关于一类三阶非耗散型微分方程组周期解的存在性

在本文中,我们首先得到一些不动点定理,利用这些不动点定理于三阶周期摄动的非耗散型系统。得到一些周期解存在的条件.最后给出一个例子.     

窄带光纤光栅的写入

改进相位掩模法写入光栅的装置，提高其机械稳定性和温度稳定性，不仅提高了光纤光栅的反射率，而且降低了带宽，特别是能在国产的光敏光纤上写出了大于９９％反射率和小于０２ｎｍ带宽的高质量的光纤光栅这种光栅特别适用于光纤光栅传感方面的应用     

异双桥二维镍(Ⅱ)配位聚合物2∞[Ni(μ-4,4''-bpy)2/2(μ-L)4/2](HL=2-indolyl-formic acid)的水热合成和晶体结构

以分子识别为基础、分子组装为手段、组装体功能为目标的超分子化学是一个正在迅速发展并充满活力的新型交叉学科.超分子化学在生命科学和信息科学、高技术结构材料和功能材料等方面具有广阔的应用前景.4,4'-联吡啶能够跟多种过渡金属组装成一维、二维和三维超分子,有关非线性光学性能、催化作用、光电转换性能的研究成果已见报道[1～3].     

甲醇羰基化的高分子催化剂（PVMRh）的稳定性研究

研究了以交联共聚物（ＰＶＭ）大孔隙树脂为配体的羰基铑配合物的热稳定性和抗空气氧化稳定性．这种类型的高分子铑催化剂不仅比类似的小分子铑配合物在甲醇羰基化反应中有着明显的高活性，而且在稳定性方面亦有着小分子配合物不可比拟的特点。实验结果表明，这类高分子催化剂在空气中的稳定温度达到１７０℃。在空气中室温放置５万小时后，其催化剂仍能保持不变。     

丁烯酮-丙烯腈共聚物与过渡金属的配合物催化甲醇羰基化制乙酸和乙酸酐

合成了一系列丁烯酮-丙烯腈共聚物与过渡金属的配位化合物,用X-射线光电子能谱(XPS)研究了其中存在的配位特征。通过甲醇羰基化反应制备乙酸、乙酸酐的反应,考察了不同催化剂的活性。实验结果表明,在反应中其活性顺序:铑配合物>镍配合物>钌配合物>钴配合物。     

Synthesis of N-Squaramidoacids and Their Application in Asymmetric Borane Reduction of Prochiral Ketones

A series of novel N-squaramidoacid ligands were prepared conveniently. Without converting to corresponding amino alcohols, these ligands could be used in asymmetric borane reduction of prochiral aromatic ketones to give secondary alcohols in good to excellent enantiomeric excesses. The results showed that N-squaramidoacids are more efficient ligands than N-sulfonyl amino acids. N-Squaryl proline was proved to be an excellent ligand in this catalytic asymmetric process.     

正方平面顺二羰基(三齿N-配体)铑阳离子配合物的分子内取代反应

报道了5种顺二羰基N,N-双(2-吡啶乙基)对取代苯胺铑(Ⅰ)正方平面配合物,经XPS,IR,NMR研究了其结构变化,结果表明,二N配位配合物在高于50℃时,由于分子内的空间效应,其结合能力较弱的N→Rh配位键可快速取代结合能力较强的Rh-Cr反馈键,而形成三N配位配合物。这一反应为可逆过程,如在CO气氛下,则其结构又回复了二-N配位状态。     

钇与亚胺基二乙酸配合物的合成及晶体结构

合成了钇与亚胺基二乙酸的配合物，用Ｘ射线衍射法测定了配合物的单晶结构，化学式为［Ｙ２｛Ｈ２Ｎ（ＣＨ２ＣＯＯ）２｝（Ｈ２Ｏ）４］（ＣｌＯ４）２·１．２５Ｈ２Ｏ。晶体属三斜晶系，Ｐ１↑－空间群。晶胞参数：ａ＝０．９２５４（１）ｎｍ，ｂ＝０．９９２２（１）ｎｍ，ｃ＝１．０６５８（２）ｎｍ，α＝７１．４８１（１０）°，β＝７７．９５０（１０）°，γ＝６５．３５０（１０）°，Ｖ＝０．８４０１（２）＾３，Ｚ＝     

同时测定中草药中痕量铅和汞的氢化物原子荧光法

提出了同时测定痕量铅和汞的氢化物发生原子荧光法 ;采用断续流动氢化物发生器 ,以碱性铁氰化钾为氧化剂 ,在柠檬酸介质中产生铅烷和汞蒸气 ;讨论了氧化剂和络合剂对铅烷和汞蒸气生成的作用机理 ,考察了共存元素的干扰情况;在选定最佳工作条件下 ,测得铅和汞的检出限(3σ)分别为0.21μg·L-1 和0.026μg·L-1,相对标准偏差(对20μg·L-1Pb和2μg·L-1Hg,n=11)分别为1.2 %和0.71 % ;该法应用于中草药中痕量铅和汞的同时测定 ,结果令人满意     

LP-MOCVD异质外延ZnO薄膜中的应力及对缺陷的影响

利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)在Si基片上外延生长ZnO薄膜，制备了两类样品 ：一类是在Si上直接外延ZnO，另一类是在Si上通过SiC过渡层来外延ZnO.根据两类样品的拉 曼光谱、x射线衍射、原子力显微图和光致发光的结果，表明ZnO外延薄膜中的张应力对薄膜 的结晶状况有着重要的影响，使用SiC过渡层能够有效缓解ZnO薄膜中的张应力，减小缺陷浓 度，提高ZnO外延层的质量；然后根据缺陷的形成机制进一步提出，对于ZnO/Si，其中较大 的张应力导致了高浓度的非辐射复合缺陷的形成，使得样品的紫外和绿峰的发射强度均大大 降低；对于ZnO/SiC/Si，其中较小的张应力导致ZnO薄膜中主要形成氧替位缺陷O_{Zn，从而使发光中的绿峰增强. 关键词： ZnO薄膜 应力 缺陷 拉曼光谱}