PLC激光时序控制系统的研制

激光时序控制系统采用计算机（以下称PLC—k位机）和PLC相结合的方式，如图l所示。整个系统的结构分为三层：系统管理层、PLC控制层、分系统控制层或现场执行机构。系统管理层完成时序控制系统的任务设定、信息显示、状态监测、故障报警、数据处理和通信等功能，由一台工业控制计算机实现。该层与PLC之间通过以太网通讯，遵循TCP／IP协议。PLC控制层直接与各个分系统连接，完成时序控制，是激光时序控制系统的关键。这个层次的PLC模块主要完成数据采集、时序控制等任务。分系统控制层执行指令动作，并把必要的信息反馈给PLC控制层。     

时频域独立元分析方法实现超声兰姆波的多模式分离

为方便兰姆波信号分析与模式定征,提出一种将短时傅里叶变换(Short-Time Fourier Transform,STFT)与独立元分析(Independent Component Analysis,ICA)相结合的多模式超声兰姆波识别方法。首先通过STFT将兰姆波时域信号投影至时频域,基于各模式信号在时频域相对独立的特点,利用ICA实现混叠模式分离。根据分离模式时频能量脊提取各模式群速度曲线,进而估计板厚。将方法运用于时域有限差分(Finite-Difference Time-Domain,FDTD)法仿真与钢板实验,分离得到A0、A1和S0三种模式。仿真与实验中平均群速度估计误差约为1.5%和2.0%,板厚估计误差约为0.3%和2.0%。仿真结果表明,在信噪比(Signal-to-Noise Ratio,SNR)不小于0 dB的情况下,时频域独立元分析方法均可实现兰姆波多模式分离、群速度曲线提取及板厚估计。     

碳糊电极阳极吸附伏安法测定氧氟沙星

碳糊电极阳极吸附伏安法测定氧氟沙星;氧氟沙星; 阳极吸附伏安法; 碳糊电极     

鮰爱德华氏菌灭活疫苗对黄颡鱼免疫效果

为建立一种环境友好型防治黄颡鱼鮰爱德华氏菌病的方法,利用从患病黄颡鱼脑部组织分离出的致病菌株JXHS制备黄颡鱼鮰爱德华氏菌的灭活疫苗。以平均体重为15~20g的健康黄颡鱼为实验对象,免疫组腹腔注射0.2mL浓度为3.0×109 CFU·mL-1的免疫原,对照组注射等量0.65%灭菌生理盐水,分别在注射7、14、21、28d后随机从两组各取30尾实验鱼,尾静脉采血,检测免疫鱼的血清凝集抗体效价、白细胞吞噬活性(PP)、吞噬指数(PI)、溶菌酶(LSZ)、碱性磷酸酶(AKP)、酸性磷酸酶(ACP)等免疫指标的变化。结果表明:鮰爱德华氏菌灭活疫苗对黄颡鱼具有较强的免疫原性,与对照组相比,血清凝集抗体效价在免疫14、21和28d显著升高;PP、PI和LSZ在所有采样时间点均显著上升;LSZ在免疫7、14、21和28d均显著上升;AKP在免疫14、21和28d活力显著上升;ACP在免疫7、14和21d活力显著上升。血清凝集抗体效价、PP、PI、LSZ和AKP均在21d达到峰值,而ACP在免疫7d后达到峰值。免疫30d后鮰爱德华氏菌攻毒结果表明,鮰爱德华氏菌灭活疫苗对黄颡鱼有较高的免疫保护作用,免疫保护率达到70.2%。由此可见,利用从病鱼体内分离的鮰爱德华氏菌菌株制备的灭活疫苗可提高黄颡鱼的免疫力并有效抵御鮰爱德华氏菌的攻击。     

Micro-track structure analysis for 100 MeV Si ions in CR-39 by using atomic force microscopy

To analyze the micro-track structure of heavy ions in a polymer material,parameters including bulk etch rate,track etch rate,etch rate ratio,and track core size were measured.The pieces of CR-39 were exposed to 100 MeV Si ions with normal incidence and were etched in 6.25N NaOH solution at 70 C.Bulk etch rate was read out by a profilemeter after several hours of etching.The other parameters were obtained by using an atomic force microscope(AFM)after a short time of etching.We have measured the second etch pits and minute etch pits to obtain the track growth curve and three dimension track structures to track the core size and etch rate measurements.The local dose of the track core was calculated by theδ-ray theory.In our study,we figure out that the bulk etch rate Vb=(1.58±0.022)μm/h,the track etch rate Vt=(2.90±0.529)μm/h,the etch rate ratio V=1.84±0.031,and the track core radii r≈4.65 nm.In the meantime,we find that the micro-track development violates the traditional track-growth model.For this reason,a scenario is carried out to provide an explanation.     

水热产物γ-AlOOH在高温煅烧过程中的α相变及形貌演变

采用透射电镜(TEM)和X-射线衍射(XRD)对化学沉淀法制备的氢氧化铝凝胶及水热处理后的产物进行了在高温煅烧过程中的α相变及形貌演变的对比研究.结果表明,氢氧化铝新鲜胶体经水热处理后提高了高温煅烧时α相变的开始温度,但完成α相变的速度没有明显变化.在1150℃下煅烧1h,由水热合成的长条六角板状晶粒转变的氧化铝过渡相开始转化形成α相,形貌基本不变;在1200℃下煅烧1h,基本上完成α-Al2O3的转化,粉体为多孔的多边形片状颗粒,粒度0.6μm左右,内孔1嘶m左右;在1250℃下煅烧1h,粉体完全转化为α--Al2O3,形貌变化不大,但有轻微的烧结.     

因子分析在我国寿险市场研究中的应用

入世后我国进—步开放了市场,这使得我国巨大的保险市场尤其是寿险市场将面临严峻的挑战。如何在开放与竞争的环境中扩大市场份额,取得更大的发展,是我国寿险业面临的一个重要课题。本文对我国寿险业市场结构进行分析,认为目前中国寿险市场结构属寡头垄断型,市场集中度极高,然后用因子分析法考察了我国寿险公司的市场绩效和市场竞争能力。     

沉积温度对等离子增强化学气相沉积法制备的SiNx:H薄膜特性的影响

利用Centrotherm公司生产的管式等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备在p型抛光硅片表面沉积SiN_x:H薄膜, 研究沉积温度对SiN_x:H薄膜的组成及光学特性、结构及表面钝化特性的影响. 然后采用工业化的单晶硅太阳电池制作设备和工艺制作太阳电池, 研究不同温度制备的薄膜对电池电性能的影响. 测试结果表明: SiN_x:H薄膜的折射率随着沉积温度的升高而变大, 分布在1.926-2.231之间, 这表明Si/N摩尔比随着沉积温度的增加而增加; 当沉积温度增加时, 薄膜中Si－H键和N－H键浓度呈现减小趋势, 而Si－N键浓度逐渐升高, 薄膜致密度增加; 随着沉积温度的升高, SiN_x:H薄膜中的氢析出导致了钝化硅片的有效少子寿命先升高后降低, 并且有效少子寿命出现明显的时间衰减特性. 当沉积温度为450 °C时, 薄膜具有最优的减反射和表面钝化效果. 采用不同温度PECVD制备的5组电池的电性能测试结果也验证了这一结果.     

熔融织构(Nd-Eu-Gd)-Ba-Cu-O超导体的各向异性磁通跳跃及其不稳定性研究

对c轴择优取向的熔融织构样品(Nd_0.33Eu_0.33Gd_0.33) Ba₂Cu₃O_7-δ（含Gd(211)相）的磁通跳跃现象进行 了系统研究.结果表明，在外加磁 场平行于样品c轴条件下，在2到3K的温度范围内明显观测到了部分磁通跳跃现象，而 在5K及以上温区并未出现.在磁场垂直于样品的c轴情况，在2K到T_c的整个温 区都没有观察到磁通跳跃现象.这种各向异性磁通跳跃现象可归因于各向异性钉扎力和几何 退磁因子的结果.随着温度的增加，磁通跳跃数目减少，且M(H)曲线的第三象限是磁通 跳跃的最不稳定过程.最后，研究了磁通跳跃对磁场扫描速率的依赖关系，并讨论了磁通蠕 动对磁通跳跃的影响. 关键词： 0.33Eu_0.33Gd_0.33)Ba₂Cu₃O_7-δ超导体')" href="#">(Nd_0.33Eu_0.33Gd_0.33)Ba₂Cu₃O_7-δ超导体 OCMG方法 磁通跳跃     

锑—铜—茜素络合剂体系极谱行为的研究

在１．０ｍｏｌ／Ｌ甲酸－甲酸钠－０．０３ｍｏｌ／Ｌ邻苯二甲酸氢钾混合底液（ｐＨ３．５）中，锑－茜素络合剂（ＡＬＣ）络合物在单扫示波极谱上于一０．５３Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）产生一极谱波，加入１．６×１０＾－３ｍｏｌ／ＬＣｕ（Ⅱ）后，灵敏度有较大提高，峰电流与锑浓度在２．０×１０＾－８～３．０×１０＾－６ｍｏｌ／Ｌ范围内呈线性关系，检测限达１．０×１０＾－８ｍｏｌ／Ｌ，研究了电极反应机理，方法应用于铜合金