聚苯基磷酸间苯二酚酯的合成、表征及热性能

采用熔融聚合法, 以间苯二酚、 三氯氧磷和苯酚为原料, 通过两步合成, 制备了阻燃剂聚苯基磷酸间苯二酚酯(PRPP). 用红外光谱(FTIR)、 ¹H, ¹³C和³¹P核磁共振(NMR)、 凝胶色谱(GPC)及热重分析(TGA)等对聚合物的结构、 分子量、 热性能进行了表征. 结果表明, PRPP具有与液态商品间苯二酚双(二苯基)磷酸酯(RDP)相同的组成单元, 其数均分子量为3227, 分子量分布系数M_w/M_n=1.31, 聚合度n≈12; PRPP的起始分解温度与液态RDP相同, 但在高温下PRPP的热稳定性优于RDP, 其分解50%质量的温度提高了235 ℃, 在高温阶段表现出优良的成炭性能.     

胜利褐煤低温氧化过程中微结构的转化特性研究

选用内蒙古的胜利褐煤作为研究对象,通过固定床反应装置对褐煤进行不同温度(200-300℃)下的低温氧化,利用FT-IR、Raman和XPS等方法对氧化处理后煤样的结构进行了表征,考察了不同温度下低温氧化对褐煤微结构和质量变化的影响,并利用热重分析仪研究了氧化后煤样的燃烧反应性能。结果表明,温度对低温氧化过程中胜利褐煤的质量变化率影响较大,低于220℃时,褐煤的质量变化率很小,高于220℃时,质量变化率有明显的改变。特别在220-230℃,煤样的质量变化率由5. 80%(220℃)突变为42. 55%(230℃)。FT-IR/Raman/XPS表征结果显示,220℃氧化后的煤样中有明显的苯醌类结构形成,此结构的形成使苯环骨架C=C的伸缩振动吸收峰发生红移,且Raman谱图中D峰位置偏移,D峰和G峰两峰间距增大。氧化温度低于220℃的煤样表面C-O-和C=O的含量均增加,推测煤样在220-230℃质量变化率的突变主要与苯醌类结构的氧化分解有关。     

单靶溅射制备铜锌锡硫薄膜及原位退火研究

采用衬底加热溅射铜锌锡硫(CZTS)四元化合物单靶制备CZTS薄膜,并研究原位退火对制备薄膜的影响.结果表明:在溅射结束后快速升温并保持一段时间,所得到的样品相比于未原位退火的CZTS薄膜结晶质量更好,且表面更平整致密;原位退火后的CZTS薄膜太阳电池性能参数也相应地有所提升,其开路电压(V_(OC))为575 mV,短路电流密度(J_(SC))为8.32 mA/cm~2,光电转换效率达到1.82%.     

1,3,4-噁二唑键联二芳基乙烯化合物的合成及性质

将1,3,4-噁二唑基团引入二芳基乙烯分子中, 合成了2种新的二芳基乙烯类光致变色化合物1-氰基-2-(2H-5-苯基-1,3,4-噁二唑)-1,2-二(2,4,5-三甲基-3-噻吩)乙烯(3)和1,4-二{[1-氰基-2-(2H-5-苯基-1,3,4-噁二唑)-1,2-二(2,4,5-三甲基-3-噻吩)乙烯]-1,3,4-噁二唑}苯(4). 通过IR, NMR, MS和元素分析对化合物进行了结构表征, 并研究了其UV-Vis吸收、荧光发射、动力学特性和抗疲劳性质. 实验结果表明, 化合物[STHZ]3[STBZ]和[STHZ]4[STBZ]具有良好的光致变色性质, 光致变色闭环反应为零级反应, 开环反应为一级反应.     

从含氢硅油制取水性氟硅聚合物

在无溶剂的条件下, 通过硅氢加成法将烯丙基聚氧乙烯聚氧丙烯醚, 氟化丙烯酸烷基酯接枝共聚到甲基含氢硅油侧链, 成功地合成了一系列有机氟硅聚合物. 通过高速剪切乳化法可制得不同质量投料比时的水性氟硅聚合物水分散物. 采用FTIR, ¹H NMR和TEM对有关产物和乳液进行了结构分析, 并进一步系统研究了水分散物表面张力, 流变性等性能, 结果表明: 质量分数为2.0%的水性氟硅聚合物水分散物的表面张力降低至22.00～26.00 N/m, 其黏度随着剪切速率的增大有剪切变稠现象发生, 且不同质量投料比时, 其粒子粒径大小及形状也有较大差别.     

直觉模糊群的子直觉模糊群和正规子直觉模糊群

设G为直觉模糊二元运算下的直觉模糊群,给出了G子直觉模糊群和正规子直觉模糊群的定义,讨论并证明了子直觉模糊群和正规子直觉模糊群的一些性质。     

J/ψ→Σ~0 “非汉字符号”~0 衰变研究(英文)

利用北京正负电子对撞机 (BEPC)上的北京谱仪 (BES)收集的 7 8× 1 0 6 个J ψ事例 ,研究了J ψ→Σ0 Σ0 衰变 .其衰变分支比为BR(J ψ→Σ0 Σ0 ) =( 0 97±0 0 4± 0 2 4 )× 1 0 - 3,角分布具有 dNdcosθ=N0 ( 1 +αcos2 θ)的形式 ,α值等于 -0 2 1± 0 2 7± 0 1 3 .     

Ge/ZnS(111)异质结能带偏移的同步辐射光电子能谱研究 *

利用同步辐射光电子能谱研究了Ge/ZnS(111)异质结界面的能带连接问题.芯能级谱显示出Ge原子与S原子在界面处存在反应.利用芯能级谱及价带谱技术,测量了该异质结的价带偏移.对于衬底温度为200℃条件下生长的异质结,其价带偏移为l.94士0.leV;而室温条件下生长的异质结,则为2.23土0.leV该实验结果与一些理论计算值进行比较,符合得较好.     

交换自同构群的一个重要结论

给出一些新的方法,证明两类交换群不能作为有限群的自同构群,使MacHale提出的问题得到了突破性的进展,所给的方法具有普遍性。     

ZnS(111)表面电子结构研究

利用Ｍｕｆｉｎ-Ｔｉｎ轨道线性组合（ＬＭＴＯ）法，采用ｓｌａｂ模型计算了半导体ＺｎＳ（１１１）表面的电子结构，给出了总体、局域及分波态密度，分析了两种ｓｌａｂ模型的表面稳定性和表面态．理论态密度曲线与ＺｎＳ（１１１）表面同步辐射光电子能谱相符合