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201.
刘清华 李敬 单李军 肖德鑫 潘清 刘宇 王汉斌 胡栋材 张鹏 李寿涛 王建新 张德敏 闫陇刚 张小丽 甘孔银 张成鑫 李鹏 沈旭明 柏伟 陈云斌 李晓辉 王帅华 余勇 陈镐 胡秀太 马国武 周奎 周征 王远 杨兴繁 吴岱 黎明 陈门雪 胡进光 赵剑衡 范国滨 《强激光与粒子束》2022,34(12):124001-1-124001-2
报道了基于光阴极S波段电子直线加速器建成的9 MeV高能微焦点射线成像系统“精卫”,X射线束横向尺寸小于100 μm,7 h剂量波动低至1.6%。初步开展成像实验结果表明:双丝像质计清晰分辨13D号丝,丝直径0.05 mm,CT测试卡测得空间分辨率优于10 lp/mm,装置同时兼容电子束能量6~18 MeV可调。 相似文献
202.
周奎 李鹏 周征 肖德鑫 王建新 王汉斌 罗星 单李军 沈旭明 和天慧 劳成龙 闫陇刚 徐勇 张鹏 陈立均 王伟俊 刘宇 刘婕 杨兴繁 吴岱 黎明 《强激光与粒子束》2022,34(10):104013-1-104013-7
中国工程物理研究院太赫兹自由电子激光装置(CAEP THz FEL, CTFEL)是国内唯一运行的基于超导加速器的高平均功率自由电子激光太赫兹源,具有频率连续在线可调(0.1~4.2 THz)、高峰值功率(>0.5 MW)、高平均功率(>10 W)、高重频(54.17 MHz)、短脉冲(~ps)、窄线宽(~2%)、全相干和线性偏振等特点。自2017年出光以来,已稳定运行了四年多,并开展了诸多应用实验研究。为进一步满足用户需求,CTFEL计划升级为一台红外太赫兹自由电子激光装置,电子束能量提升至最大50 MeV,频谱范围拓展至0.1~125 THz,同时,建设材料光谱和生物医学两个实验站。 相似文献
203.
204.
真空度被认为是影响GaAs阴极寿命的最重要参数之一,电子束在阴极附近的壁损失会导致真空度下降。基于高斯分布模型,研究了中国工程物理研究院自由电子激光相干强太赫兹源(FEL-THz)直流光阴极注入器电子束在束线管壁上的损失情况。通过理论分析、数值计算、束流动力学模拟、热力学分析及电子束初步出束实验研究,证明了FEL-THz电子束壁损失能达到W量级,必然引起真空度下降和阴极寿命缩短,这是目前限制出束的重要原因之一。研究表明,为维持电子束持续稳定工作,应将注入器阳极后的管道尺寸扩大到至少45mm。 相似文献
205.
Experimental clarification of orientation dependence of germanium PMOSFETs with AlzO3/GeOx/Ge gate stack
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An extensive and complete experimental investigation with a full layout design of the channel direction was carried out for the first time to clarify the orientation dependence of germanium p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (PMOSFETs). By comparison of gate trans-conductance, drive current, and hole mobility, we found that the performance trend with the substrate orientation for Ge PMOSFET is (110)〉(111) ~ (100), and the best channel direction is (110)/[110]. Moreover, the (110) device performance was found to be easily degraded as the channel direction got off from the [ 110] orientation, while (100) and (111) devices exhibited less channel orientation dependence. This experimental result shows good matching with the simulation reports to give a credible and significant guidance for Ge PMOSFET design. 相似文献
206.
高压电源是中性束加热用离子源束流引出的关键设备,其运行参数和性能直接决定引出束粒子能量和离子源引出效率。为了进一步提高中性束离子源实验平台高压运行参数和性能,重新优化设计并研制了80k V/50A高压电源的所有模块。首先介绍了80k V/50A高压模块电源的主电路拓扑结构和电源模块,运用仿真软件对高压电源主回路进行了充放电、打火保护仿真,仿真结果符合设计要求。最后,通过调试实验发现了电源模块存在空间绝缘不足、整流桥击穿、触发控制不响应等问题,进行了分析优化改进,完成了80k V/50A高压模块电源的升级研制。 相似文献