全文获取类型
收费全文 | 715篇 |
免费 | 123篇 |
国内免费 | 203篇 |
专业分类
化学 | 547篇 |
晶体学 | 20篇 |
力学 | 56篇 |
综合类 | 11篇 |
数学 | 115篇 |
物理学 | 292篇 |
出版年
2024年 | 3篇 |
2023年 | 12篇 |
2022年 | 20篇 |
2021年 | 32篇 |
2020年 | 45篇 |
2019年 | 22篇 |
2018年 | 31篇 |
2017年 | 30篇 |
2016年 | 39篇 |
2015年 | 38篇 |
2014年 | 37篇 |
2013年 | 52篇 |
2012年 | 62篇 |
2011年 | 55篇 |
2010年 | 61篇 |
2009年 | 49篇 |
2008年 | 83篇 |
2007年 | 51篇 |
2006年 | 60篇 |
2005年 | 44篇 |
2004年 | 47篇 |
2003年 | 29篇 |
2002年 | 27篇 |
2001年 | 24篇 |
2000年 | 15篇 |
1999年 | 18篇 |
1998年 | 10篇 |
1997年 | 5篇 |
1996年 | 3篇 |
1995年 | 7篇 |
1994年 | 3篇 |
1993年 | 4篇 |
1992年 | 5篇 |
1991年 | 2篇 |
1989年 | 3篇 |
1988年 | 2篇 |
1987年 | 4篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 1篇 |
1984年 | 1篇 |
1983年 | 1篇 |
1980年 | 1篇 |
1964年 | 2篇 |
排序方式: 共有1041条查询结果,搜索用时 93 毫秒
71.
72.
本文较为详细地讨论了当证券市场不存在无风险收益证券且允许卖空时证券数的增加对 M-V证券组合有效边缘及其特征的影响 ,给出了有效边缘、渐近线斜率、全局最小方差证券组合及其协方差、最小方差证券组合的投资权数等的变化模式 相似文献
73.
74.
相依样本分布函数、回归函数的非参数估计的强相合性 总被引:5,自引:0,他引:5
设 X_1,X_2,…,X_n 是来自未知分布函数 F(x)的 R~d(d≥1)维随机样本,通常用基于 X_1,X_2,…,X_n 的经验分布函数 F_n(x)来估计 F(x).当样本是独立时,'F_n(x)的大样本性质是众所周知的.Yamato 在1973年提出了 F(x)的核估计的方法:设 W_(?)(x)是 R~d 上的已知分布函数,定义 F(x)的核估计为 相似文献
75.
76.
设X1,X2,…,Xn是来自具有密度f的总体的Rd(d≥1)中iid。样本,定义基于样本X1,X2,…,Xn的f(x)的核估计为:其中窗宽hn不仅依赖于样本X1,X2,…,Xn,也同x有关,我们在关于核及hn的很弱条件下,得到了fn(x)的强一致相合性,而且应用这个一般结果于一个重要特例——最近邻估计,施加于数串{kn}的限制较文献[4]大为减弱,我们的工作,使在“核具有有界支撑”这一限制下,随机窗宽核估计的强相合问题达到接近彻底解决的程度。 相似文献
77.
78.
基于FPGA的实时图像增强设计 总被引:1,自引:0,他引:1
局部直方图均衡是以全局直方图均衡化方法为基础,对图像中每个像素点所在的邻域范围求出灰度转换函数,然后仅应用在该中心点处。为了提高算法的运算速度,特别是在处理视频图像时,采取传统的DSP的设计方法在速度上很难满足需要,因此,利用FPGA实现是一个很好的选择。为使局部直方图均衡方法能够在FPGA上具体实现,从空间域的角度改进了图像灰度直方图均衡算法,并利用VHDL语言对算法进行了完全可综合的RTL级描述,最后在硬件平台上验证了结果。 相似文献
79.
讨论了串联系统在具有多源验前信息的情形下的可靠性评估问题,运用K u llback信息作为分布之间距离的度量,在K u llback信息的融合准则下对多个先验分布进行融合.并以融合后的先验分布作为系统的最终验前分布,对串联系统的可靠性指标进行Bayes估计.最后进行的计算机随机模拟结果表明,文中所提出的方法合理且便于应用. 相似文献
80.
Influence of O2 Flux on Compositions and Properties of ITO Films Deposited at Room Temperature by Direct-Current Pulse Magnetron Sputtering 下载免费PDF全文
Indium tin oxide (ITO) films were deposited on glass substrates at room temperature by dc pulse magnetron sputtering. Varying 02 flux, ITO films with different properties are obtained. Both x-ray diffractometer and x-ray photoelectron spectrometer are used to study the change of crystalline structures and bonding structures of ITO films, respectively. Electrical properties are measured by four-point probe measurements. The results indicate that the chemical structures and compositions of ITO films strongly depend on the O2 flux. With increasing O2 flux, ITO films display better crystallization, which could decrease the resistivity of films. On the contrary, ITO films contain less O vacancies with increasing O2 flux, which could worsen the conductive properties of films. Without any heat treatment onto the samples, the resistivity of the ITO film could reach 6.0 × 10^-4 Ω·cm, with the optimal deposition parameter of 0.2 scem O2 flux. 相似文献