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合成了一个新配合物EuL3phen,[HL=4,4,4-三氟-1-(4'-邻三联苯基)-1,3-丁二酮,phen=邻菲咯咻].该化合物在半导体InGaN芯片发出的近紫外光激发下能够发出铕㈢离子特征红光,发光量子效率为9%.将配合物EuL3phen和半导体395 nm发射InGaN芯片组合,成功地制备了红色发光二极管.在配合物和硅胶质量比为1:25时,器件色坐标为x=0.6123,y=0.3128,光效为0.68 Im·W-1. 相似文献
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新型双极有机小分子化合物及其Al3+配合物的合成与发光 总被引:2,自引:1,他引:2
合成了一种新的具有“双极”(bipolar)性质的有机小分子蓝色发光材料2-(5-(4-(二苯胺基)苯基)-1,3,4-噁二唑-2-)苯酚[2(5-(4-(diphenylamino)phenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl)phenol, HPOT], 并以HPOT为配体, 与铝离子配位, 合成了三(2-(5-(4-(二苯胺基)苯基) 1,3,4-噁二唑-2-)苯酚)合铝[tri(2-(5-(4-(diphenylamino)phenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl)phenonate)aluminum, AlPOT]配合物. 用 1 H NMR、 HRMS和元素分析进行了表征, 并测定了两种化合物的光致发光性质和热稳定性. 结果表明: 两种新化合物的热稳定性好, 光致发光性能优良, 是制作有机电致发光器件的候选材料. 相似文献
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合成了一种含有空穴传导基团三苯胺、电子传导基团嗯二唑的新型配体(EtPOTIP)及其铕(Ⅲ)的三元配合物Eu(DBM),EtPOTIP,通过^1HNMR、IR、元素分析及质谱对它们的结构进行了表征.对配体和配合物的吸收光谱及光致发光光谱研究结果表明:配体和配合物对近紫外光有强烈吸收,配合物在近紫外光激发下发出强的Eu^3+特征红光,荧光量子效率为0.48;热分析显示配合物具有高的热稳定性,表明合成的配合物是一种优良的多功能红色发光材料。制作了相应的明亮电致发光器件,显示EtPOTIP同时具备空穴传导和电子传导性能,EtPOTIP在配合物中的存在显著改善了器件的电致发光性能。 相似文献
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合成了2个新的配合物Eu2(btb)3(H2O)4(1)和Eu2(btb)3(phen)2(2)[H2btb=4,4′-双(4″,4″,4″, -三氟代 - 1″,3″-二氧代丁基)联苯, phen=1,10-邻菲罗啉]. 采用元素分析、红外光谱、紫外光谱和快原子轰击质谱表征了2个配合物的结构. 在近紫外光激发下, 配合物1和2都发射出强的铕离子特征红光. 对614 nm 红光进行监控, 其激发光谱在395 nm处具有最大的激发强度, 与InGaN芯片发射的近紫外光激发相匹配. 将配合物1和2与395 nm 发射的InGaN芯片进行组合制备了红色发光二极管. 在配合物和硅树脂的质量比为1∶25的情况下, 2个红色发光二极管的色坐标分别为x1=0.5210, y1=0.2285(配合物1); x2=0.5835和y2=0.2857(配合物 2), 位于标准的国际色坐标红色区域; 器件的发光效率分别为0.65和0.76 lm/W. 研究结果表明, 配合物1和2是制作白光二极管可供选用的红色发光材料. 相似文献
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纳米硫化锌的原位制备及其对多孔硅复合体系发光的调控 总被引:7,自引:0,他引:7
Zn S的带隙较宽 ,欧姆接触较差 ,并不是一种理想的半导体 .但将多种材料与硫化锌复合 ,在一定程度上可以克服这种缺陷 [1] .相关的文献报道主要集中在 Zn S∶ M( M=Mn,Cu,Ag等 ) ,Zn S∶ RE( RE=Sm,Tb,Eu等 ) ,Zn S∶ Cd S和 Zn S∶ Zn Se等复合材料上 ,同时也有关于多孔硅 ( PorousSilicon,PS)掺杂稀土 [2 ] 和有机物 [3,4 ] 以及 PS- Cd S[5~ 7] 的报道 ,但是尚未见到在多孔硅基体上原位制备硫化锌纳米材料的报道 .本文利用一种新颖、简单的化学方法 ,通过多相反应 ,在多孔硅基体的表面和纳米孔内制得纳米级的 Zn S,从而… 相似文献
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本文首先利用正交试验确定了微乳液鄄高温法合成蓝色发光Sr2CeO4超细粉体的最佳制备条件。接着研究了最佳条件下制备的Sr2CeO4超细粉体的性能。场发射扫描电镜(FE鄄SEM)显示,在850℃、900℃、1000℃或者更高温度下退火4h制备的粉体的形状分别呈球状、梭状和球状,平均粒径分别在100nm左右和1μm以内。X射线粉末衍射数据分析表明,该超细粉体属于正交晶系。室温下的光致发光光谱显示,该粉体的激发光谱有3个激发峰,主峰分别位于262nm、281nm和341nm,而其发射光谱只呈现出1个发射峰,主峰位于约470nm。与高温固相制备方法相比,微乳液鄄高温法可以在较低温度下制备出超细的粉体,而且它不但在262nm处出现了一个新的激发峰,主激发峰和发射峰的位置也分别蓝移了大约30nm和12nm。 相似文献
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首次报道了用恒电位电解法将饵、钇共掺入多孔硅(porous silicons, PS) 中,经高温退火处理后,观察到了在近红外区(1.54 μm)室温下较强的光致发光 (photoluminescence, PL),并与掺饵多孔硅(erbium-doped porous silicon, PS:Er)做了比较,发现钇的共掺入对掺饵多孔硅体系1.54 μm发射起了增强作用 。研究了饵、钇共掺杂多孔硅(erbium and yttrium co-doped porous silicon, PS:Er, Y)光致发光强度随温度的变化,发现PS:Er与Si:Er材料相似,有较强的 温度猝灭效应,而PS:Er,Y体系的PL强度随温度升高趋于平稳,且有增强的趋势, 受温度影响不明显,并初步探讨了其发光机制。 相似文献