航空兵塔台辅助指挥系统通信分系统技术设计方案

文章详细描述了航空兵机场塔台辅助指挥系统之通信分系统设计的特点与功能、硬件结构、软件设计原则以及接口通信协议等问题。该分系统设计已在航空兵塔台辅助指挥系统研究中得到应用 ,并达到了良好的控制效果。     

NOESY技术在地胆草倍半萜内酯化合物结构鉴定中的应用（I）

明确从地胆草中分离得到的两对牦牛儿内酯型的立体异构体即地胆草种内酯（scabertopin）、异地胆草种内酯（isoscabertopin）、异去氧地胆草内酯（isodeoxyelephantopin）和去氧地胆草内酯（deoxyelephantopin）的C-2相对构型；方法 NOESY技术，并结合这4个化合物的¹H NMR，¹³C NMR，HMQC谱；结果 两对立体异构体的NOESY谱有明显差异；结论 通过分析NOESY谱，找寻H-1相关信息，若发现H-1与H-8，H-9β和14-CH₃有NOE相关，可以判断化合物的C-2为α构型，若H-1与H-5，H-7，H-3α及H-9α之间有NOE相关，则化合物的C-2为β构型.     

PV型HgCdTe光电探测器中的混沌及其诊断

 对激光辐照半导体光电探测器的实验研究，发现当一束不太强的稳定连续波激光照射在PV型HgCdTe光电探测器上时，可以引起探测器出现混沌行为。利用光电探测器的光电压信号随时间变化的实验数据，通过求功率谱、计算Lyapunov指数对混沌进行了诊断。     

薄膜界面粗糙对双晶摇摆曲线的影响

用X射线衍射动力学理论,模拟计算InP衬底上InGaAs/AllnAs超晶格和InGaAs单层膜的X射线双晶摇摆曲线,计算结果表明:薄膜界面粗糙对单层膜的衍射峰和超晶格的零级衍射峰影响较小,但却明显影响单层膜衍射干涉条纹和超晶格的±1级卫星峰,随着平均界面粗糙度的增大,单层膜衍射干涉条纹强度减弱并趋于消失;超晶格的±1级卫星峰变弱并逐渐展宽,理论计算的模拟双晶摇摆曲线与超晶格实验曲线比较表明:高质量匹配In_0.53Ga_0.47As(85?)/Al_{0.4 关键词：}     

Thermal and chemical nanofractal relaxation

We studied shape relaxation of nano-fractal islands, during annealing, after their growth from antimony cluster deposition on graphite surface. Annealing at 180^°C shows evidence of an increase of the fractal branch width with time followed by branch fragmentation, without changing the fractal dimension. The time evolution of the width of the arm suggests the surface self-diffusion mechanism as the main relaxation process. With Monte Carlo simulations, we confirmed the observed behavior. Comparison is done with our previous results on fragmentation of nano-fractal silver islands when impurity added to the incident cluster promotes rapid fragmentation by surface self-diffusion enhancement [1].     

In situ observation of NaBi(WO4)2 dendrite growth and the study on microstructure of solidification

The dendrite growth process of transparent NaBi(WO₄)₂ with small prandtl and high melting point was studied by using the in-situ observation system. According to the dynamic images and detailed information, there are two kinds of restriction effect on the dendrite growth, the competition between arms and branches and the convection in the melt. The dendrite growth rate was time dependent, and the rate of arm growth reached the maximum 5.8 mm/s in the diffusive-advective region and rapidly decreased in the diffusive-convective region. The growth rate of branch had the same change trends as the arm’s. Based on the EPMA-EDS data of solidification structure of quenched NaBi(WO₄)₂ melt, it was found that there were component differences from stoichiometric concentration in the melt near the interface during the growth process. Supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 50331040) and the Innovation Funds from Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences (Grant No. SCX0623)     

微纳米加工技术及其应用综述

材料与结构在微纳米尺度展现了许多不同于宏观尺度的新特征，纳米技术已经成为当前科学研究与工业开发的热门领域之一。微小型化依赖于微纳米尺度的功能结构与器件，实现功能结构微纳米化的基础是先进的微纳米加上技术，文章对微纳米加上技术做了一个综合的介绍，简要说明了微纳米加工技术与传统加工技术的区别，在微纳米加工技术的应用方面提出了一些合理选择加工技术的原则，并对当前微纳米加工技术面临的挑战和今后发展的趋势作了预测。     

p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究

以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510~1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘—n型—p型—n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服VO和Zni本征施主的补偿效应.     

气体放电等离子体特性测量I-V曲线不对称性的研究

利用气体放电双探针法研究了等离子体的I-V曲线中的电流I相对于电压V轴交点的不对称性,并提出2种可能的解释:一认为是由于两探针表面积不同引起的;二认为是由于探针所在处等离子体电位不等引起的.本文利用仪器的工艺误差和调换放电管电压的方法,对提出的2种可能原因分别进行验证,并指出第二种解释的合理性,并对其进行了理论分析.