《史墙盘》铭文补释—兼论“成康之治”

《史墙盘》铭赞颂成、康两代周王,用辞虽简但准确可靠。铭谓成王的左右大臣“绶（绘）刚鲧”,意即大臣皆佩有组绶、穿着彩绘彩绣的官服,他们刚毅正直,文质彬彬。铭谓“肇徹周邦”,意成王肇始开拓周邦疆域。关于康王,铭文谓“厉（励）尹亿疆”,是说他勉力治理广大疆域。成王、康王对于周王朝的巩固和发展有重大贡献,那个时代的社会稳定发展,社会蒸蒸日上,史称“成康之治”,是有道理的。     

基于流固耦合的锚索涡激振动抑制方法研究

悬浮隧道锚索的涡激振动会加剧锚索的疲劳破坏,进而影响悬浮隧道的使用寿命和安全.文章在海洋立管涡激振动抑制研究的基础上,考虑悬浮隧道锚索倾斜角度和来流方向的影响,采用流固耦合的数值方法,对整流罩方法和三控制杆方法的抑制效果进行了分析.结果表明,在顺来流方向,两种方法均具有良好的抑振效果;锚索有倾斜的情况下,三控制杆方法的效果会有所提升;但在来流方向改变时,整流罩方法具有较强的适应性.     

关于扇和完全等二部图联图的点可区别边染色

通过结构分析的方法,考虑各种不同情况,给出了一类联图的点可区别的边染色方法,并得到了它的点可区别的边色数.     

(La1-xCex)2/3Ca1/3MnO3体系的输运性质和反常磁特性研究

本文报告了对Ce掺杂锰氧化物(La1-xCex)2/3Ca1/3MnO3 (x=0～1.0)系列样品的输运特性和反常磁特性的研究结果.实验表明,Ce掺杂对Tc有明显的抑制作用,整体上电阻率随Ce掺杂含量增加而上升,在外加磁场时表现出极大的磁电阻效应.磁化强度随温度变化的曲线出现了两个转变,高温处对应于Mn离子磁矩的铁磁金属转变,低温处的转变则对应于Ce离子磁矩自旋有序排列的形成.表明Ce掺杂引起样品中铁磁双交换作用和反铁磁超交换作用之间的竞争,Ce离子与Mn离子有很强的相互作用.随Ce掺杂含量的增加,铁磁有序转变温度下降,而反铁磁有序转变温度则向高温处移动,铁磁区域明显减小.     

次b凸函数和次b凸规划

研究一种称为次b 凸函数的广义凸函数, 并介绍了次b 凸集的概念. 分别在一般情形及可微情形下讨论了次b 凸函数的相关性质, 得到了次b 凸函数成为拟凸函数及伪凸函数的充分条件. 最后, 在次b 凸函数的条件下给出了无约束及带不等式约束规划的最优性条件.     

基于混合算法的传导冷却高温超导磁体的优化设计

遗传算法是一种行之有效的优化算法,具有很强的自适应性、鲁棒性和全局搜索能力,但其亦存在着未成熟收敛及进化缓慢等问题.为提高遗传算法的寻优性能并考虑到磁体工程实际问题,本文对遗传算法作了改进,并与局部优化算法序列二次规划算法相结合形成一种优势互补的混合算法,并将其应用于3.2T传导冷却Bi系高温超导磁体的优化设计中,取得了良好效果.     

超导体与磁体间的三维磁力及磁场测试装置研制

本文研制的三维磁力测试夹具和三维霍耳探头,可以实现:1)直接测量出磁体与磁体、磁体与超导体等之间的三维磁力随两者之间相对位置的变化规律;2)直接测量出任何磁体或组合磁体在空间的三维磁场分布;3)通过将三个三维霍尔探头或九个单独的霍尔探头分别按研究内容的需要固定在所要研究的空间区域,再改变磁体与磁体之间、或磁体与超导体等之间的相对位置,从而在测量出它们之间的相互作用力的同时,测量出由于它们之间因相对位置改变而引起的动态磁场分布变化;还可以得到磁体接近超导体时磁场进入超导体的动态变化规律等.该套测试装置,将工作效率提高到原来的300%以上.这对研究磁性材料的宏观磁性质具有非常重要的意义.     

超导体与磁体间的三维磁力及磁场测试装置研制

本文研制的三维磁力测试夹具和三维霍耳探头，可以实现：1）直接测量出磁体与磁体、磁体与超导体等之间的三维磁力随两者之间相对位置的变化规律；2）直接测量出任何磁体或组合磁体在空间的三维磁场分布；3）通过将三个三维霍尔探头或九个单独的霍尔探头分别按研究内容的需要固定在所要研究的空间区域，再改变磁体与磁体之间、或磁体与超导体等之间的相对位置，从而在测量出它们之间的相互作用力的同时，测量出由于它们之间因相对位置改变而引起的动态磁场分布变化；还可以得到磁体接近超导体时磁场进入超导体的动态变化规律等．该套测试装置，将工作效率提高到原来的300％以上．这对研究磁性材料的宏观磁性质具有非常重要的意义．     

利用再生核解一类变系数偏微分方程

如何求解偏微分方程,已经成为各个领域内非常重视的课题.在再生核空间中,给出了变系数偏微分方程的级数形式精确解,为了数值计算,给出了一个迭代方法,并证明了迭代方法的收敛性.数值算例表明本文方法是有效的而且具有良好的实用性.     

非晶合金Fe78Si9B13在脉冲电流作用下的单相晶化

对非晶合金Fe₇₈Si₉B₁₃进行了超短脉冲电流处理，实现了晶化时α-Fe（Si）单相结构析出．可以认为，脉冲电流作用时，电子运动与非晶中空位型结构缺陷间的周期性排斥效应促进了类金属原子从非晶结构单元中析出，使Fe（Si）原子局部富集，导致基体金属相在较低温度下优先成核．而在空位的定向迁移的同时，将伴随B原子的扩散，则B原子局域富集，Fe-B化合物的形核析出就要受到这两个因素的抑制 关键词：