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11.
 介绍了兰州重力加速器冷却储存环实验环二极磁铁积分长线圈测磁装置的构成,描述了实验环二极铁的分散性测量、横向分布测量、传递函数等测量内容及测量方法。实验环二极铁采用不断地加减硅钢铁片垫补和加调整线圈电流的方法来调整二极磁铁的有效长度来改变分散性。通过垫补和测量,二极磁铁的分散性在优化磁场时达到±2×10-4。同时给出了二极铁的横向分布和传递函数的测量结果。对二极铁的设计和加工进行了修正。  相似文献   
12.
陈骝  周玉美  蔡诗东 《物理学报》1981,30(11):1448-1455
本文论证了当泵浦波的强度足够强时,在相当普遍的条件下,对均匀等离子体,唯一可以发生的参量不稳定性是类似于弱场的振荡二束不稳定性(OTSI)。对均匀及弱不均匀等离子体,高频强泵浦场激发的参量不稳定性都是绝对不稳定性。同样的性质在磁化等离子体中也可以得到。 关键词:  相似文献   
13.
直流磁控溅射一步法原位制备MgB2超导薄膜   总被引:6,自引:1,他引:5       下载免费PDF全文
用MgB2靶,控制直流磁控溅射工作在异常辉光放电或弧光放电状态,在SrTiO3衬底上原位一次性得到了MgB2超导薄膜,其起始转变温度为32K,零电阻温度为15K. 关键词: 高温超导体 超导薄膜 磁控溅射 二硼化镁  相似文献   
14.
NA列加权乘积和的完全收敛性   总被引:4,自引:0,他引:4  
本文讨论了NA和几类加权部分和及加权乘积和的完全收敛性,其中部分结果要优于iid列的已知结论。  相似文献   
15.
基元阀在汽轮机进汽阀研究中的应用   总被引:1,自引:1,他引:0  
阀碟型线对汽轮机进汽阀的性能影响很大,本文设计了三种形式的基元阀,通过数值模拟手段研究了阀碟型线对流场的影响;得出了不同阀碟形式的性能.  相似文献   
16.
新颖外燃式湿空气燃气轮机循环及性能研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文首先提出一种新型的高效燃煤燃气轮机循环一外燃式湿空气透平循环动力系统。由于外燃的特点,作功工质为洁净湿空气,从而可以实现水的回收,是对常规HAT循环的突破;另外洁净湿空气排放不受通常烟气露点限制,从而可回收利用湿空气降温时的低温凝结潜热,提高了加湿能力,从而提高系统性能。揭示了新型循环的基本规律;推导出具有湿化特点的约束方程和系统性能简明表达式,指明影响系统性能的关键因素。在透平初温为850℃的工况下,系统热效率高达48.11%。基于能量品位梯级利用原理和系统集成方法论,通过探索充分而合理利用中低温余热的有效途径,开拓洁净煤燃气轮机总能系统的新方向。  相似文献   
17.
金属薄膜制备及物性测量系列实验   总被引:4,自引:0,他引:4  
介绍了由模拟真空实验和“金属薄膜的制备”、“金属薄膜厚度的测量”、“金属薄膜电阻率的测量”,以及“金属薄膜生长过程的动态监测”等4个实验组成的金属薄膜制备与物性测量系列实验.这组实验与现代科学技术发展联系紧密,仪器设备可靠,操作简单,适合于普通物理实验阶段的研究性教学.  相似文献   
18.
基于FPGA并行处理的实时图像相关速度计   总被引:3,自引:1,他引:2  
周瑛  魏平 《光学技术》2006,32(1):108-110
研究制作了一种采用高速线阵CCD的实时相关速度计,其测量数据的输出速率可达每秒一万次。针对以往光学相关测速方法的问题进行了讨论,探讨了适合FPGA并行处理的算法,制作了高速线阵CCD摄像机及其处理装置。通过实验验证了系统的可行性和可实现性。  相似文献   
19.
This paper reports that the m-plane GaN layer is grown on (200)-plane LiAlO2 substrate by metal-organic chemical wpour deposition (MOCVD) method. Tetragonal-shaped crystallites appear at the smooth surface. Raman measurement illuminates the compressive stress in the layer which is released with increasing the layer's thickness. The high transmittance (80%), sharp band edge and excitonic absorption peak show that the GaN layer has good optical quality. The donor acceptor pair emission peak located at -3.41 eV with full-width at half maximum of 120 meV and no yellow peaks in the photoluminescence spectra partially show that no Li incorporated into GaN layer from the LiAlO2 substrate.  相似文献   
20.
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