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61.
计算和比较了26Mg+244Cm, 27Al+243Am和32S+238U3个反应系统的俘获截面和复合核270Hs形成截面. 在俘获截面计算中, 考虑了靶核形变效应. 穿越库仑势垒后, 反应系统由熔合谷进入不对称裂变谷. 只有越过不对称裂变谷中的条件鞍点的事件才进入复合核组态. 我们用考虑中子流动和径向运动的二参量Smoluchowski扩散方程来处理中间阶段的动力学过程. 此外, 还计算了经4n蒸发形成超重核266Hs的截面. 研究表明, 入射道的势垒分布, 中间阶段的条件鞍点高度对俘获截面, 复合核形成几率, 以及最终的超重核形成截面有显著影响. 相似文献
62.
The general relation between the standard expansion coefficients and the beta function for the QCD coupling is exactly derived in a mathematically strict way. It is accordingly found that an infinite number of logarithmic terms are lost in the standard expansion with a finite order, and these lost terms can be given in a closed form. Numerical calculations, by a new matching-invariant coupling with the corresponding beta function to four-loop level, show that the new expansion converges much faster. 相似文献
63.
64.
Y.-Q. Peng J.-H. Yang F.-P. Lu 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》2006,83(2):305-311
Under the assumption of Gaussian energy distributions of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) and the highest occupied
molecular orbital (HOMO), analytical expressions of generalized Einstein relation for electron and hole transport in doped
organic semiconductor thin films are developed. Numerical calculations show that, although traditional Einstein relation still
holds for low carrier concentrations, that is, the diffusion-coefficient-to-mobility ratio in units of kBT/q, with kB the Boltzmann’s constant, T the temperature and q the elementary charge, equals 1. But when the electron (hole) concentration
is high, the diffusion-coefficient-to-mobility ratio for electrons (holes) changes strongly with the electron (hole) concentration,
the doping level, the mean energy of LUMOs (HOMOs) of the dopant ELd (EHd) and the host EL (EH), as well as their variances. Dopants with ELd<EL (EHd>EH) affect the diffusion-coefficient-to-mobility ratio mainly in the range of low and middle carrier concentrations, while those
with ELd>EL (EHd<EH) have significant effect only in the range of high carrier concentrations. It was found that there can be a maximum in the
dependence of the diffusion-coefficient-to-mobility ratio on the quasi-Fermi energy or carrier concentration exist, for appropriate
values of the doping level, the mean energy and variance of LUMO or HOMO states of the dopant.
PACS 71.20.Rv; 72.90.+y; 73.50.-h 相似文献
65.
本文主要通过对形状密度的分析,研究了双电子原子系统的内电子云如何随外电子的运动而变化,考虑了外电子远离内电子云和靠近内电子云的情况。探讨了氦原子具有不同K-量子数的1Se态的几何特征和内部运动特征,探讨了能量转移机制和径-径(radial-radial)关联的细节。发现内电子云作为一个整体的运动和外电子的运动之间有强烈的关联。 相似文献
66.
在应变速率为5.56×10-5s-1—5.56×10-3s-1的范围内,在不同温度下(从223K至773K),对3004铝合金进行系列拉伸试验,探索其锯齿屈服规律;通过激活能的计算、内耗研究、微观组织观察和能谱分析,探讨锯齿屈服的机理与物理本质.结果表明,3004铝合金在形变过程中会出现动态应变时效现象;发现了一种“反常”的锯齿屈服现象:在出现锯齿屈服的温区内,存在锯齿屈服临界应变量转变温度Tt,
关键词:
动态应变时效
锯齿屈服
铝合金
内耗 相似文献
67.
68.
本文研究了高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心光致发光谱带的影响。首次在高掺杂ZnSe:Ga,Cu中观察到了Cu-G带峰值位置随Ga浓度增大向长波方向移动的现象,并把它归因于高浓度的Ga和Cu相互作用,产生了谱峰为5580Å的新发射带,其半高宽(FWHM)大于Cu-G谱带的半高宽。此外还得到,随着Cu浓度增加,Cu-G带与Cu-R带强度之比减小。文中指出,Ga浓度较低时,ZnSe:Ga,Cu晶体与ZnSe:Cu晶体有相同的Cu深中心发射规律,即随着Cu浓度增大,Cu-G带与Cu-R带的强度比增大,由Cu-R发射带占优势逐渐过渡到Cu-G发射带占优势。 相似文献
69.
提出了一种应用于自适应PID控制器的神经网络与模糊控制相结合的算法,该算法可以有效地解决普通PID控制器依赖于对象的数学模型的缺点,可实现控制系统的在线自适应调整,可满足实时控制的要求。仿真结果表明,基于模糊神经网络整定的PID控制器具有较好的自学习和自适应性,具有较快的响应速度。 相似文献
70.
LIU Biao BAO Yong-li WEI Zhuang WU Yin MENG Xiang-ying LI Yu-xin YIN Wei-tian 《高等学校化学研究》2006,22(2):217-220
Introduction Activinisamemberofthetransforminggrowth factor(TGF)βsuperfamilyofextracellularsignaling proteins.Themembersofthisfamilyplayacriticalrole duringembryogenesisandinmaintainingtissuehomeo stasisinadultlife[1—3].DeregulatedTGFfamilysigna lingisi… 相似文献