腔靶X射线辐射对称特性实验观测

在“神光”装置上用两种特殊结构的实验靶型,通过两个不同方位的诊断孔观测腔内壁Ｘ光再辐射的空间能谱结构和Ｘ光辐射总量,分别研究了与激光第一打击面完全对称和不对称的腔内壁（两个被观测位置相差９０°）Ｘ光辐射能谱和辐射能量的对称性,并对测量结果进行了简要的分析讨论．     

交换子群较小的一类有限p群

研究了阶为p(m(m+1)/2)且交换子群的最大阶为p(m)的有限群,得到了这类特殊的p群的几个性质,给出了满足极大类条件的这类p群的同构分类.     

对导体棒在匀强磁场中极限速度的讨论

在中学物理教材中有这么一类变加速的问题, 定性判断的结果是物体最终要做匀速运动, 但是在通过 对导体棒在磁场中运动情况进行严密的数学推导后得出了一个和常规理解不同的结论: 匀强磁场中切割磁感线的 导体棒有可能无法达到匀速的状态,对这一熟知的结论进行了修正, 并且将该结论推广到高中其他类似的问题模 型中去, 比如在机车启动中的极限速度问题     

二冷配水优化建模与混合自适应PSO算法求解

针对连铸二冷区生产环境复杂且存在着大量水雾干扰的情况,建立了连铸水量优化模型并提出了一种混合的自适应粒子群算法来求解连铸二冷水优化问题。依据冶金过程中的工艺要求建立了二冷水量优化模型,并在经典的PSO算法基础上提出了适合该问题求解了混合自适应PSO算法。由于连铸过程存在着偏微分方程约束,传统的优化方法容易陷入局部最优解,不能达到很好的动态优化效果。研究了粒子群算法,基于种群的多样性,不断的自适应的更新粒子群算法中参数,将禁忌搜索的方法和传统的粒子群算法结合,增强了算法的局部搜索能力和全局寻找全局最优的能力。将该算法应用到连铸二冷水动态优化中,实验结果表面该算法能够快速有效的求解该优化问题。该方法用于连铸二冷水优化是可行的、有效的。     

一类(0,1)-矩阵的最大积和式的积分表达式

给出了线和n-2的n阶（0，1）－矩阵的最大积和式的积分表达式，并证明了该积分表达式与[1]得到的组合表达式等价。     

基于重复测量数据的Poisson回归模型的偏大离差的Score检验

Poisson回归模型广泛应用于分析计数型数据 ,Dean&Lawless(1989)和Dean(1992 )讨论了非重复测量得到的计数型数据的偏大离差存在性的检验问题 .本文分别利用随机系数模型和对数非线性模型讨论了基于重复测量得到的计数型数据的偏大离差的检验问题 ,得到了检验的score统计量 .     

随机权函数非线性回归模型的异方差统计分析

在回归分析中，随机误差是否存在方差齐性是理论与实际工作者都十分关心的问题，方差齐性假设并不总是正确的，在线性和非线性回归中关于异方差的诊断问题已有许多讨论（[1],[2],[4],[5]）。本文在韦博成（1995）讨论了加权非线性回归模型的基础上，用随机系数的方法，讨论随机权函数非线性回归模型中的异方差检验问题，得到了方差齐性检验的似然比统计量和score统计量，同时，当模型存在异方差时，本文给出了估计方差的一种方法。     

非线性再生散度模型的渐近性质

对非线性再生散度模型,给出了类似于Ｆａｈｒｍｅｉｒ＆Ｋａｕｆｍａｎｎ（１９８５）和Ｗｅｉ（１９９８）的正则条件．基于这些正则条件,证明了最大似然估计的存在性、强相合性和渐近正态性,推广了已有文献的工作．     

ZI纵向计数数据模型的影响分析

基于EM算法和Laplace逼近, 本文给出了研究ZI (即含0较多的)纵向计数数据模型的影响分析方法. 为了识别含0较多的分组计数数据中的强影响点, 本文将ZI纵向数据模型中取值为0的数据赋予一定的权重; 而把随机效应看作缺失数据; 在此基础上引入EM算法, 从而应用完全数据对数似然函数的条件期望以及相应的$Q$距离函数进行影响分析; 并进一步应用Laplace逼近方法简化EM算法中的积分计算. 在此基础上, 基于数据删除模型和局部影响分析方法导出了适用于ZI纵向计数数据模型的诊断统计量. 本文也通过实际计数数据的例子验证了诊断统计量的有效性.     

Three-dimensional Monte Carlo simulation of bulk fin field effect transistor

In this paper,we investigate the performance of the bulk fin field effect transistor(FinFET) through a threedimensional(3D) full band Monte Carlo simulator with quantum correction.Several scattering mechanisms,such as the acoustic and optical phonon scattering,the ionized impurity scattering,the impact ionization scattering and the surface roughness scattering are considered in our simulator.The effects of the substrate bias and the surface roughness scattering near the Si/SiO2 interface on the performance of bulk FinFET are mainly discussed in our work.Our results show that the on-current of bulk FinFET is sensitive to the surface roughness and that we can reduce the substrate leakage current by modulating the substrate bias voltage.