting integrable lattice equations. At last, conservation laws of the hierarchy are presented.  相似文献   
68.
分析了KTP晶体电导率的特性,设计与研制出一种新型的高压脉冲放大器,可将任意信号发生器产生的信号线性放大,响应速度快,最高输出电压为4000V,最大输出电流为30mA,功率可达100W.用其在KTP晶体上进行多次极化反转实验,取得良好的实验结果.  相似文献   
69.
LBO晶体超光滑表面抛光机理   总被引:1,自引:0,他引:1  
胶体SiO2抛光LBO晶体获得无损伤的超光滑表面,结合前人对抛光机理的认识,探讨了超光滑表面抛光的材料去除机理,分析了化学机械抛光中的原子级材料去除机理.在此基础上,对胶体SiO2抛光LBO晶体表面材料去除机理和超光滑表面的形成进行了详细的描述,研究抛光液的pH值与材料去除率和表面粗糙度的关系.LBO晶体超光滑表面抛光的材料去除机理是抛光液与晶体表面的活泼原子层发生化学反应形成过渡的软质层,软质层在磨料和抛光盘的作用下很容易被无损伤的去除.酸性条件下,随抛光液pH值的减小抛光材料的去除率增大;抛光液pH值为4时,获得最好的表面粗糙度.  相似文献   
70.
Cu3N薄膜是近10年来研究的热点材料之一.Cu3N是立方反ReO3结构,理想立方反ReO3结构的一个晶胞中Cu原子占据立方边的中心位置而N原子占据立方晶胞的八个顶点,此结构的体心位置有一较大间隙,Cu原子以及其他原子如Pd、碱金属原子等很有可能进入此位置导致Cu3N的电学性能、光学性能等发生很大的变化,这使得该材料具有很大的潜在应用价值.Cu3N的晶格常数为0.3815nm,密度5.84g/cm3,分子量204.63,颜色呈黑绿色或红褐色,空间点群Pm3m.Cu3N薄膜在室温下相当稳定并且热分解温度较低(300℃左右),热分解前后薄膜的光学反射率有较大差别,这可使Cu3N薄膜用作一次性光记录材料.此外,Cu3N薄膜还可用作在Si片上沉积金属Cu线的缓冲层、低磁阻隧道结的阻挡层、自组装材料的模板等.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号