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141.
Ohne Zusammenfassung 相似文献
142.
L. Acker 《Fresenius' Journal of Analytical Chemistry》1953,140(1):73
Ohne Zusammenfassung 相似文献
143.
K. Cruse A. Acker A. Kurtenacker H. Freytag 《Analytical and bioanalytical chemistry》1953,138(1):237-240
144.
Andrew Acker 《Proceedings of the American Mathematical Society》2006,134(3):749-753
We study examples of the starlike interior ``wake problem" for which no starlike solution exists relative to the natural star center of the problem. These examples show that the main result of D.E. Tepper in ``A mathematical model for a wake' (Michigan Math. J. 31 (1984), 161-165) is not correct.
145.
Steinert M Acker J Krause M Oswald S Wetzig K 《The journal of physical chemistry. B》2006,110(23):11377-11382
The role of intermediate species generated during wet chemical etching of silicon in a HF-rich HF/HNO3 mixture was studied by spectroscopic and analytical methods at 1 degrees C. The intermediate N2O3 was identified by its cobalt blue color and the characteristic features in its UV-vis and Raman spectra. Furthermore, a complex N(III) species (3NO+.NO3-) denoted as [N4O6(2+)] is observed in these solutions. The time-dependent decay of the N(III) intermediates, mainly by their oxidation at the liquid-air interface, serves as a precondition for the study of the etch rate as function of the intermediate concentration measured by Raman spectroscopy. From a linear relationship between etch rate and [N4O6(2+)] concentration, NO+ is considered to be a reactive species in the rate-limiting step. This step is attributed to the oxidation of permanent existing Si-H bonds at the silicon surface by the reactive NO+ species. N2O3 serves as a reservoir for the generation of NO+ leading to a complete coverage of the silicon surface with reactive species at high intermediate concentrations. As long as this condition is valid (plateau region), the etch rate is constant and yields a smooth silicon surface upon completion of the etching. If the N2O3 concentration is insufficient to ensure a coverage of the Si surface by NO+, the etch rate decreases linearly with the N2O3 concentration and results in a roughening of the etched silicon surface (slope region). 相似文献
146.
We show how the free boundary of an ideal fluid, subject to a generalized Bernoulli condition, can (under appropriate circumstances) be approximated. Our method is based on a class of free-boundary perturbation operatorsT
, 0<<1, which are all contracting relative to a suitable norm and class of boundaries, and whose fixed points converge to the desired free boundary solution as 0+.
Zusammenfassung Wir zeigen, wie der freie Rand einer idealen Flüssigkeit, welcher einer verallgemeinerten Bernoulli-Bedingung genügt, unter geeigneten Umständen approximiert werden kann. Unsere Methode stützt sich auf eine Klasse freier RandperturbationsoperatorenT , 0<<1, welche relativ zu einer geeigneten Norm und Ränderklasse kontrahierend sind und deren Fixpunkte gegen die gewünschte Lösung der freien Randaufgabe mit 0+ konvergieren.相似文献
147.
In the x–y plane, let Ω denote an annular domain bounded by the simple closed curves ? and ?*, such that the capacity potential U in Ω satisfies ∣ ▽ U∣ = 1 on ?. Assuming ?* to be known, we obtain qualitative properties of ?. For example, the number of local maxima or minima of the y-co-ordinate relative to ? cannot exceed the corresponding number for ?*. 相似文献
148.
149.
150.