非晶态超导体的转变温度和霍耳系数之间的经验关系

在大量的非过渡金属和合金中,非晶态的超导转变温度T_c与其霍耳系数R_H以及与相应的液态金属霍耳系数R_HL之间存在着一个经验关系,并由这个经验关系可以判断,到目前为止已报道过的无序金属Be,Tl,Zn,Pb和Hg还没有真正做到非晶态。 关键词：     

关于Morse引理的推广

Morse Lemma是奇点理论中一个极为重要的结论。[1]的作者称其文中的定理1和定理2是Morse Lemma的推广。为此我们愿就[1]中的几个问题与[1]的作者商榷。     

HL—1装置等离子体密度反馈实验

本文叙述HL-1装置用反馈脉冲补充送气方式控制等离子体密度的方法及实验结果。给出了在固有的物理实验条件下的最佳反馈方式,实现了对密度的有效控制及反馈。讨论了在不同密度条件下的几种反馈方式及反馈系统尚存在的不足之处。     

腔内原有光场的振幅压缩

在注入原子的速度v可精确调控的情况,通过选择适当的v,可使腔内原来存在的光场成为振幅压缩态,也可使光子数分布形成若干个高峰。 关键词：     

微波灰化/DUO-ICP-AES测定残渣燃料油中的铝、硅、钒

采用微波灰化技术消解残渣燃料油,用全谱直读DUO-ICP-AES同时测定残渣燃料油中的铝、硅、钒,优化了仪器工作参数和实验条件.结果表明,在质量浓度0 ～25.0 mg/L范围内铝、硅、钒的线性关系良好(r=0.999 70 ～0.999 99),检出限、回收率和相对标准偏差分别为0.005 ～0.050 mg/L、8...     

曲面相机阵列多分辨成像方法

针对现有成像系统因数据冗余而无法兼顾大视场、高分辨、高效性的问题,结合人眼视网膜变分辨成像和并列式复眼成像原理,设计一种多分辨率成像的复合仿生成像系统.该成像系统按照球面和平面兼顾的曲面布局方式,利用11个相机镜头构建相机阵列,组成了四个等级分辨率的子眼拍摄模块.通过物距100 m的远景实验和物距10 m的近景实验发现,该系统在实现高分辨成像的同时,获得总视场达150.8°×37.8°.多分辨率成像实验结果表明,该系统获取的图像的分辨率从中心视场到边缘视场逐渐降低,并且相较于中心清晰全视场成像,四级分辨率成像的拼接图像数据量减少了17.2倍的数据冗余.     

金属玻璃(Cu1-xNix)33Zr67合金的低温电阻率

本文研究了金属玻璃(Cu_1-xNi_x)₃₃Zr₆₇合金的低温电阻输运特性。在较宽的温区(2—273K)测试了电阻率,测量结果符合Mooij判据。样品电阻率随温度的变化行为与双能级隧道模型符合较好。 关键词：     

低温硫化制备ZnS薄膜的物理性质研究

采用磁控溅射方法先在玻璃衬底上室温下沉积Zn金属薄膜,接着先后在200和400 ℃温度下的硫蒸气和氩气流中进行退火,生长出 ZnS 薄膜。薄膜样品的微观结构、物相结构、表面形貌和光学性质分别采用正电子湮没技术 (PAT)、X射线衍射仪 (XRD)、扫描电子显微镜 (SEM)和紫外-可见分光光度计进行表征。该ZnS薄膜在可见光范围具有约80%的高透光率,随着硫化时间的增加,其带隙由3.55 增加到3.57 eV,S/Zn原子比从0.54上升至0.89,薄膜质量明显得到改善,相对于以前报道的真空封装硫化所制备的ZnS薄膜,硫过量问题得到了较好解决。此外,慢正电子湮没多普勒展宽谱对硫化前后薄膜样品中膜层结构缺陷研究表明,硫化后薄膜的S参数明显增大,生成的ZnS 薄膜结构缺陷浓度高于Zn薄膜。     

Structure and microtribological characteristics of laser-arc deposited TiB2 thin film

TiB2 thin film was deposited by laser-arc deposition method on the surface of single crystalline silicon. The morphology, composition, structure and microtribological properties of the film were studied by using XPS, XRD and atomic force/friction force microscope (AFM/FFM). The results show that TiB2 (100) preferred growth on the Si(100)substrate, TiB2(001) preferred growth on the Si(111) substrate. The TiB2 thin film was composed of TiB2 and a small amount of TiO2. The friction coefficient of TiB2 film on substrates Si (100) and Si(111) in microtribological process were 0.087 and 0.073,respectively. TiB2 thin film displayed distinct ability of anti-scratch and wear-resistance.