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Electron paramagnetic resonance (EPR) and magnetic properties of nanocrystalline Pr0.57Ca0.41Ba0.02MnO3 are studied and compared with those of the bulk material. The nanoscale samples prepared by the sol–gel method were annealed at different temperatures to obtain particles of different sizes. The crystallite and particle sizes were estimated by X-ray diffraction and transmission electron microscopy and found to be approximately equal to 30, 60 and 100 nm. Magnetization studies on the 60 and 100 nm particles show charge-ordering at 230 K similar to the bulk sample prepared by solid-state reaction, while in the 30 nm particles the charge-ordering signature is absent. At low temperatures all the three nanosamples show ferromagnetic transitions. This result is confirmed by the EPR intensity behavior as well. However, the EPR line width, which is reflective of the spin dynamics, shows a shallow minimum for the 30 nm particles at the temperature of 230 K, corresponding to the charge-ordering transition. We interpret this result as an indication of the presence of charge-ordering fluctuations in the nanoparticles of 30 nm size even though the static charge order is absent, thus heralding the occurrence of charge order in the larger particles. Authors' address: Subray V. Bhat, Department of Physics, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, India  相似文献   
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We present a study of the dijet invariant mass spectrum in events with two jets produced in association with a W boson in data corresponding to an integrated luminosity of 4.3 fb(-1) collected with the D0 detector at √s = 1.96 TeV. We find no evidence for anomalous resonant dijet production and derive upper limits on the production cross section of an anomalous dijet resonance recently reported by the CDF Collaboration, investigating the range of dijet invariant mass from 110 to 170 GeV/c(2). The probability of the D0 data being consistent with the presence of a dijet resonance with 4 pb production cross section at 145 GeV/c(2) is 8×10(-6).  相似文献   
49.
InN layers were directly grown on Ge substrate by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE). The valence band offset (VBO) of wurtzite InN/Ge heterojunction is determined by X-ray photoemission spectroscopy (XPS). The valence band of Ge is found to be 0.18 ± 0.04 eV above that of InN and a type-II heterojunction with a conduction band offset (CBO) of ~ 0.16 eV is found. The accurate determination of the VBO and CBO is important for the design of InN/Ge based electronic devices.  相似文献   
50.
We present a measurement of the W boson mass using data corresponding to 4.3 fb(-1) of integrated luminosity collected with the D0 detector during Run II at the Fermilab Tevatron pp collider. With a sample of 1,677,394 W → eν candidate events, we measure M(W) = 80.367 ± 0.026 GeV. This result is combined with an earlier D0 result determined using an independent Run II data sample, corresponding to 1 fb(-1) of integrated luminosity, to yield M(W) = 80.375 ± 0.023 GeV.  相似文献   
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