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61.
在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲基镓(TMGa)和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变TMGa流量制备了4个蓝光LED样品。MOCVD外延生长时使用激光干涉仪实时监测薄膜反射率,外延片使用高分辨率X射线衍射(002)面和(102)面摇摆曲线估算位错密度,并使用光致发光谱表征发光性能,制备成芯片后测试了正向电压和输出光功率。结果表明,高温预生长可促进薄膜的横向外延,使得三维岛状GaN晶粒在较小的薄膜厚度内实现岛间合并,有利于降低位错密度,提高外延薄膜质量,LED芯片的输出光功率的增强幅度达29.1%,而电学性能无恶化迹象;但高温预生长工艺中TMGa的流量应适当控制,过量的TMGa导致GaN晶粒过大,将延长岛间合并时间,降低晶体质量。 相似文献
62.
本文将Eshelby等人关于无限各向异性介质中静止位错弹性理论加以推广,并结合运用Green张量函数积分法提出计算半无限各向异性介质中在自由表面附近运动位错弹性场的处理方案,作为示例,以γ-Fe/自由空间系统进行数值计算,计算结果显示出位错运动对弹性场的影响,当位错运动速度v→0时,与静止位错的情况一致,离自由表面越近的场点处表面效应越显著,位错所受的“像力”表示自由表面对运动位错有“吸引”作用,本文所提出的简单理论和方法可适用于任意各向异性介质中运动位错的弹性场及所受“像力”的计算,这对研究介质的一些力
关键词: 相似文献
63.
为借助激光全息进行无损检测,获得位相物体的信息,对位相物体激光全息二次曝光法无损检测进行了研究,指出一般的二次曝光法测位相物体典型光路的缺点,提出了物光波2次通过样品的改进方案。利用此方案对一些位相物体(如普通玻璃和有机玻璃)作了无损检测实验,得到了较满意的实验结果。与普通检测方法相比,该方法具有精度高、结果直接可靠、不损伤物体等诸多优点。对改进方案稍作改动,即可用于塑料制品和玻璃制品生产线对加工产品进行在线产品质量监控。 相似文献
64.
提出了一种利用电荷耦合器件摄像机获取的辐射信息进行二维弥散介质温度场快速重建的新模型. 与现有的温度场重建模型相比,该模型是以逆向Monte Carlo方法为基础,重建速度更快、效率更高,能更好地描述散射介质. 采用了一个精确的二维温度场作为重建对象,结果表明,即使在存在测量误差的情况下,利用此模型重建出的温度场仍能重现原有精确温度场的特征.
关键词:
温度场重建
逆向Monte Carlo
电荷耦合器件摄像机
反问题 相似文献
65.
提出基于电磁拓扑理论计算开孔多腔体屏蔽效能的快速方法.首先给出双腔体等效电路和电磁拓扑信号流图,并推导孔缝节点处的散射矩阵,给出拓扑网络的散射矩阵方程和传输矩阵方程,获得双腔体的广义Baum-Liu-Tesche(BLT)方程.在此基础上研究了开孔三腔体,包括串型级联三腔体和串并型混合级联三腔体的广义BLT方程.对于串型级联三腔体,其电磁拓扑网络和广义BLT方程在双腔体基础上直接扩展即可获得.而对于串并型混合级联三腔体,通过将位于三腔体公共面上的孔缝等效为三端口网络节点,并根据三端口网络散射参数定义推导获得该节点的散射矩阵,最终得到串并型混合级联三腔体的广义BLT方程.本文方法对双腔体的计算结果与文献结果和实验结果相符合,对3组不同类型和尺寸开孔腔的屏蔽效能的计算结果与时域有限差分法计算结果符合较好.该算法不仅效率高,通过对所有计算结果和实验结果的误差统计分析,表明该算法具有较高的计算准确度. 相似文献
66.
67.
68.
Ⅰ.在上题的文中(以下简称文献),作者遗漏了Bates等一文,因此根据下面的假设,计算邻硝基苯甲酸(HA)在高氯酸纳水溶液中的活度系数: γHA(N2CIO4)=γ0.01HBr(NaClO4(1) γHA(NaClO4)=γ0.01HBr(NaClO4)+γNaClO4—γNaBr(2) 算出结果列于文献表2第6行(γ±即γHA(盐)的缩写),并根据这些γ±值,计算)y±,CH+,…,等值. 相似文献
69.
以铬天青S和阳离子表面活性剂测定铝的方法试验中,由于溴代十六烷基三甲基铵在室温较低时析出沉淀,影响测定,需要加入一定量的乙醇以增加溶解度。我们采用Al~(3+)-CAS-TritonX-100显色体系较使用阳离子表面活性剂(CTMAB,CPB,Zeph等)红移更多,且灵敏度更高。前者△λ为95nm,ε=1.2×10~5,而后者△λ为75nm,ε=1.02×10~5。因此采用非离子表面活性剂三元络合物体系较优越。同时本工作采用王水溶样,以硫脲掩蔽锡青铜中大量铜,氯化铵消除锡的干扰,EDTA-Zn络合掩蔽铁,高达2毫克Pb~(2+),4毫克Zn~(2+)均不干扰测定。以CAS和 相似文献
70.