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71.
轰击离子能量对CNx薄膜中sp3型C-N键含量的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
对磁控溅射生长在单晶Si(001)衬底上的CNx薄膜样品的化学键合及结构进行了研究,利用不同的衬底负偏压(Vh)来控制轰击衬底表面的入射离子能量,从而影响膜中的化学键合的状态.样品的FTIR,Ra-man和XPS分析结果表明,CNx薄膜中N原子分别与sp,sp2和sp3杂化状态的C原子结合,其中sp3型C-N键含量先随着衬底偏压(Vb)的升高而增加,并在偏压Vb=-50V时达到最大值,但随着Vb继续升高,sp3型C-N键含量减少,这表明CNx薄膜中,sp3型C-N键的含量与轰击离子的能量变化密切相关. 相似文献
72.
现场热引发聚丙烯酸酯类电解质的性能及应用 总被引:3,自引:0,他引:3
应用热引发现场聚合方法制备聚丙烯酸酯类电解质,并考察其电化学性能.实验表明:该聚合物电解质具有 4. 5V的电化学稳定窗口,较高的室温电导率及良好的低温性能.当前驱体电解液中液态电解质含量为 85%时,其室温电导率为 3. 2×10-3S·cm-1, -30℃下的电导率达到 5. 6×10-4 S·cm-1.采用现场聚合技术制备的聚合物电池,其电化学性能与液态锂离子电池基本一致,首次充放电效率为 92. 1%, 1. 0C率放电容量为 0. 2C率的 95%, -20℃下的放电容量为室温容量的 72%,以 0. 5C率循环 300周后,仍保持初始容量的 85%以上. 相似文献
73.
用脉冲微反装置评价了正丁烷和异丁烷在氢型和锌改性的纳米ZSM-5催化剂上的反应活性和芳构化选择性.结果表明,在550℃下,异丁烷在氢型和不同锌负载量的纳米ZSM-5催化剂上的转化率都远高于正丁烷,但其芳构化选择性低于正丁烷.脱甲基活化是异丁烷和正丁烷的重要活化方式,也是影响其芳构化选择性的主要因素.锌改性在提高异丁烷和正丁烷转化率的同时,也促进了正丁烷和异丁烷的脱甲基活化.在混合丁烷进料反应的情况下,正丁烷和异丁烷的转化率与其单独进料时十分接近,这说明正丁烷和异丁烷共存时不会发生明显的竞争吸附和反应.纳米ZSM-5因晶粒度小,孔道短和微孔扩散阻力低而有利于异丁烷转化. 相似文献
74.
75.
76.
Costas环在无线扩频定位系统中的应用技术研究 总被引:5,自引:1,他引:5
分析了扩频定位系统中载波恢复和数据解调数学模型,设计了环路中应用的Butterworth低通滤波器和产生正交两路信号的Hilbert变换滤波器,在Simulink中建立了Costas环仿真模型。结果表明:该Costas环能够准确地实现扩频定位系统的载波恢复和发送端数据解调输出,理论仿真和实际工程实验基本一致。 相似文献
77.
研究了漂浮基空间机器人捕获非合作航天器过程对系统产生的冲击效应及其后联合体系统镇定运动的控制问题。为此,利用拉格朗日方法及牛顿-欧拉法分别获得了捕获前空间机器人及目标航天器的动力学模型;结合动量守恒定律、系统运动几何关系及力的传递规律,分析了捕获过程相互碰撞所产生的冲击效应,建立了捕获完成后两者联合体的系统动力学模型。在此基础上,针对同时存在不确定参数及外部扰动的联合体系统,设计了基于无源性理论的镇定运动神经网络H_∞鲁棒控制算法。本文提出的基于无源性理论设计的鲁棒控制算法具有良好的动态特性及较强的鲁棒性,可快速完成系统的镇定控制,实现轨迹的精确跟踪。系统数值模拟仿真验证了本文控制方案的正确性。 相似文献
78.
Transport of a Brownian particle moving in a periodic potential is investigated in the presence of an asymmetric unbiased external force. The asymmetry of the external force and the asymmetry of the potential are the two ways of inducing a net current. It is found that the competition of the spatial asymmetry of potential with the temporal asymmetry of the external force leads to the phenomena like current reversal. The competition between the two opposite driving factors is a necessary but not a sufficient condition for current reversals. 相似文献
79.
The epitaxial growths of GaN films and GaN-based LEDs on various patterned sapphire substrates (PSSes) with different values of fill factor (f) and slanted angle (θ) are investigated in detail. The threading dislocation (TD) density is lower in the film grown on the PSS with a smaller fill factor, resulting in a higher internal quantum efficiency (IQE). Also the ability of the LED to withstand the electrostatic discharge (ESD) increases as the fill factor decreases. The illumination output power of the LED is affected by both θ and f. It is found that the illumination output power of the LED grown on the PSS with a lower production of tanθ and f is higher than that with a higher production of tanθ and f. 相似文献
80.