CO_2激光边带光谱仪用于SF_6分子v_3带Q支吸收谱的研究

用绝对频率精度优于1.2MHz的CO_2激光边带光谱仪记录了SF_6分子v_3带Q支的多普勒受限吸收谱,光谱范围在CO_2激光10P(16)支线中心两侧,距支线中心8.0～12.4 GHz。用内插法以<6MHz的均方误差测量了百余条跃迁谱线的频率,并标识出Q_Z、Q_R、Q_X、Q_W、Q_A等亚支的谱线,量子数J从26到83。用最小二乘法拟合实验数据得到了v_3带的部分光谱常数。     

芳烃混合物的三维荧光光谱的降秩因子分析

本文介绍了降秩因子（ＲＡＦＡ）方法，它是从一个多组分混合物中直接定量计算其中某一组分，而不必知道其他组分的物种及含量的一种定量分析的数学方法。它适用于双线性的数据。本实验首先将荧光分光光度计与外接计算机相连，以获得样品的激发－发射矩阵（ＥＥＭ），再用ＲＡＦＡ方法对蒽，萘，菲，芘，芴，Ｑｕ六种标样的一至五组分的混合物进行定量分析，获得满意的结果。     

高纯金属镨中痕量稀土杂质的电感耦合等离子体原子发射光谱分析及光谱干扰的校正

本文提出了PGS-2型平面光栅光谱仪(色散率0.18纳米,二级光谱)与PlasmaTherm ICP-5000D射频发生器联用,乙醇预去溶方式进样,同时直接测定高纯金属镨中5个痕量稀土杂质元素的方法。并讨论了基体浓度对检出限的影响以及光谱干扰及其校正方法。当样品溶液中镨的浓度为5毫克/毫升时,测定下限分别为镧、钕和钐0.002%,铈0.003%和钇0.0005%。获得了良好的实验结果,其相对标准偏差为1.2-6.2%。     

1.3μm场助TE光阴极In1-xGaxAsyP1-y/InP的能带计算及外延层的设计

本文首先简述了1.3μm场助TE光阴极InP(衬底)/In_1-xGa_xAs_yP_1-y(光吸收层)/InP(发射层)/Ag/CsO的工作原理,并对其能带结构进行了计算,得到了In_1-xGa_xAs_yP_1-y(光吸收层)/InP(发射层)的势垒高度、掺杂、InP发射层厚度、组份、渐变区宽度,偏压及耗尽层宽度间的定量关系。并由此出发,对光阴极各参数的设计进行了分析讨论。     

厚二氧化硅光波导薄膜制备及其特性分析

以硅烷和氧化二氮作为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术，不使用掺杂，在单晶硅衬底上制备了用于平面光波导的二氧化硅薄膜。研究了薄膜折射率和淀积速率与工艺参量之间的关系，通过棱镜耦合仪、傅里叶变换红外光谱、原子力显微镜等测试手段，分析了薄膜的结构和光学特性。结果表明，实验能快速生长厚二氧化硅薄膜，薄膜表面平整，颗粒度均匀，同时薄膜具有折射率精确可控和红外透射性能好的特点，非常适合制作光波导器件。     

电感耦合等离子体原子发射光谱法及离子选择电极法测定荧光级氧化钇中痕量铈的研究

文章描述了荧光级氧化钇中痕量稀土铈的测定方法,在溴酸钾存在下,5摩尔/升HNO_3介质中,以P507萃取微量铈,然后有机相用硝酸、过氧化氢反萃取、再将水相浓缩定容,然后以电感耦合等离子体原子发射光谱法分析。同时用铈的离子选择电极以二次标准加入法作第二种手段分析。样品溶液以乙醇预去溶方式引入等离子体,测定下限为2微克/克,方法简单、快速、准确。离子选择电极法测定铈离子下限1×10～(-5)摩尔/升,回收率为94-101%,方法简单,结果满意、价格便宜。     

红外光谱法测定高碱性磺酸盐的碱值

采用简单、快速且有选择性的红外光谱法测定高碱性磺酸盐添加剂的碱值。在高碱性磺酸盐同一张谱图上,可以测定到在865厘米～(-1),1180厘米～(-1)分别属于δco_3～(2-),v_(asso)振动的吸收强度,由于样品厚度未知,而采用了吸收比的方法。     

光声光谱技术在层状物质的逐层分析研究中的应用——Ⅰ.光声相位精细谱技术

本文提出光声相位精细谱法(PAPFS)。通过对层状物初始态光声相位扫描和对由此产生的PAPFS曲线的解析,可获取各层与光学热学和空间坐标相关的有价值的信息。本文用该法对彩色相纸作了逐层分析,并将结果与电镜作了比较。与PAPFS相关的层状物光声理论将在本文第Ⅱ部分中涉及。     

光纤受激调制不稳定性的谱理论

利用多重尺度微扰法,直接从包含非线性极化项的麦克斯韦方程组出发,得到了在频域描述光纤中的受激调制不稳定性的谐波耦合方程组,在此基础上,得出了受激调制不稳定性的谱分布的一些数字结果。     

软x射线近贴显微技术

软x射线近贴显微技术不但可使活的生物样品成象,分辨率高于光学显微镜,而且人为的样品准备程序在该技术中都可避免。本文描述了用高功率激光打靶产生的等离子体作为软x射线源而进行的近贴显微研究,并得到了分辨率好于1μm的结果。