正电子湮没寿命谱的傅里叶变换分析法

本文提出了一种通过傅里叶变换在频域内进行正电子湮没寿命谱分析的方法。文中对正电子湮没寿命谱的傅里叶变换谱的基本特性和该方法的潜在优点进行了若干讨论。 关键词：     

用正电子湮没技术研究形变铁的恢复

本文介绍应用正电子湮没寿命和多普勒加宽方法研究60％形变铁等时退火各阶段中缺陷的恢复行为,实验结果说明正电子湮没平均寿命τ及多普勒加宽的S参数都是退火温度的函数,完整晶体中湮没寿命τ_f=111±lPS,缺陷中湮没寿命τ_d=162±lps,本文还根据捕获模型计算了正电子的捕获速率及τ₁,结果证明与理论预期的完全一致,经计算得出捕获正电于的相对缺陷浓度的范围为10^-7-10^-4数量级。 关键词：     

产生多个大横动量成份的超高能核作用事例

对甘巴拉山乳胶室得到的一个∑E_r≈1300TeV的r线簇进行了分析,这个事例是发生在乳胶室上方的核作用,产生的高度低于150m,事例的中心部分由5个集团组成,对此事例的特性进行了讨论。 关键词：     

μ-介子在Be7原子核上的俘获

利用考虑到重正化效果的普适V-A理论,本文计算了μ^-被Be⁷俘获后跃迁到Li⁷的基态与第一激发态的俘获几率,Li⁷核第一激发态的极化,以及由此跃迁到其基态时放出γ光的偏振度,其中对于不同的超精细结构态分别进行了计算,计算过程中,采用了壳层模型的原子核波函数。并假定忽略二次效应下,S态的四个核子没有参加作用。     

质子轰击条形结构InGaAsP/InP内调Q DH双稳态激光器

本文报道一种质子轰击条形结构内调Q InGaAsP/InP DH双稳态激光器(简称BSDH)。该激光器具有典型的光输出双稳态特性,实验测得两个典型样品的双稳态工作区电流跨度△I分别为50mA,200mA,它随器件结构参数的选取而异,值得指出的是在不同注入电流下观察到高态激光输出呈单纵模稳频特性,峰值波长λ₀=1.2596μm,频率(波长)稳定度优于10^-5,本文对上述现象从物理上进行了定性的讨论。 关键词：     

一致可逆性质与(ω)性质的判定

利用算子的一致可逆性质,定义了一个新的谱集,分别给出了有界线性算子满足(ω)性质的充分条件和必要条件,并在此基础上得到算子与其算子演算满足(ω)性质的判定条件。     

Reaction kinetic behavior of different carbon monoxide adspecies on palladium-alumina during oxidation: an in-situ IR study

Carbon monoxide oxidation on Pd(10 w.t.%)-alumina was studied by in-situ infrared spectroscopy. It was found that the oxidation reactivities vary with different CO adspecies: linear COad > 2-fold bridged COad > multi-bridged COad.     

A型和B型超导体的临界场

本文分析了超导体的热力学临界场H_c(0)的实验数据,得到A型和B型超导体的H_c(0)分别随λ和λ〈ω²〉增大而增加的结论。 关键词：     

In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs单量子阱PL谱温度特性及其机制

测量了不同阱宽In0.2Ga0.8As/GaAs单量子阱的PL谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用Varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,无位错应变量子阱带隙仍具有其体材料的特性:荧光谱线半峰全宽随温度升高迅速展宽,这主要归因于声子关联作用增强和激子热离化为自由载流子所致;阱宽越窄荧光峰值能量越高,将其与量子尺寸效应的理论计算结果进行了比较。文中还考察了谱线半峰全宽和阱宽的关系,利用合金无序对这一现象进行了解释。     

表面氧钝化碳化硅纳米团簇电子结构和光学性质的第一性原理研究

基于密度泛函理论(DFT)和广义梯度近似(GGA),对氧钝化条件下4H-SiC纳米团簇的电子结构和光学性质进行了研究。计算了不同直径的4H-SiC纳米球氧钝化后的能带结构、电子态密度和光学性质。团簇的尺度在0.4~0.9 nm之间,构建表面仅存在硅氧双键和表面仅存在碳氧双键的两种模型。研究表明硅氧双键和碳氧双键所引起的缺陷态位于原4H-SiC的价带和导带之间,并且缺陷态与价带顶的能量差随纳米团簇颗粒直径的增大而减小;缺陷态主要是由Si原子外层电子和氧原子外层电子轨道杂化引起的。同时,由于氧的存在,对碳化硅的结构产生一定的影响,这也是缺陷态形成的一个原因。另外,碳氧双键和硅氧双键钝化对4H-SiC纳米团簇的光学性质有着不同的影响。在表面仅存在C=O的情况下,4H-SiC纳米团簇表现出各向同性的性质。在表面仅存在Si=O的情况下,4H-SiC纳米团簇表现出各向异性的性质。