高迁移率Ge沟道器件研究进展

高迁移率Ge沟道器件由于其较高而且更对称的载流子迁移率, 成为未来互补型金属-氧化物-半导体(CMOS) 器件极有潜力的候选材料. 然而, 对于Ge基MOS器件, 其栅、源漏方面面临的挑战严重影响了Ge基MOS 器件性能的提升, 尤其是Ge NMOS器件. 本文重点分析了Ge基器件在栅、源漏方面面临的问题, 综述了国内外研究者们提出的不同解决方案, 在此基础上提出了新的技术方案. 研究结果为Ge基MOS 器件性能的进一步提升奠定了基础.     

苯乙烯-2-乙烯基吡啶两嵌段共聚物的合成与表征

采用阴离子聚合技术合成了一系列苯乙烯 ２ 乙烯基吡啶的两嵌段共聚物（ＰＳ ｂ Ｐ２ＶＰ），并采用ＧＰＣ、ＦＴＩＲ、ＮＭＲ（１Ｈ ＮＭＲ和１３Ｃ ＮＭＲ）、ＤＭＡ等手段进行了表征．结果表明，产物为高分子量、窄分布的两嵌段共聚物，具有微相分离的两相结构     

C波段2 MeV驻波加速管物理设计

为了发展结构紧凑、小束斑加速器,进行了C波段驻波电子直线加速器加速管的物理设计和研究。利用多级聚束和大孔径注入方法,抑制空间电荷效应。加速管由3个聚束腔和4个加速腔组成,长约163 mm,馈入微波功率源1 MW。在最终的数值模拟中,得到脉冲电流约150 mA,俘获效率优于30％,在加速管出口外约14 mm处,对电子的横向分布进行非线性Gauss拟合,得到束斑直径（FWHM）约为0.55 mm。     

初次级等效比为1:43.4分数比脉冲变压器

在理论分析分数比脉冲变压器输出脉冲上升时间与变压器次级绕组匝数、磁芯截面积和伏秒积等参数关系的基础上,设计建造了一台初次级等效比为1∶43.4分数比脉冲变压器,等效到次级的漏感为157.3 μH,分布电容为412.4 pF。低电压实验得到负载上的脉冲上升时间为894 ns,高电压实验得到负载上的脉冲上升时间为917 ns,电压幅值42.7 kV,表明所设计建造的分数比脉冲变压器达到了设计要求。     

光阴极RF腔注入器束流发射度研究

分析了光阴极RF腔注入器中的RF场效应和空间电荷效应,给出了电子在加速腔中束流发射度的解析表达式,它说明在加速过程中束流发射度是振荡变化的。利用SUPERFISH和GPT程序模拟计算了光阴极1+1/2腔注入器输出束流发射度与加速场强、注入相位、束团大小和形状、束团电荷的关系。适当选择这些条件,可以获得横向发射度小于2πmm·mrad 的输出束流。     

自由电子激光对微波源稳定性的要求

由自由电子激光物理出发,讨论自由电子激光对射频直线加速器微波功率源稳定性的要求,并据此得出国内目前已在运行的两台自由电子激光装置实现稳定运行微波功率源稳定性需达到的指标。     

液态DMF中N—14四极耦合常数的实验测定

本文利用质子的＾１３Ｃ卫星峰与＾１２Ｃ主峰的弛豫速率之差为纯的偶极偶极机制这一原理，较精确地测定了２５℃时ＤＭＦ分子的取向相关时间，结合分子中Ｎ－１４的四极弛豫时间，得到了液态ＤＭＦ分子中Ｎ－１４核的四极耦合常数为３．４２ＭＨｚ．     

钻地弹自适应引信方案

不论机械引信、全电子引信还是机电一体化引信，都利用传感器对环境、目标进行探测，获取信息，并加以识别和处理，用于对战斗部安全保障和炸点控制。通常，钻地弹自适应引信利用加速度传感器测量弹体侵彻过程的加速度信号，一方面运用数字信号处理技术提取加速度信号的特征信息，如加速度幅度、拐点、上升沿、突变次数等，由此对目标层数有效判别，实现定层引爆；另一方面，在已知侵彻初速度和侵彻角度时，对加速度信号积分便得到实时侵彻速度，再次积分可得侵彻深度，从而实现定深引爆。     

用于频域方法测量超短电子束纵向分布的Kramers-Krönig变换研究

Kramers-Krönig(K-K)变换方法被广泛地应用于频域测量中还原超短电子束团分布,成为分析电子束团形状、长度等参量的有效工具. 研究发现,利用该方法分析电子束参量时,自相干曲线基底的选择、低频损耗与高频截止及插值外推位置的选择,对束团参量有重要的影响. 以清华大学加速器实验平台采用相干渡越辐射测试束团长度为例,分析了上述参量的选取对测量结果的影响,讨论了选择K-K变换的关键物理参量的方法. 关键词： Kramers-Krönig变换 频域测量 超短电子束团 相干渡越辐射     

论活塞平衡条件

对于光滑绝热的活塞,其两侧压强相等并不能保证达到平衡.本文通过理想气体模型,从微观的角度说明,如果绝热活塞两侧气体温度不等,即使压强相等也依然会有能量通过活塞的振动从高温气体传递给低温气体,并指出此效应在宏观体系中较难观察到而在介观体系中非常显著.