电场调制下Zn0.85Cd0.15Se-Znse应变层超晶格的受激发射

近几年,随着I-Ⅵ矶族宽禁带半导体二极管激光器取得突破性进展[1],对ZnSe基量子阱和超晶格结构的受激发射已进行了广泛的研究[2~3].但是迄今为止,人们尚未观测到电场调制下的受激发射增强现象.本文报道我们在Zn0.85Cd0.15Se-Znse应变层超晶格中观测到的电场调制的受激发射.     

用于激光吸收和散射光能量测量的4π盒式卡计

报道了国内第一台用于ＩＣＦ实验散射光和激光吸收能量精密测量的４π盒式卡计。性能测试表明，该盒式卡计的性能优于国外用热电堆作传感元件的盒式卡计的性能。     

聚合物微腔的研制及其特性分析

采用ＢＭＰＰＶ：ＰＶＫ的混合物作国源介质，将其按一定比例溶于氯仿中，并旋涂在具有９９．５％的反射率的ＤＢＲ上，其上蒸发３００ｎｍ的银膜，形成了面发射型微腔结构，其中ＤＢＲ在入射腔面，银膜为反射腔面，在激发波长３３７．１ｎｍ，频率２０Ｈｚ脉宽１０ｎｓ的氮分子激光器泵浦下，光谱明显等窄化，出现４６０ｎｍ和５３０ｎｍ两个比较强的发光峰，主峰国４６０ｎｍ半宽度为７ｎｍ。     

ZnCdTe-ZnTe多量子阱的电场效应

本文报导了电场作用下ZnCdTe-ZnTe多量子阱的激子发光特性.用激子局域化的观点解释了激子发光峰随电场增强而增强的现象.在Zn0.8Cd0.2Te-ZnTe多量子阱中观察到了电场作用下自由激子发光谱峰较大的红移和较快的发光淬灭     

全内反射瞬逝场照明高精度磁镊及其在DNA解旋酶研究中的应用

传统磁镊的测量精度受限于磁球的布朗涨落, 当磁力小于约10 pN时, 磁球的布朗涨落明显增大, 对应磁镊的空间分辨率显著下降. 为了提高传统磁镊在小力条件下的测量精度, 本文将全内反射荧光技术引入到磁镊技术中, 并建立相适应的“磁球-手柄-荧光微球-待测生物分子”单分子连接系统, 在小力条件下(小于10 pN)获得纳米量级的测量精度. 应用改进的磁镊对DNA发卡的折叠-去折叠态的转变过程进行了研究, 依据DNA发卡的折叠-去折叠态转变的性质对全内反射场的穿透深度进行了校正, 并结合实验结果对改进后的磁镊的测量精度进行分析. 观察了Bloom解旋酶的解旋动力学过程, 获得初步实验结果, 证实了改进的磁镊在单分子研究中的实用性. 关键词： 磁镊 全内反射荧光 DNA发卡 解旋酶     

Adaptive function projective synchronization of uncertain complex dynamical networks with disturbance

We investigate the problem of function projective synchronization (FPS) in drive-response dynamical networks with non-identical nodes. An adaptive controller is proposed for the FPS of complex dynamical networks with uncertain parameters and disturbance. Not only are the unknown parameters of the networks estimated by the adaptive laws obtained from the Lyapunov stability theory and Taylor expansions, but the unknown bounded disturbances are also simultaneously conquered by the proposed control. Finally, a numerical simulation is provided to illustrate the feasibility and effectiveness of the obtained result.     

有界F-支撑函数和类空Wulff形

给定H_+~n上适合凸条件的正函数F,对L~(n+1)中具有非退化Gauss映射的类空超曲面引入了Θ_F曲率.对适当的F,本文证得:具有常Θ_F曲率,且F-支撑函数介于两个负常数之间的类空超曲面必是类空Wulff形.在F=1的情况下,对H_i/H_n为常数的类空超曲面也建立了类似的唯一性结果.     

Tm3+,Yb3+共掺钨酸钙多晶材料的上转换发光及荧光温度特性

采用高温固相法制备了Tm³⁺,Yb³共掺CaWO₄多晶材料. 980 nm二极管激光器激发下,在可见区获得了¹G₄→³H₆,¹G₄→³H₄,³H₂,³H₃→³H₆ 跃迁产生的上转换荧光. 讨论了Yb³⁺ 离子浓度的变化对Tm³⁺ 的上转换发光强度的影响,同时根据荧光强度比的方法研究了689 和705 nm 红色上转换荧光在313–773 K 范围内的温度特性. 结果表明：基于Tm³⁺,Yb³⁺ 共掺CaWO₄ 多晶材料的红色上转换荧光可以实现温度监测,其测温的最大灵敏度值为5.7×10^-4 K^-1,相应的测量温度为458 K. 关键词： 上转换发光 3+')" href="#">Tm³⁺ 钨酸钙 荧光温度传感     

面外应变对1-3型垂直异质P(VDF-TrFE)基复合薄膜电热性能的调控

考虑1-3型垂直异质铁电P（VDF-TrFE）基复合薄膜结构,利用非线性的热力学理论分析和讨论了平面外应变对复合薄膜电热性能的调控作用. 结果表明,在施加的垂直电场下,平面外应变可以有效地调控电极化、热释电系数、绝热温差等铁电、电热性能. 通过合理的调控平面外应变可以在很大的温度区域范围内获得比纯平面外延薄膜结构更高的绝热温差. 研究结果预示着垂直异质P（VDF-TrFE）基复合薄膜结构在一定的工作温度范围内具有优异的电热性能,在微电源、光通信二极管、红外传感器等微型元件方面有着广泛的应用前景. 关键词： 电热效应 平面外应变 P(VDF-TrFE)复合薄膜 绝热温差