应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型

本文采用渐变沟道近似和准二维分析的方法, 通过求解泊松方程, 建立了应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型. 模型同时研究了短沟道, 窄沟道, 非均匀掺杂, 漏致势垒降低等物理效应对阈值电压的影响. 采用参数提取软件提取了阈值电压相关参数, 通过将模型的计算结果和实验结果进行对比分析, 验证了本文提出的模型的正确性. 该模型为应变Si超大规模集成电路的分析和设计提供了重要的参考. 关键词： 应变Si NMOSFET 阈值电压 集约物理模型     

SiGe HBT大信号等效电路模型

基于SiGe HBT(异质结双极晶体管)的物理模型，建立了描述SiGe HBT的大信号等效电路模型.该等效电路模型考虑了准饱和效应和自热效应等，模型分为本征和非本征两部分，物理意义清晰，拓扑结构相对简单.该模型嵌入了PSPICE软件的DEVEO(器件方程开发包)中.在PSPICE软件资源的支持下，利用该模型对SiGe HBT器件进行了交直流特性模拟分析，模拟结果与理论分析结果相一致，并且与文献报道的结果符合较好. 关键词： SiGe HBT 等效电路模型 PSPICE     

一种性能良好的高锰酸根离子选择电极

在异源四倍体棉种中现已鉴定出２２个芽黄突变体、２６个芽黄基因，其中Ｖ１与Ｖ７、Ｖ２之间存在着部分同源关系。重叠牙黄基因Ｖ１６Ｖ１７的遗传主式独特，单体１测验的分离世代Ｆ２和ＢＣ恢复产生了黄化的单体株。鉴于杂中子生产现状，俄系统阐述了以芽黄作为指示性进行棉花杂种优势利用的可行性。     

伯硝胺酸催化分解动力学的理论研究

用SCF-MO AM1方法全优化计算了伯硝胺化合物(RNHNO~2, R=Me, Et, Pr^i,Bu^t和CH~2CO~2H)的几何构型和电子结构, 并求得15个反应的过渡态和活化能 . 分析静态结构和动力学特征, 发现取代基(R)供电性愈强, 标题物的酸催化分解速率愈大, 即相对速率为R=Bu^t＞Pr^i＞Et＞Me＞CH~2CO~2H; 溶剂化效应将降低标题物质子化过程的活化能, 有利于加速酸催化分解。     

用ab initio方法研究NaN_3的几何构型、电子结构和热力学、动力学性质

用ａｂｉｎｉｔｉｏＭＯ方法，在ＭＰ２（ｆｕｌ）／６３１１Ｇ水平下，全优化计算了叠氮化钠（ＮａＮ３）分子的线状和环状两种稳定构型及其转化过渡态的几何参数、电荷分布、分子总能量和振动频率，并研究了它们的热力学性质及转化速率常数和平衡常数．结果表明，线状比环状构型稍稳定（能量低６．０４ｋＪ／ｍｏｌ）；两者相互转化的能垒分别为１３．１５ｋＪ／ｍｏｌ（线型→环状）和７．１１ｋＪ／ｍｏｌ（环状→线型）．热力学和动力学计算均表明：ＮａＮ３通常主要以线型结构存在（占８５％以上），且随温度升高而增多（在１０００Ｋ大于９１％）．     

气固两相流中流型和电荷分布的可视化研究

提出了一种非侵入式同时测量气固两相流型和电荷分布的可视化测试方法。数值仿真结果表明,ECT提供的介电常数分布信息可用于修正实际流型下的EST电荷灵敏场,降低了电荷分布反演的不确定性,EST的图像重建误差有所减小,有效的提高了电荷分布反演的精度。将该测试方法分别应用于粉体重力输送系统和高压密相气力输送系统,结果表明重力输送试验中颗粒浓度大的区域电荷密度值较大,而在气力输送试验中,颗粒浓度大的区域,电荷密度值反而较小,且随着管内煤粉颗粒浓度的增加,粉体总的电荷强度值减小。     

C60的发现,制备,结构,性质及其潜在应用前景

Ｃ６０是碳的一种新的同素异型结构．本文综述了Ｃ６０的发现与制备方法，Ｃ６０形成的机制与其绪构特征，以及Ｃ６０的性质与其潜在的广阔应用前景．重点介绍用红外（ＩＲ）谱，１３Ｃ核磁共振（ＮＭＲ）谱和Ｘ射线衍射（ＸＤ）谱研究Ｃ６０结构的结果，及掺杂Ｃ６０固体的高温超导电性及其结构的最新研究进展．     

Gamma 算子在 Lp (1≤p ≤∞)空间带权同时逼近的强逆不等式

该文利用修正的带权 K- 泛函K²σ f, t²)_w,p, 考虑Gamma算子在L_p~ (1≤p ≤∞)空间带权同时逼近, 给出了它的 B -型强逆不等式.