金刚石薄膜中二次电子输运的蒙特卡罗模拟

本文通过编写的二维MATLAB蒙特卡罗程序, 对倍增的二次电子在金刚石薄膜中的输运特性进行了初步模拟. 研究表明: 二次电子的迁移率对温度和外加电场的大小很敏感, 在杂质浓度比较低时(<10¹⁷/cm^-3)受杂质浓度的影响不大. 模拟得到的 二次电子的饱和速度为1.88×10⁷ cm/s, 无外加电场时的迁移率为3732 cm² /V.s. 同时, 通过对二次电子束团在金刚石薄膜中的整体输运特性的模拟, 证明了束团电荷密度在应用要求的范围内时, 空间电荷力的影响可以忽略不计.     

Characterization of ZnO nanowire field-effect transistors and exposed to ultraviolet radiation

A ZnO nanowire (NW) field-effect transistor (FET) is fabricated and characterized, and its characterization of ultraviolet radiation is also investigated. On the one hand, when the radiation time is 5~min, the radiation intensity increases to 5.1~μ W/cm², while the saturation drain current (I_\rm dss) of the nanowire FET decreases sharply from 560 to 320~nA. The field effect mobility (μ ) of the ZnO nanowire FET drops from 50.17 to 23.82~cm²/(V.s) at V_\rm DS=2.5~V, and the channel resistivity of the FET increases by a factor of 2. On the other hand, when the radiation intensity is 2.5~μ W/cm^2 , the DC performance of the FET does not change significantly with irradiation time (its performances at irradiation times of 5 and 20~min are almost the same); in particular, the I_\rm dss of NW FET only reduces by about 50~nA. Research is underway to reveal the intrinsic properties of suspended ZnO nanowires and to explore their device applications.     

中物院高功率THz FEL装置的理论分析和优化设计

在1~3 THz频段内设计了11个分点频率,对每一频率的对应的场强和电子束能量进行了选取和计算。模拟结果表明:采用目前参数基本能够达到设计要求;辐射频段在2.6 THz附近时装置输出功率和增益都比较高,可以先锁定这个频段附近进行实验的调试;在长波段即1 THz左右时,滑移效应显著,腔增益和输出功率较低,实验实现比较困难,因此在1 THz频段附近必须积极想办法来提高输出功率。     

高重复频率相干衍射辐射超宽谱太赫兹源

研究了一种新型相干衍射辐射（CDR）太赫兹源,该太赫兹源基于中国工程物理研究院自由电子激光相干强太赫兹源（FEL-THz）的加速器电子束束流,具有MHz量级重复频率。理论分析、数值计算和PIC模拟证明了此太赫兹源时间长度可达到ps量级,中心频率在100~400 GHz可调,截止频率位于1~2 THz,脉冲峰值功率可达10 kW量级,平均功率可达到W量级,并且功率随束流流强成平方正比关系。     

Development of a 170-mm hollow corner cube retroreflector for the future lunar laser ranging

Over the past 50 years, lunar laser ranging has made great contributions to the understanding of the Earth–Moon system and the tests of general relativity. However, because of the lunar libration, the Apollo and Lunokhod corner-cube retroreflector(CCR) arrays placed on the Moon currently limit the ranging precision to a few centimeters for a single photon received. Therefore, it is necessary to deploy a new retroreflector with a single and large aperture to improve the ranging precision by at least one order of magnitude. Here we present a hollow retroreflector with a 170-mm aperture fabricated using hydroxide-catalysis bonding technology. The precisions of the two dihedral angles are achieved by the mirror processing with a sub-arc-second precision perpendicularity, and the remaining one is adjusted utilizing an auxiliary optical configuration including two autocollimators. The achieved precisions of the three dihedral angles are 0.10 arcsecond,0.30 arc-second, and 0.24 arc-second, indicating the 68.5% return signal intensity of ideal Apollo 11/14 based on the far field diffraction pattern simulation. We anticipate that this hollow CCR can be applied in the new generation of lunar laser ranging.     

CFEL光阴极注入器驱动激光器的实验

在高功率自由电子激光初级实验装置（CFEL）研究中，驱动激光直接照射光阴极而发射电子，其性能将在很大程度上决定注入器乃至整个自由电子激光实验系统的性能：如电子束微脉冲宽度、电子束微脉冲流强、电子束微脉冲峰值抖动等。文中针对CFEL初期研究目标（3～8μm）对光阴极注入器的要求，对光阴极RF腔注入器的驱动激光器进行了方案设计，提出了驱动激光器的参数要求。根据方案进行了工程实施，购置了锁模激光器和时间同步器，放大与倍频系统正在研制当中。     

CeO_2∶Eu~(3 )粉末的溶胶-凝胶法制备及发光性能研究

采用溶胶-凝胶法制备了不同浓度Eu3 掺杂的CeO2发光粉,样品粉末在紫外光激发下发出明亮的橙红色光。利用X射线衍射(XRD)、热重-差热分析(TG-DTA)和光致发光光谱(PL)对样品的结晶过程和发光性质进行了表征。XRD分析表明在0.2at.%～10at.%的Eu3 掺杂范围内,用溶胶-凝胶法合成的样品在500℃就结晶成纯相的CeO2∶Eu3 多晶粉末。由于Ce4 和Eu3 离子半径十分接近,因而Eu3 在CeO2中具有较高的固溶度。PL激发谱中出现在300～390nm的宽带激发峰起源于基质CeO2的吸收,电子吸收能量后,发生O2-—Ce4 的电荷迁移,再将能量传递给Eu3 。PL发射谱显示Eu3 含量为6at.%的样品发光强度最强,随后出现浓度猝灭。导致发光出现浓度猝灭的机制是电偶极-电四极相互作用。样品烧结温度的升高,促使晶粒长大和结晶完整性提高,从而显著提高了CeO2∶Eu3 粉末的发光强度。     

CeO2:Eu3+粉末的溶胶-凝胶法制备及发光性能研究

采用溶胶-凝胶法制备了不同浓度Eu3 掺杂的CeO2发光粉,样品粉末在紫外光激发下发出明亮的橙红色光.利用X射线衍射(XRD)、热重-差热分析(TG-DTA)和光致发光光谱(PL)对样品的结晶过程和发光性质进行了表征.XRD分析表明在0.2at.%～10at.%的Eu3 掺杂范围内,用溶胶-凝胶法合成的样品在500℃就结晶成纯相的CeO2:Eu3 多晶粉末.由于Ce4 和Eu3 离子半径十分接近,因而Eu3 在CeO2中具有较高的固溶度.PL激发谱中出现在300～390 nm的宽带激发峰起源于基质CeO2的吸收,电子吸收能量后,发生O2--Ce4 的电荷迁移,再将能量传递给Eu3 .PL发射谱显示Eu3 含量为6at.%的样品发光强度最强,随后出现浓度猝灭.导致发光出现浓度猝灭的机制是电偶极-电四极相互作用.样品烧结温度的升高,促使晶粒长大和结晶完整性提高,从而显著提高了CeO2:Eu3 粉末的发光强度.